Applied Materials推出EPIC中心以促进协同创新
2026年10月12日，应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲，旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新，推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起，共同开发下一代材料、工艺和设备。
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2026年10月12日，应用材料公司总裁兼首席执行官Gary Dickerson在加利福尼亚州桑尼维尔的EPIC中心揭幕仪式上发表主题演讲，旨在通过早期合作伙伴参与和共同创新，推动半导体技术栈的创新。该中心旨在将应用材料与行业合作伙伴聚集在一起，共同开发下一代材料、工艺和设备。
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
中国最大的芯片设备制造商正通过收购方式进入混合键合（hybrid bonding）领域，这是一种先进封装工艺，全球厂商从Besi到ASML也在竞相追逐。分析师指出，对中国企业而言利害关系不同：由于美国出口管制限制了获取先进制程晶体管微缩所需设备的渠道，更密集地堆叠和连接芯片已成为缩小性能差距所剩无几的路径之一，华为将这一路线概括为其'Tau scaling law'（Tau扩展定律）。事件为正在进行的收购布局，具体收购标的、金额与时间表原文未说明。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
IBM与西门子宣布开展研究合作，推进IBM的3D纳米堆叠（3D nanostack）晶体管架构，目标是应对未来埃级（angstrom-scale）半导体在设计和制造上的挑战。双方将把IBM的半导体研究与西门子在电子设计自动化（EDA）、仿真和光刻方面的专长相结合，帮助该技术更接近商业化量产。该合作为研究协作，距离商业化生产仍为目标方向而非已实现结果，原文未说明原因或具体时间表。
IBM与西门子宣布开展联合研究，推进IBM今年公布的NanoStack晶体管架构，重点开发新一代芯片设计、仿真与制造所需的工具和工艺；IBM负责半导体器件技术，西门子贡献电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。NanoStack把传统并排排布的晶体管改为垂直堆叠并让不同层错位排列，IBM称其为业界已知首种基于纳米片的三维晶体管设计。IBM今年6月公布其7埃米级（0.7纳米）技术研究成果，称在指甲大小的芯片上可集成近1000亿个晶体管，密度约为其2纳米芯片的两倍；据IBM论文估算，与其2纳米节点相比最高可带来约50%的性能提升，或在性能相当时降低约70%的能耗；另有研究显示NanoStack架构可使SRAM面积缩小约40%——这些均属IBM对研究技术的测算和预测，不是已量产产品的实测表现。IBM表示已通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验验证NanoStack具备实际制造和运算可行性，但量产仍需解决晶圆键合与对准、层间散热、微细布线、背面供电及三维检测等问题；IBM曾称最早可能在未来五年内推进至生产阶段。此次合作公告未公布具体开发时间表、投资金额或商业量产客户，重点在于建立工具链而非宣布新芯片投产。
IBM(纽约证券交易所代码:IBM)与西门子今日宣布开展新研究合作,旨在推进IBM今年早些时候发布的纳米堆叠(nanostack)晶体管架构。该合作将结合IBM在半导体器件创新方面的领先地位与西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化和先进制造软件方面的专业知识,以加速nanostack的开发。据原文,nanostack是业界已知首个三维纳米片(nanosheet)设计,通过垂直堆叠和交错排列晶体管在芯片上容纳更多晶体管,在当前7埃(angstrom)节点上于指甲大小的空间内实现近1000亿个晶体管;该设计还可在每个堆叠层内使用不同材料组合,独立优化每个晶体管的性能和能效,为能效、性能和SRAM缩放带来提升。此为合作研究宣布,属计划阶段,原文未说明原因。
西门子宣布推出Tessent™ Silicon Executable（TSE）软件，这是一款独立应用程序，可将测试图形转换并直接应用到高速接口与协议（标题提及PCIe和USB）上执行，并从测试设备生态系统向Tessent In-System Test片上硬件传递测试数据。该软件是西门子宣布的产品发布，属于生态合作性质：TSE与自动测试设备（ATE）供应商Advantest和Teradyne合作发布。Advantest表示将把西门子TSE集成到其带Link Scale的V93000平台，并通过SiConic扩展至硅前验证和DFT实验室工程；Teradyne表示已将Tessent Silicon Executable集成到其UltraFLEXplus的UltraPort仪器中，并称其是首家为客户提供通过PCIe运行SSN、面向PCIe Gen 6接口的标准路径的测试机公司，称这可显著提升性能并缩短测试时间。西门子EDA的Ankur Gupta给出的原因是：硅复杂性、多裸片和新晶体管技术正在推动测试内容增长。原文未提供价格或市场影响的量化数据。
据2026年10月7日报道，Navitas Semiconductor已完成对面向AI数据中心的集成电压调节器（IVR）开发商Claros的收购。此次收购将最靠近处理器的末级电源转换环节加入Navitas的GaN和SiC产品组合。Claros的技术将功率晶体管、数字控制、电感和电容集成到单一IVR技术堆栈中，用于封装式和嵌入式两个IVR产品系列，面向电源转换在处理器附近进行的垂直和嵌入式供电架构；据Navitas称，这带来更高效率、更快瞬态响应和更高功率密度。结合其用于800 V DC架构的氮化镓和高压碳化硅技术，Navitas表示现在可以覆盖从电网到处理器的整个电源链。Navitas预计此次收购将在2030年前为其可服务潜在市场增加至少35亿美元，使总规模超过80亿美元，其中包括用于GaN和SiC的35亿美元以及来自新JFET技术的约10亿美元（此为预期，非已实现结果）。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
BluGlass任命Yam Rubenstein为非执行董事以支持全球运营。该公司专注于基于RPCVD技术的GaN可见激光二极管。
管理变动通常不会立即改变价格。
Navitas Semiconductor 在美国德克萨斯州东区法院起诉 Renesas Electronics，指控其 SuperGaN 等产品侵犯四项 GaN 专利。此次诉讼旨在保护 Navitas 在 AI 基础设施高功率 GaN 应用领域的知识产权。
该法律纠纷可能重塑 GaN 功率器件市场竞争格局，但短期内对现货价格影响有限。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |