英飞凌10月21日表示，正扩大与Nvidia在AI数据中心800伏直流供电架构上的合作，聚焦中间总线转换器（IBC）中的氮化镓（GaN）芯片
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
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英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
NVIDIA与Cisco宣布联合开发超密小型可插拔（USFP）新型光收发器封装规格，面向下一代AI工厂，旨在支持每通道400 Gb/s的连接。该技术宣称带宽密度为现有每通道200 Gb/s可插拔光模块的四倍，同时提升能效，容量最高可达12.8 Tb/s。此为联合开发与发布性质，尚未表明已实现量产或部署。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
据IT之家10月16日报道，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元人民币。本轮融资由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投，奇绩创坛参与投资；理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资者合计出资6.25亿元。杭州经韬及其关联基金获得一项一次性追加认购权，可在2026年12月31日前按相同价格额外投资不超过5亿元；若该认购权悉数行使，马赫心科技的投后估值将达到171亿元。融资完成后，理想汽车预计持有马赫心科技约74.01%的股权，继续保持控股地位。背景方面，公开报道显示理想汽车自2021年开始论证自研芯片可行性，2022年正式立项，组建约200人的专项团队；其自研的马赫M100芯片采用5nm车规级工艺，单芯片算力达1280 TOPS，搭载8通道LPDDR5X内存，峰值带宽273GB/s，于2026年5月实现量产上车，首发搭载于全新理想L9 Livis车型；理想汽车将其称为“全球首款量产的动态数据流AI芯片”，实际运行效率超过82%，目前已随全新理想L9、L8等车型量产交付。原文未说明本次融资的具体原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
应用材料联合台积电、英特尔等五大厂商在加州建立耗资50亿美元的EPIC研发中心。该中心整合材料、设备与工艺研发，旨在加速先进半导体技术商业化，特别是AI领域。
长期利好半导体设备与材料需求，但短期对现货价格无直接影响。
Gaon Cable 于 2026 年 10 月 12 日与美国 AI 数据中心签署价值 1.5 亿美元（约合 2000 亿韩元）的母线槽供应合同，交付计划贯穿 2027 年，项目为 250 MW 级 AI 数据中心；公司亦正就规模为当前项目两到三倍的额外项目进行洽谈。
大港股份拟2亿元挂牌转让苏州科阳16%股权。
据三位了解该交易的知情人士透露，英伟达计划投资成立7年、主打面向人工智能的服务器芯片研发的d-Matrix，该笔投资为拟议状态。报道称此举是英伟达推进的一项举措：推动自家技术与竞品芯片设计商实现兼容，把对手纳入自己占据主导地位的硬件生态。这也是自去年12月与Groq签署200亿美元技术授权协议之后，英伟达首次对一家AI推理芯片初创企业开展交易。此前过去12个月，英伟达已对英特尔、博通完成数十亿美元规模的入股。《The Information》此前报道，d-Matrix当时正寻求新一轮融资，目标投后估值50亿美元，目前尚不确定英伟达的这笔资金是否会纳入本轮融资；d-Matrix上一轮融资发生在2025年11月，募资2.75亿美元，投后估值20亿美元。该公司已于今年夏天完成第一代芯片量产，目前正在测试第二代芯片。另据知情人士，美国司法部正在调查英伟达设计Groq这笔交易的方式是否意在规避司法部针对该交易对芯片市场影响开展的正式调查，该消息最早由《纽约时报》报道。
据三位知情人士透露，英伟达计划投资d-Matrix，目前为拟议投资。d-Matrix是一家成立七年的企业，研发AI服务器芯片，本身就是英伟达的竞争对手。这笔拟议投资是英伟达推动自身技术与竞品芯片设计商兼容、将其纳入自身主导硬件生态的举措之一；尽管近期英伟达在几乎所有对手面前都扩大了市场份额。这也是英伟达自去年12月与Groq达成200亿美元授权协议后，首次投资AI推理芯片初创企业，说明英伟达不会只押注一家这类公司。原文未披露投资金额。
三星代工可能将为Anthropic制造AI ASIC，采用SF2 2纳米节点，初期产量约20万颗，由博通负责设计，目标算力约4000 TOPS INT8，功耗1300W，配备192GB或288GB HBM3E，采用I-Cube 2.5D封装，目前在韩国生产，德州泰勒将建新厂。
据2026年10月7日报道，Navitas Semiconductor已完成对面向AI数据中心的集成电压调节器（IVR）开发商Claros的收购。此次收购将最靠近处理器的末级电源转换环节加入Navitas的GaN和SiC产品组合。Claros的技术将功率晶体管、数字控制、电感和电容集成到单一IVR技术堆栈中，用于封装式和嵌入式两个IVR产品系列，面向电源转换在处理器附近进行的垂直和嵌入式供电架构；据Navitas称，这带来更高效率、更快瞬态响应和更高功率密度。结合其用于800 V DC架构的氮化镓和高压碳化硅技术，Navitas表示现在可以覆盖从电网到处理器的整个电源链。Navitas预计此次收购将在2030年前为其可服务潜在市场增加至少35亿美元，使总规模超过80亿美元，其中包括用于GaN和SiC的35亿美元以及来自新JFET技术的约10亿美元（此为预期，非已实现结果）。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |