Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
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Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能功率与传感技术公司onsemi表示，其最新的EliteSiC碳化硅(SiC)混合功率模块技术已被可再生能源技术公司Sungrow采用，用于其PowerTitan 3.0储能平台。该集成可提升公用事业级电池储能系统(BESS)的效率并增强系统性能。原文未说明原因（未给出采用背景之外的额外动因）。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
这是一篇以ローム为主体的背景解析类报道，主题为第5世代SiC的狙い（意图/瞄准点）以及车载模块改良的幕后情况，正文显示该文为分页文章（1/2页面）。文中未给出具体的价格变动、产能数字、时间表或供需数据，本条目不构成价格或供给层面的实质性事件。
扬杰科技公告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为11.68亿元-13.63亿元，同比增长20%-40%，该数字为业绩预测而非已实现结果。公司称业绩变动主要系功率半导体行业景气度上行，公司紧抓AI服务器、新能源汽车、光储等领域需求爆发机遇，营业收入同比增长超30%，其中汽车业务和SiC业务收入同比均增长超100%，带动业绩稳健增长。
Navitas Semiconductor起诉Renesas Electronics专利侵权。涉及GaN和SiC功率IC技术，案件在美国德克萨斯东区联邦法院提起。
专利纠纷可能影响双方股价及未来技术授权合作。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN/SiC产品专利。Navitas否认侵权，称产品未侵犯其权利。
双方专利战或影响GaN/SiC市场格局。
Wolfspeed任命Daniel Whalen为投资者关系副总裁。该任命旨在加强公司与金融界的互动，以推进其长期战略和运营优先事项。
此人事变动属于公司治理层面的调整，目前尚无明确的供需或价格影响信号。
Navitas半导体任命半导体老兵Davin Lee进入董事会，加入薪酬委员会和治理与可持续发展委员会。此举属于公司治理层面的常规人事变动。
该事件对短期供需及价格无直接影响。
TANAKA PRECIOUS METAL TECHNOLOGIES将于2026年5月在马来西亚展示银烧结浆料、键合线等贵金属材料及回收技术。公司强调在东南亚50年的制造经验，旨在通过循环经济支持下一代半导体应用。
此次参展主要展示现有技术路线与循环经济布局，对短期供需无直接影响。
Wolfspeed任命原田泰久为亚太区总裁，6月1日生效，负责日韩及东盟市场。此举为常规人事任命，旨在推动区域营收增长与客户关系。
对SiC材料及器件的供应、需求及价格无直接影响。
分析师建议申购珂玛与斯达转债。珂玛转债票息13.5%且转股价值101.47，主要应用于半导体设备先进陶瓷零部件；斯达转债票息11.5%且转股价值95.36，主营IGBT与SiC功率半导体。该申购建议对正股构成利多。
Wolfspeed任命Stefan Steyerl为EMEA地区销售副总裁，3月1日生效。此举旨在推动碳化硅解决方案在汽车、工业和能源市场的采用，以加速区域营收增长。
此为常规人事任命，不直接改变碳化硅元件的供需或价格，对交易无即时影响。
Wolfspeed任命Matthias Buchner为全球销售高级副总裁兼首席营销官，直接向首席执行官汇报。此次任命旨在加强公司的全球销售与市场战略执行。
高层人事变动未直接涉及产能、价格或供应调整，对当前交易无明确方向性指引。
Navitas Semiconductor任命Chris Allexandre为总裁兼首席执行官及董事会成员，9月1日生效。此为GaN与SiC功率芯片设计公司的一次常规管理层交接。
此次人事变动对元件供应、价格及产能无直接影响。
Wolfspeed任命Bret Zahn为汽车业务副总裁兼总经理。此举是该公司在战略性扩张进入汽车等高增长市场期间，持续加强其领导团队的一部分。
此项内部人事变动对SiC的供应、需求及价格无直接即时影响。
Wolfspeed任命前恩智浦和艾迈斯欧司朗高管Gregor van Issum为新任首席财务官，9月1日生效。此次任命是公司经过全面内外部候选人评审后的人事调整。
高管变动对碳化硅材料及器件的供应、需求和价格无直接影响。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |