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Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
1200-V SiC MOSFETs
SiC MOSFET1200Vtop-side coolingQDPAKpower density
来源：Electronic Design · 2026/10/16 · 查看原始来源
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