AI需求激增带动台湾存储器厂商从低谷走向转型，并推动存储器生态结构性转变
文章称，AI浪潮正引发从云端数据中心到边缘应用的存储器需求激增，这一需求激增不仅为相关供应链带来了可观红利，也正在推动整个存储器生态系统的根本性结构转变。文章将台湾存储器厂商描述为从低谷走向转型，但未给出具体厂商、产品、价格数据或时间节点，原文未说明具体量化影响。
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文章称，AI浪潮正引发从云端数据中心到边缘应用的存储器需求激增，这一需求激增不仅为相关供应链带来了可观红利，也正在推动整个存储器生态系统的根本性结构转变。文章将台湾存储器厂商描述为从低谷走向转型，但未给出具体厂商、产品、价格数据或时间节点，原文未说明具体量化影响。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。
TECO Electric & Machinery 正从以马达为主的制造商转型为提供整合式电力、能源、驱动系统与AI基础设施解决方案的平台型供应商。董事长 Morris Li 表示，人工智能正在加速全球对自主电力、微电网、虚拟电厂以及更快数据中心建设的需求。原文未说明转型完成时间或具体量化指标。
EPC表示，其100-V（100伏）GaN功率级适用于机器人、无人机及其他采用多轴电机驱动的系统。该内容为产品定位陈述，原文未提及价格变化、产能、日期或任何事件结果。
10月16日消息，零刻宣布 ME Pro（两盘位）龙芯版正式发售，搭载龙芯中科 2025 年推出的通用 8 核 SoC 龙芯 2K3000，基于自研龙架构，主频可达 2.2GHz，集成第二代自研 GPGPU 核心 LG200，支持 OpenGL 3.3、OpenCL 1.1，提供超 6 TOPS 的 AI 算力。售价 1815 元起：0GB+64GB（eMMC）1815 元，8GB DDR4+64GB（eMMC）2380 元，16GB DDR4+64GB（eMMC）2735 元。该 NAS 内置 64GB eMMC 系统存储，最高可扩展至 68TB 总容量，含 2 个 M.2 插槽（SSD1 为 M.2 2280 PCIe 3.0 x1 最高支持 4TB，SSD2 为 M.2 2280 SATA SSD 最高支持 4TB）和 2 个 3.5/2.5 英寸 SATA 机械硬盘插槽（单盘最高支持 30TB），接口包括 USB-A（5Gbps）×2、LAN 2.5GbE ×2、USB-C（5Gbps 数据 & 视频）×1、HDMI（4K 60Hz）×1 等。
中信证券研报称，EDA正从“工具”逐步进化为“智能体”，成为芯片设计全流程的Agent运行底座；Synopsys等EDA龙头进展密集，AI EDA已开始走向验证期。研报认为AI EDA带动EDA公司价值提升，带来商业模式、壁垒、需求三重升级；国产EDA推出AI提效工具，工程数据成为核心护城河。研报观点认为AI EDA正成为AI Agent落地的下一个重要方向，EDA价值有望重估。此为券商研报观点，非实际成交或产能变化数据。
全球AI竞赛的焦点已从确保先进芯片供应转向确保电力供应，电力成为算力的决定性因素。随着AI数据中心(AIDC)电力消耗激增，传统公共电网日益面临瓶颈，自发电和提升电网韧性现已成为全球主要数据中心建设项目的要求。原文未涉及具体价格、公司或产品信息。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
快科技10月16日消息，《时代》杂志当天正式公布2026年度最佳发明榜单，苹果史上首款折叠屏手机iPhone Duo成功入选。据《时代》梳理，入选依托四项工程突破：基于自研芯片的全新显示引擎可同时驱动内屏与外屏；为折叠形态重新设计的iOS交互，控件移至更靠近拇指的右侧；内屏采用定制聚合物纳米纹理表层以减少眩光并淡化折痕；机身框架与铰链护壳采用5级钛金属。《时代》特别提到，铰链由100多个微型精密组件与碳纤维支撑板构成，可在展开时为屏幕中央提供平整支撑，早期体验者几乎察觉不到明显折痕。iPhone Duo采用内折设计，展开为7.6英寸超视网膜XDR内屏，显示面积较iPhone 18 Pro Max增大50%，闭合为5.4英寸外屏，面积约相当于iPhone 18 Pro的90%，均支持ProMotion自适应刷新率、全天候显示与最高3000尼特户外峰值亮度；身份验证为侧边按钮内整合的触控ID，内屏下方隐藏FaceTime摄像头。文中还提到，特努斯早在2011年便与其他五名苹果工程师提交过折叠电子设备专利申请，苹果此后选择观望先行厂商方案直到材料与铰链方案成熟。原文未说明该入选事件对供应链或价格的影响。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
应用材料(Applied Materials)CEO Gary Dickerson在全球投资者会议上表示，在AI计算兴起的推动下，客户对提高每片晶圆良品芯片(dies)产出以及快速扩大晶圆产能的需求达到了其职业生涯中前所未有的水平。他表示公司预计相关业务收入在未来几年将增长超过20%。此为CEO对公司业务的前瞻性预期，属于规划/预测性质，并非已实现的结果。
2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，为2012年以来最低的三季度水平。原文明确说明原因是持续的DRAM和NAND短缺推高了生产成本、限制了供应并削弱了需求。三星以23%的市场份额领先，苹果则创下22%的历史最高三季度份额，显示高端与价格敏感细分市场之间的差距进一步扩大。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
三星电子于10月12日在加利福尼亚举行的开放计算项目（OCP）全球峰会上公布其下一代内存战略，三星DS部门内存业务AE团队副总裁Shim Ho-joon提出速度、可扩展性和持久性三大战略重点。原文给出的原因是：随着AI模型增长，其需处理的数据量不断增加，Shim表示内存容量扩展和数据存储技术正变得与内存带宽同等重要。三星计划通过第八代高带宽内存（HBM5）、定制HBM、zHBM和处理内存（PIM）技术提升数据处理速度与计算效率；利用CMM-D和基于CXL的技术扩展AI系统内存容量并提升数据管理效率；下一代SSD、QLC技术和FDP将增加AI数据存储容量并改善管理效率。上述均为计划内容，属于战略公布而非已实现的结果。此外，三星展示了与Nvidia合作的成果，展出Groq晶圆（Nvidia的语言处理单元LPU）和Groq 3 LPX系统，其代工业务使用4纳米工艺制造Groq芯片；三星还与AMD联合演示了基于CXL的内存扩展解决方案，双方正与全球客户在产品开发早期阶段合作设计并扩大技术验证。
海关总署副署长王军在国新办新闻发布会上表示，我国依托完整产业体系和科技创新能力，为应对全球算力和电力需求增长提供坚实支撑。算力方面，前三季度我国出口集成电路增长99.1%，电脑零、附件增长2.1倍，固态硬盘等存储部件增长1.3倍，保障了全球算力产业链中间产品的稳定供应；出口服务器等数据处理设备增长7.2%，助力全球算力基础设施建设。电力方面，前三季度产品出口多点发力：智能领域出口光伏产品增长10.3%，风力发电机组及其零件增长22.4%；输能领域出口电线、电缆增长28.1%，变压器增长22.5%；储能领域出口各类蓄电池增长34.8%，远销全球200多个国家和地区。原文未说明上述出口增长的进一步原因，仅归因于全球算力和电力需求增长。
据Blocks & Files于2026年10月13日（周二）报道，铠侠已为其PCIe gen 5 CM9数据中心SSD推出直接液冷版本CM9-DLC，使客户可在热机架机箱内使用该盘而不发生热节流。CM9-DLC产品支持冷板直接液冷，同时也支持风冷，通过液冷金属外壳接触设备顶面或两侧进行冷却，采用E3.S形态。铠侠美国SSB业务单元产品管理高级总监Maulik Sompura表示，AI基础设施的兴起正推动数据中心设计向更高功率密度和先进冷却技术转变。部署液冷CM9-DLC需要系统制造商匹配主机服务器的冷板/分液系统与冷却液回路并完成验证；铠侠未提供安装、热接触面或具体冷板兼容性等信息，仅表示该盘“支持冷板服务器设计”，并建议系统制造商确保服务器机箱符合SFF-TA-1008 rev. 3.0a等规范。液冷CM9的性能数字与风冷CM9相同。CM9系列目前正向选定客户送样，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的2026 OCP全球峰会上展示。此前铠侠已于今年早些时候为CM10系列SSD提供液冷支持。
英飞凌科技股份公司面向服务器ODM和OEM推出27 kW三相电源单元（PSU）解决方案，以应对AI工作负载推动数据中心向800 VDC或±400 VDC供电架构的转变。该参考设计满足OCP Open Rack V3（ORV3）规范及AI服务器机架架构要求。设计整合了英飞凌650V CoolSiC和CoolMOS MOSFET、EiceDRIVER栅极驱动器、XENSIV电流传感器及PSOC微控制器；在480 VAC输入电压、50%负载下实现超过98%的峰值效率；采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器，功率密度达116 W/in³（ORV3最低要求为94 W/in³）；集成能量缓冲器可在电网短暂扰动时提供20毫秒保持时间；支持311至528 VAC三相输入电压范围，在大部分负载工作范围内功率因数高于0.99，工作环境温度为-5°C至45°C。公司背景：截至2025年9月底全球员工约57,000人，2025财年（截至9月30日）营收约147亿欧元。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
宏芯宇电子已递表港股，据其招股书披露，公司是中国最大的未上市独立存储器厂商，产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘、DRAM、移动存储、存储颗粒，客户包括小米、传音、OPPO、vivo、TCL、小度。财务方面，2023年公司录得净亏损1.17亿元；2025年实现收入112.38亿元，净利润13.64亿元，净利率约12.1%，净利润较2024年的4.83亿元增长182.5%；2026年前4个月净利率接近48%，净利润同比增幅超过3000%。研发开支2023年为2.83亿元，2024年增至3.92亿元，2025年全年达4.93亿元，三年累计约11.68亿元。行业背景方面，2025年AI算力引爆存储"超级周期"，国际巨头纷纷宣布提价，进入2026年涨价浪潮愈演愈烈；供给端国际原厂将产能转向HBM、DDR5等高利润产品，传统DRAM与NAND供应收缩，价格指数自2025年中后期开始显著攀升。文章还指出宏芯宇在招股书中如实披露了备货带来的现金流压力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |