AI数据中心增长，SiC和GaN需求看涨
ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
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SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
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ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
推理占大多数数据中心AI工作负载，但与训练不同，它需要低延迟和可预测性。现有训练芯片侧重于峰值FLOPS，可能无法满足推理的严格限制。
这种转变凸显了对专门为推理设计的芯片的需求。
Advantest和Teradyne主导全球市场，但HBM4订单及中国供应商崛起正在重塑格局。中国厂商如TBSTest已获超300套系统订单，并计划2026年占据中国ATE市场近15%份额，挑战80%的进口依赖。HBM4复杂度的提升推动测试需求，Digital Frontier与UniTest合计获得超2800亿韩元订单。
微软正通过底层架构优化降低Windows 11内存占用，以应对内存成本上涨。此举旨在延长8GB配置PC的使用寿命，减少用户对更高内存容量的升级需求。
内存需求，预计将抑制DRAM价格进一步上涨。
Steam调查数据显示32GB内存占比升至42.22%，首次超越16GB。这一转变由AI应用及大型游戏推动。
DRAM厂商长期需求，但短期现货价格波动不明显。
Valve 2026年硬件调查显示，32GB内存装机量首次超越16GB，占比达42.22%。16GB占比则降至37.82%，单月降幅达3.38个百分点。
32GB内存需求，利空16GB市场，预示着消费级DRAM升级趋势加速。
SK海力士提出构建下一代AI内存生态愿景。随着AI从训练转向推理，数据移动效率成为瓶颈，架构正从处理器中心向内存中心转变。
该战略定位强化了HBM及高速内存在AI基础设施中的核心地位，长期需求前景向好。
Broadcom在TSMC OIP 2026论坛强调ASIC战略优势，重点布局IP与生态整合。公司认为需在客户需求前解决未来工程难题。
ASIC市场长期战略动向。
英伟达下一代Rubin Ultra的HBM层数或从16层砍至8层，同时HBF闪存凭借低成本高容量优势试图分食市场。文章指出受限于工艺良率和散热，单纯堆叠HBM难度增加，而HBF虽延迟高但适合非高频数据。
混合存储架构或成远期解，存力产业链话语权面临重构。
TSMC北美CEO Sajiv Dalal宣布今年AI基础设施支出达1万亿美元，预计未来几年将大幅增长。这一数据印证了AI向边缘端及各行业渗透，推动对先进制程、Chiplet及HBM等技术的需求。
巨额资本开支将强化先进封装与HBM产能紧缺预期，利好相关供应链。
知名投资者迈克尔·伯里增持美光等股票空头头寸，认为传统内存供应紧张源于厂商转向HBM，随着产能恢复，价格将承压。
预计传统内存价格下行。
SK海力士举办2026全球论坛，分享AI时代技术愿景与未来战略。活动聚焦AI驱动内存解决方案，但未披露具体产能或价格数据。
缺乏具体交易数据，暂无明确供需影响。
Yole预测2031年半导体收入将达2.4万亿美元，增长主要由价格上涨驱动而非销量提升。该报告指出AI建设的关键变量是定价能力而非产能。
三星电子为应对美光与闪迪的挖角，正提高绩效奖金及扩大股权奖励，以留住HBM与NAND闪存核心人才。半导体竞争主战场已转向人才争夺，能否抢到关键人才决定下一代存储器市场胜负。
三星薪酬成本上涨对利润率的潜在挤压，以及核心人才流失对产能的潜在风险。
Yole预测数据中心半导体市场2031年将超1.5万亿美元，Capex达1.8万亿美元。AI性能销售重心转向机架级，HBM、先进封装及功率器件成为核心驱动力。
HBM与功率器件需求激增，推动相关供应链价值重估。
Avnet Americas 总裁 Dayna Badhorn 指出需求再次超过供应，强调采购团队需提升预测准确性与供应链透明度。此言论反映了电子行业周期性波动及供应链管理的紧迫性。
该观点虽指出供需紧张，但缺乏具体价格或库存数据，对交易决策指引有限。
TrendForce数据显示，2Q26全球前十大晶圆代工厂营收近535亿美元，环比增长11.5%。AI与HPC需求强劲，且需求正从先进制程向成熟制程蔓延。
强劲需求预示着产能紧张及价格上行压力。
DIGITIMES分析师Luke Lin指出混合键合技术将在2026年台湾半导体展上备受关注，并成为2027至2028年先进封装产能扩张的关键驱动力。随着SoIC、CoWoS、HBM5及EMIB-T等技术的演进，行业正聚焦于下一代封装工艺。
先进封装产能规划变化，长期可能影响相关芯片供应格局。
中芯国际（CXMT）涉嫌通过“合肥项目”窃取三星620步DRAM工艺配方，以此建立10%全球市场份额。该计划涉及挖角三星工程师及2016年至2018年的生产时间表，韩国法院已对此展开调查。
此案件揭示了供应链知识产权风险，并可能影响DRAM市场的竞争格局与产能分布。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |