中钨高新：子公司株硬公司拟投1.31亿元实施PCB钻针棒提质增效项目
中钨高新公告，全资子公司株洲硬质合金集团拟实施PCB钻针棒提质增效技术改造项目，预计总投资1.31亿元，建设期10个月，为拟实施状态、尚未建成。项目将新增年产2000万支PCB钻针棒产能，旨在提升中大规格产品供给能力，巩固公司PCB刀具全产业链龙头地位。资金来源为中钨高新增资1.2亿元，剩余由株硬公司自筹。
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中钨高新公告，全资子公司株洲硬质合金集团拟实施PCB钻针棒提质增效技术改造项目，预计总投资1.31亿元，建设期10个月，为拟实施状态、尚未建成。项目将新增年产2000万支PCB钻针棒产能，旨在提升中大规格产品供给能力，巩固公司PCB刀具全产业链龙头地位。资金来源为中钨高新增资1.2亿元，剩余由株硬公司自筹。
TrendForce指出，美光计划于2027年开始量产其1-delta（1δ）nm工艺，该工艺将接替其当前主流的1-gamma（1γ）nm工艺。在此转型之外，美光打算继续扩展其6F²架构，然后直接转向3D DRAM，跳过中间的4F²架构；相比之下，韩国和中国的DRAM制造商仍计划采用4F²架构，凸显主要供应商在工艺技术路线图上的分歧日益扩大。美光还在开发针对AI解决方案优化的内存方案，包括vHBM和vEIM，以与SK海力士的3D HBM和三星的zHBM竞争。在NAND闪存方面，美光正准备于2027年下半年（2H27）爬坡量产其G11世代；通过采用晶圆键合并堆叠超过400层，G11预计可提供两倍于G9的位元密度，并目标实现1.5倍的I/O速度提升。TrendForce认为这些进展将使美光缩小与铠侠（Kioxia）和长江存储（YMTC）的技术差距——这两者是混合键合架构的早期采用者——并在NAND性能对AI驱动的市场日益关键的背景下增强其竞争地位。上述均为计划或预期，尚未量产实现。
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
据行业消息人士10月21日称，LS Electric正寻求在美国和东南亚等海外市场扩大其半导体工厂自动化业务。多年来，该公司一直试图进入用于在半导体工厂内搬运物料的空中走行式无人搬运车（OHT）系统的控制系统和驱动部件市场，尽管其提供运动控制器、伺服驱动器和电机，但其在国内的供应实绩仍然有限。日本企业长期主导OHT设备与控制部件市场：Daifuku和Murata Machinery在成套OHT系统上占据先发地位，三菱电机等供应商以专有通信协议提供控制系统和驱动部件，使替换整套现有系统的门槛很高；韩国方面，三星电子子公司SEMES在2010年代成功开发国产OHT设备，随后有SFA和MX Robotics（前身SMCore）等公司。行业人士称，半导体厂商在下达设备订单时常指定关键OHT部件供应商，在韩国主要使用三菱电机产品，欧洲也使用西门子产品。据市场研究机构QY Research，全球半导体自动物料搬运系统（AMHS）市场预计将从2025年的37.09亿美元增长到2032年的59.88亿美元，同期OHT在整体市场中的份额预计从46.86%升至48.91%。LS Electric表示，正寻求在国内外半导体公司于美国和东南亚建设新工厂时供应成套可靠自动化产品，并先在汽车和电池产线领域积累实绩、验证其自动化控制技术的可靠性。
特斯拉透露其第三代人形机器人Optimus（擎天柱）已做好大规模量产准备。业内专家表示，作为特斯拉重点布局的长期增长方向，Optimus若顺利进入量产爬坡阶段，有望拉动我国执行器、减速器、传感器等零部件需求释放，不少上游厂商已提前筹备产能。同时，硬件可靠性、物理AI算法泛化能力、成本控制、行业合规标准及数据闭环建设仍是人形机器人产业发展的核心约束。量产尚未实际落地，属于量产准备就绪、爬坡待实现状态。
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
据来源，三星电子预计到2027年其规划存储产能的约80%将通过长期合同获得锁定，从而强化其定价地位；该数字为预期状态，并非已实现的结果。同期，中国的长鑫存储(CXMT)正在扩大产能，并吸引寻求替代DRAM供应商的美国科技公司的关注。来源标题还提及三星的HBM4供应锁定以及苹果和特斯拉寻求DRAM替代方案。原文未说明原因。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
台积电于10月15日公布3Q26财务业绩：营收达467.2亿美元，同比增长41.2%、环比增长16.2%；毛利率为66.4%（环比下滑1.3个百分点，主要因2nm量产初期爬坡带来的稀释），净利润同比增长68.7%至新台币7,630.6亿元，EPS为新台币29.43元，实现连续第六个季度获利创新高。2nm制程在量产首季即占晶圆营收8%，较上季的3%接近 triple；3nm占比33%为最大营收来源，5nm占28%，7nm占10%，7nm及更先进制程合计占晶圆营收79%。存货天数环比减少5天至82天，2nm初期爬坡期间累积的库存开始被消化。3Q26资本支出为138.4亿美元，今年前三季累计支出406.4亿美元。平台方面，HPC占营收68%（环比增22%），智能型手机占21%（环比增10%），汽车电子占4%（环比增23%），IoT占4%（环比增5%），消费电子占1%（环比减12%）。北美客户占营收79%（环比增1个百分点），亚太占10%，中国占5%，日本与EMEA各占3%。董事长兼CEO魏哲家表示，预计2026年全年美元营收增长约44%（此为预测值），2nm于新竹与高雄厂区持续爬坡，2027年2nm年产能预计倍增以上，全球近25座 fab 并行推进。
日本计划向GlobalFoundries投资最高210亿美元，在纽约州马耳他地区建设两座300mm半导体晶圆厂。首笔约100亿美元投资将用于加速第一座300mm晶圆厂的建设，该厂预计将在2029年投产，年产能约90万片300mm晶圆；第二座厂需再投约100亿美元，产能相当。两座厂合计将显著提升美国半导体制造能力，并预计创造约2.7万名建设及生态链岗位以及超过1000名高技术制造岗位。此举是日本向美国投资5500亿美元协议的一部分，作为回报，美国将对日本汽车等进口的关税从至少25%降至15%。目前该投资仍处于规划阶段。
台积电正在考虑将美国制造布局扩展到德州，原因是美国客户需求增长促使公司评估亚利桑那之外的新增产能。在2026年10月15日的台积电2026年第三季度财报电话会议上，董事长兼CEO魏哲家表示公司已派团队赴德州评估潜在扩建的条件；他指出台积电拥有庞大的美国客户群，客户敦促公司扩大在美国的制造布局，并将美国政府的支持列为考量进一步投资的因素之一，德州已成为评估中的地点之一。关于Terafab，魏哲家确认公司正在就该项目进行讨论，但结果仍不确定，并强调任何涉及台积电的晶圆厂都必须由台积电自己运营。此前10月7日马斯克立场不同：据路透社报道，马斯克称他的公司将建造并运营Terafab，台积电可能转租部分设施但不承担运营角色，双方合作结构仍不确定。另据路透社援引彭博社报道，英特尔CEO陈立武表示英特尔将继续参与Terafab项目。台积电还预计海外晶圆厂带来的毛利率稀释在2026年接近2个百分点，未来几年随着更多海外晶圆厂投产将扩大到3-4个百分点；公司全球拥有近20座晶圆厂，其中13座在台湾，约5至6座海外晶圆厂在建设中。为支撑N3节点的持续需求，台积南科新厂将于2027年上半年开始量产，并决定在台南再增建一座晶圆厂，定于2028年上半年量产；亚利桑那第二座晶圆厂建设已完成、设备安装进行中，预计2027年第三季度开始量产、略早于计划；台积电还计划2028年在日本第二座晶圆厂开始3nm量产。
TOK公司10月8日宣布在福岛县小郡山工厂新建设施并计划进一步扩建，以增加光刻胶产能。此次扩产主要受AI芯片需求激增驱动，旨在巩固其在全球半导体材料市场的地位。
光刻胶产能增加将缓解供应紧张局面，对现货价格构成下行压力。
SK集团会长崔泰源计划加速光州半导体集群建设，即便水电供应延迟也准备先行进行打桩作业。该项目面临美军设施迁回这一最大变量，且政府正努力推动机场军事功能提前转移。
产能扩张计划将增加未来供应，对价格构成下行压力。
TDK 扩展 MLJ1608-G 系列多层电感用于汽车电源同轴（PoC）电路，2026 年 10 月开始量产，该产品在 100–700 MHz 频段提供比传统元件高 1.7 至 2 倍的阻抗，最高阻抗可达 2 GHz，尺寸为 1608。
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
特斯拉Optimus扩产遇阻，周产仅数百台。受手部结构复杂及供应链一致性问题影响，量产爬坡缓慢。
精密电机、传感器及关节传动部件的短期需求预期下调。
Gritek计划收购剩余股权以全面控制合资企业。此举旨在加强其在中国大直径硅晶圆市场的地位。
供应链整合动向。
索尼与台积电计划投资1万亿日元在熊本量产下一代图像传感器。合资企业持股比例60:40，目标供应苹果及物理AI领域。
未来产能释放对现货价格的影响。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。