布局物理 AI：美光研发边缘推理内存 EIM，降低数据处理延迟并提高带宽
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
- 相关厂商
- Micron
- 影响评分
- 0 / 100，低影响
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据TrendForce于2026年10月17日发布的消息，CXMT正在加速推进4F² DRAM，目标于年底推出服务器DDR5 RDIMM。原文仅为标题式简讯，未说明技术细节、产能数字、进展程度或原因，该年底发布计划能否实现尚不确定，属计划而非已实现事件。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
应用材料（Applied Materials）表示将增加在研发、制造及全球供应链方面的投资，以在2030年前争取更大的市场份额和盈利能力。该公司预计，先进逻辑、DRAM和先进封装将在2025年至2030年间贡献约75%的晶圆制造设备（WFE）市场增长。到2030年，公司目标为额外获得超过2个百分点的WFE市场份额，以及约54%的非GAAP毛利率和约40%的非GAAP营业利润率。以上均为公司目标与预期，而非已实现结果。
台积电在第三季度净利润创新高后，管理层预估2026年第四季度营收介于523亿至543亿美元之间，同比增长约58%，环比增长约14%。基于1美元兑31.8新台币的汇率假设，台积电预测毛利率为65%–67%、营业利益率为56.5%–56.8%，并指出2nm量产加速将令利润率承压。尽管近期利润率承压，CEO魏哲家对先进制程需求表达乐观，台积电现预计2026年全年美元口径营收增长约44%，较此前约40%的展望上调。台积电重申2026年资本支出指引为600亿至640亿美元，并重申计划在2026–2028年支出显著高于此前三年，以扩大产能满足长期需求；其将增长动力归因于AI，包括新兴的代理式AI（agentic AI）应用。第三季度中，2nm占晶圆营收比重由2Q26的3%升至8%，3nm占33%，5nm占28%，7nm占10%，先进制程（7nm及以下）合计占79%；高效能运算（HPC）平台营收环比大增22%，占第三季度营收68%，智能手机占21%，汽车与物联网各占4%。
据2026年10月14日报道，Kontron已开始在位于美国阿拉巴马州亨茨维尔的子公司Nextek生产其加固型VX307H计算板，同时该产品从按订单生产转向按库存生产，以缩短对美国防务客户的交货时间。VX307H是Kontron在美国扩大VPX制造的首个产品，VX3060和VX30101计划随后跟进。Nextek负责从PCB组装到最终组装和测试的完整生产链，该设施通过AS9100和ISO 9001认证，已注册ITAR并遵循IPC工艺标准。公司发言人表示，防务客户要求更强的供应链韧性、更快的可用性和更近的支持渠道，将VX307H生产带到美国正是为满足这些需求。VX307H为基于Intel Xeon D-2700/2800处理器的3U VPX平台，符合SOSA标准设计。
长鑫存储计划于2026年底实现下一代4F² DRAM的量产，可能领先于韩国竞争对手三星电子和SK海力士。该消息引发了市场对存储技术正接近或超越韩国能力的猜测，同时使长鑫存储有望提前进入新兴的3D DRAM市场。上述为计划状态，量产尚未实现。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
南亚科技表示，受 AI 为 DRAM 行业带来的结构性变化以及项目建设、半导体制造设备交付延期导致新产能装机投运速度放慢的影响，当前 DRAM 紧缺态势将持续到 2028 年初。目前其 50%~70% 产能被 1~3 年的长期协议（LTA）占据，其中 3 年期 LTA 可能超过总产能的 20%。公司计划根据客户需求提升 LTA 比例，并与客户合作将 LTA 扩展为更长期、更具体的供货保障。此外，南亚科技目标到 2029~2030 年将人工智能基础设施业务在营收中的占比提升至 40% 乃至 50% 以上。
GlobalFoundries 于 10 月 9 日举行 SPRINT 扩建项目的封顶仪式，标志其在德累斯顿的 11 亿欧元扩建达到里程碑。扩建预计将使厂区年产能提升至超过 100 万片 300 毫米晶圆，目标时间为 2028 年底；目前德累斯顿年产能最高可达 95 万片，扩建后将增加约 5% 的产能。施工已按计划且在预算内完成，项目获得欧盟、德国联邦政府和萨克森自由州在欧洲芯片法案下的支持。
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
GlobalFoundries将根据协议为台积电CoWoS封装生态建立美国本土硅中介层供应，由GF为台积电提供制造服务，并在其纽约Malta工厂增加制造产能，以支持对高性能计算和AI系统不断增长的需求。GF预计扩大Malta工厂产能，并建立首个支持先进封装技术（包括嵌入式深沟槽电容组件）的美国本土硅中介层来源。批量生产预计于2028年上半年开始在GF Malta工厂爬坡。协议初始期限为五年，并为未来产能扩张提供框架。
美光CEO Mehrotra预计2027和2028财年供需将比2026年更紧张。此前美光预期2028年供应改善，但新产能（如爱达荷、日本及清州工厂）预计2028年底才上线。
供需缺口扩大将支撑存储价格。
美光2026财年Q4营收利润超预期，宣布在台湾四基地扩大HBM产能。公司预计2027-2028年供应将比2026年更紧张，AI需求强劲驱动。
HBM价格，产能扩张旨在应对AI需求。
三星电子加速推进10nm以下DRAM量产，转向D0a节点并采用混合键合技术。此举旨在提升产能与生产效率，以应对未来市场需求。
产能扩张预期将增加市场供应，压制现货价格。
三星与SK海力士将更多产能转向HBM，导致DRAM供应收紧。这一结构性调整挤压了传统DRAM的供应，使CXMT获得扩张机会。
DRAM价格及CXMT市场份额。
SK海力士在加州举办2026全球论坛，宣布扩建印第安纳Fab等新产能以应对AI需求。CEO Kwak强调AI行业对内存依赖度极高，公司正通过全球研发与生产基地布局巩固技术优势。
长期AI内存需求强劲；利空：新增产能可能带来未来价格下行压力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |