NuAxi半导体贸易情报
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CXMT计划2026年底量产4F² DRAM，或领先于三星电子与SK海力士
长鑫存储计划于2026年底实现下一代4F² DRAM的量产，可能领先于韩国竞争对手三星电子和SK海力士。该消息引发了市场对存储技术正接近或超越韩国能力的猜测，同时使长鑫存储有望提前进入新兴的3D DRAM市场。上述为计划状态，量产尚未实现。
4F² DRAM
DRAMCXMT4F²3D DRAMmass production plan
来源：DigiTimes Asia · 2026/10/13 · 查看原始来源
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