SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
LED封装厂商Brightek Optoelectronic受成熟制程逻辑IC供应吃紧影响，面临满足日益增长的车用订单的困难；原文将供应紧张归因于代工厂优先生产利润率更高的存储器产品。Brightek预计随着南通厂开幕及出货增加，其车用营收占比将由约50%提升至超过60%；第三季度2026年毛利率预计回升至30%（该毛利率与营收占比均为公司预期，非已实现结果）。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道，在传出RTX 5090生产将停止的传闻后，英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示："供应链（产能）确实有些受限，但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止，英伟达将继续出货"，并称尽管存在RTX 5090（芯片）的其他变体。此前有传闻称，在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后，已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止，可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况：亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售；Newegg listings 5090s约7,300美元（据判断可能来自中国卖家，且美国关税可能进一步推高价格）；Best Buy无货；截至发稿，该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复，相关说法均属"据称/传闻"性质，生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外，传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
因全球对AI基础设施硬件的强劲需求，买方正通过预付款和长期合同锁定产能，推动台湾半导体、封装测试、存储器、基板及设备供应链积极扩产。台湾民间投资预计于2026年达到创纪录的6.9539万亿新台币（约合2154亿美元），企业将兴建厂房、采购设备、进口原材料并招聘员工以满足客户需求。该数字为预测值而非已实现结果，原文未说明价格影响。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道，SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式，向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称，SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金，并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域（厂区名Mod B，2023年建成，因当时存储市场低迷设备安装未完成）安装更多设备用于生产NAND闪存；该区域目前已安装部分设备，仍有空间容纳更多生产工具，Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行，同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能；Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂，纽约州北部为主要候选地点之一；另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂；人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨，促使相关厂商考虑扩大生产。此外，SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间，并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和科磊（KLA）等美国厂商。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
美光科技于10月15日在台中开设美光先进封装与测试台湾二厂（AATT2），这是该公司在台湾的第二个先进封装与测试设施。该厂扩大了公司的高带宽内存（HBM）封装与测试产能，背景是AI需求增长、HBM供应趋紧。原文未说明具体新增产能数量。
据报道，SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排，希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提；此安排尚需美国批准，尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地，该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品，现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成，但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装，仍有扩产空余空间；SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置，设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称，增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应；新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资，路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂，纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性，募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示，随着AI数据中心需求激增、供应趋紧，NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因；公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
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全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |