台积电考虑得州扩产并与马斯克洽谈使用Terafab
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
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摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
October 15, 2026, Dutch specialty foundry XIVER has acquired an ASML PAS 5500 DUV lithography tool for its Eindhoven foundry, with the tool expected to be operational in 2027. The DUV stepper will complement XIVER’s existing i-line lithography equipment, enabling finer and more precisely aligned structures, including double-sided wafer patterning and sub‑micron 3D micromachining. XIVER says it will be the only mid‑size pure‑play foundry offering in‑house DUV lithography. 原文未说明原因。XIVER was carved out of Philips at the High Tech Campus in Eindhoven and acquired by Dutch investors in early 2025. Since then, it has been expanding its manufacturing capabilities in line with its customers’ roadmaps and expected capacity needs.
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
三星电子加速推进10nm以下DRAM量产，转向D0a节点并采用混合键合技术。此举旨在提升产能与生产效率，以应对未来市场需求。
产能扩张预期将增加市场供应，压制现货价格。
台积电1.4nm A14制程已启动试产，良率评估顺利。若进展顺利，风险量产计划于2027年启动，2028年量产。
进度超前将巩固台积电在先进制程的领先优势。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
长鑫存储计划在北京建设第六座DRAM厂，产能将翻倍至60万片/月。该扩张计划依赖政府资金支持，旨在2030年夺取30%市场份额，但受限于先进制程设备获取。
产能大幅扩张将加剧DRAM市场供应过剩，压制价格。
TSMC将28nm月产能削减逾25%，从年初的20万片降至6月的15万片，Fab 15A正转型为4nm制造基地。此举旨在提升资本效率并引导客户转向12nm，导致部分客户转向联电和力积电。
成熟制程供应链，预计将引发价格上行压力及产能溢出效应。
NoPo扩大HiPco单壁碳纳米管产量，用于2nm以下芯片和电池负极。该材料是先进封装和电池的关键材料。
产能扩张可能增加供应，对相关材料价格构成压力。
ADI于3月在泰国春武里府开设新后端制造设施，将业务从单纯测试升级为包含晶圆级处理和CSP的集成生产。此举旨在加强其在全球制造网络中的战略地位。
供应链韧性提升；利空：后端服务价格可能承压。
联发科与高通已削减4nm晶圆投片量，同比降幅约15%。主因智能手机需求疲软及内存成本飙升，一季度内存报价同比涨四倍，导致手机BOM成本显著增加。
终端需求走弱，OEM采购预算受压，高端手机SoC面临需求下滑与潜在供应过剩风险。
台积电美国亚利桑那州Fab 21 P2厂预计2027年下半年量产3nm，P3/P4厂机电系统安装时间亦提前。美系客户因地缘考量已预订四座美厂产能，海外建厂效率正接近台湾水平。
长期产能地域多元化明确，但对当前现货价格无直接影响。
先进电子化学材料公司正扩大DUV光刻胶、先进封装及光学材料产能。此举旨在满足全球芯片制造商向3nm以下节点发展的需求。
关键晶圆厂材料供应能力提升，可能缓解短缺溢价并对价格构成下行压力。
三星代工利用率本季度飙升至80%，主要受HBM4需求驱动。随着Pyeongtaek P2/P3产线满产，4nm/5nm/7nm节点产能紧张。
HBM4及4nm/5nm逻辑芯片供应趋紧，价格承压。
华为正加速昇腾AI芯片生产，TSMC据报持续进行晶圆库生产，但HBM被确认为2025年的关键瓶颈。这凸显了在美国出口管制下，中国对计算主权的追求，涉及CXMT、中芯国际等本土企业。
HBM供应紧张与华为芯片产能爬坡的博弈。
已经到底了