Episil于10月7日举行法说会，表示碳化硅（SiC）产能利用率已从低点的30%快速回升至目前接近90%（原文未说明原因）。公司提出有条件的扩产计划：如果2027年6英寸订单需求持续上升，将通过8英寸生产增加产能。该计划为条件性规划，尚未实施。此前有观点质疑行业是否正进入新的晶圆尺寸转换、6英寸晶圆是否被淘汰。
博通与凸版合资企业AST于2026年9月29日在新加坡开设95,000平方米FC-BGA基板工厂。这是凸版集团在日本以外首家此类工厂，计划2026年底投产高价值产品。
新产能扩张将增加基板供应，预计未来价格承压。
台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。
CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
TSMC将28nm月产能削减逾25%，从年初的20万片降至6月的15万片，Fab 15A正转型为4nm制造基地。此举旨在提升资本效率并引导客户转向12nm，导致部分客户转向联电和力积电。
成熟制程供应链，预计将引发价格上行压力及产能溢出效应。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
Doosan Corp投资约1.2亿美元在泰国建设CCL生产基地，计划于2028年下半年量产，以应对AI数据中心带来的需求增长。
扩产预期增加未来供应，可能压制CCL价格。
SK海力士于4月22日动工建设P&T7先进封装测试工厂，总投资19万亿韩元，计划分阶段于2028年完工。该工厂专注于AI内存（包括HBM）生产，旨在巩固其市场领导地位。
此为长期产能扩张计划，旨在应对未来AI需求增长，对当前现货供应及价格无直接影响。
三星正与越南政府商讨建立IC测试工厂，计划分阶段投资约40亿美元。此举旨在东南亚建立继中国之后的第二个海外后端半导体基地。
长期产能扩张计划增加了后端供应地理多样性，但对当前组件供应与价格无直接影响。
三星美国泰勒厂2nm EUV光刻机调试已启动。蚀刻与沉积设备正分阶段导入，目标2027年全面投产。
产能扩张增加未来供应，可能压制先进制程价格。
三星电子宣布进军硅光子代工领域，计划从PIC扩展至CPO，调制器速率达224Gbps/通道。此举旨在解决AI数据中心数据传输瓶颈，并瞄准Coherent和Lumentum等客户。
新产能入局将加剧硅光子市场竞争，挤压现有代工厂商份额。
美光完成收购力积电视头份P5厂，获得约2.8万平方米300mm洁净室空间。该厂将作为台中厂区延伸，用于扩产先进DRAM及HBM产品以应对AI需求。
此为长期产能布局，预计2028财年方有显著产出，对近期现货市场无直接影响。
SKC宣布将超6000亿韩元增资额的半数投入玻璃基板子公司Absolics，并计划在美建设首座专用工厂。随着AI算力需求推动封装材料革新，SKC通过引入前Intel高管及双轨研发策略加速商业化。
SKC大规模扩产将增加玻璃基板市场供应，加剧行业竞争，对现有价格构成下行压力。
SK海力士宣布追加投资150亿美元，用于扩建其首座晶圆厂并建设龙仁半导体集群第2至6阶段的五个洁净室，使该厂总投资增至215亿美元。此举旨在提前锁定产能，以应对AI和HPC驱动的高性能半导体需求增长。
这一重大产能扩张计划（首间洁净室提前至2027年2月投产）预示着未来供应将增加，可能对中长期价格构成压力。
SK海力士宣布对其龙仁半导体集群的首座晶圆厂追加21.6万亿韩元设施投资，总投资额达31万亿韩元。此举旨在提前应对AI及高性能计算带来的结构性需求增长，首座洁净室投产时间亦从2027年5月提前至2月。
该大规模长期产能扩张计划增加了未来供应潜力，若需求增长不及预期，可能对存储芯片价格构成下行压力。
已经到底了