LG Innotek目标2028年供应玻璃基板，同时拓展智能手机以外的业务
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
- 相关厂商
- LG Innotek
- 影响评分
- 60 / 100，中等影响
LG Innotek计划于2028年左右开始为先进半导体封装供应玻璃基板，并预计其芯片基板业务将在2027年改善。该韩国零部件制造商此举旨在减少对智能手机相机模块的依赖并拓展汽车技术领域。此为计划/预期，并非已实现的结果。
因全球对AI基础设施硬件的强劲需求，买方正通过预付款和长期合同锁定产能，推动台湾半导体、封装测试、存储器、基板及设备供应链积极扩产。台湾民间投资预计于2026年达到创纪录的6.9539万亿新台币（约合2154亿美元），企业将兴建厂房、采购设备、进口原材料并招聘员工以满足客户需求。该数字为预测值而非已实现结果，原文未说明价格影响。
LG Innotek预计其半导体基板业务将在2027年改善。该公司正与大型科技公司洽谈长期供应协议(LTA),并准备进入高端AI加速器市场。根据该战略，公司计划在扩大产能之前先获得客户承诺，同时寻求将业务多元化、摆脱对智能手机相机模组的依赖。上述内容均为计划/预期状态，尚未构成已实施的产能扩张。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
据2026年10月15日报道，台积电CEO魏哲家强调公司具备5x光罩尺寸先进封装的量产能力且良率高，并称竞争对手尚未企及；他表示若包括Intel EMIB在内的对手封装供应商无法满足客户需求，台积电可以补位。台积电自身CoWoS产能受限，但仍加码先进封装；9x方案在开发中、14x在规划中。据Anue 8月报道，台积电先进封装技术暨服务副总经理何军表示，5.5x光罩尺寸CoWoS技术已进入大量生产，对多家AI客户良率超过98%，部分高达99%；CoWoS以每年一代的速度推进，预计到2029年扩展至14x光罩尺寸封装。另据报道，魏哲家预期下一代A14（1.4nm级）制程客户参与度更强、规模将大于N2，计划2027年进入风险试产、2028年进入大量生产；Intel正加速14A路线图，据报道CEO陈立武目标最早2027年第一季度风险试产，而Intel官方时间表较保守，内部14A产品规划于2027年下半年、2028年大量生产。据7月TechPowerUp援引KeyBanc的报道，Intel据报计划在内部制造即将推出的Nova Lake计算芯片的80–90%，逆转此前由台积电N2承担60–70%、Intel 18A承担其余的双源策略。魏哲家强调台积电对所有客户一视同仁，无论是IDM还是fabless设计公司，并将客户内部制造能力纳入自身产能规划。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
SK海力士推出内存中心AI机架系统，TTFT提速5倍；HBF扩产14倍以缓解内存短缺。
产能大幅提升缓解供应压力。
2026年10月13日报道， Vital Technology Group 的子公司 Vital Core Optoelectronic Technology (Wuhan) Co., Ltd. 在武汉东湖自由贸易区于9月28日正式投产其晶圆制造厂（fab），该厂是其CNY 12亿高端复合半导体材料和芯片产业化基地的制造核心，配备支持4/6英寸InP和6/8英寸GaAs的大面积光电芯片平台。此外，本月公司与Smarter Microelectronics签署战略合作协议，并与子公司联合获得海外客户的下一代单波长400G光互连预研订单。
WG Tech启动TGV玻璃基板二期投资，产能目标达100万平米/年。分析师指出中国厂商通过先建厂后出货的策略，在商业化进度上领先韩国对手。
产能扩张加速可能导致供应过剩及价格承压。
博通与凸版合资企业AST于2026年9月29日在新加坡开设95,000平方米FC-BGA基板工厂。这是凸版集团在日本以外首家此类工厂，计划2026年底投产高价值产品。
新产能扩张将增加基板供应，预计未来价格承压。
京东方董事长陈炎顺宣布计划投资半导体玻璃基板载板量产线，公司三年前已开始研发。此举旨在利用面板厂商的玻璃加工经验，替代硅材料。
京东方进入先进封装载板领域，或将重塑硅载板竞争格局。
住友化学建立4英寸InP外延片生产线并开始销售，武汉天源通过收购中讯60%股份进入InP衬底领域。InP在AI数据中心光学领域需求旺盛。
新增产能将缓解供应紧张，压制价格涨幅。
矽品国际科技在斗六破土动工新厂，投资约1000亿新台币导入CoWoS技术，首期2028年量产。此扩产计划旨在满足AI与高性能计算需求激增。
产能扩张将增加未来供应，缓解当前短缺压力。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。
英特尔发放加班费加速俄亥俄晶圆厂建设，EMIB-T封装良率逼近90%。尽管基板良率仅约50%拖累整体进度，但EMIB-T成本比CoWoS低50%，预计2027年量产。
良率提升有助于扩大先进封装产能。
摩根士丹利预测2027年全球CoWoS需求将达268.2万片，两年翻倍。英伟达份额下降至45%，AMD、博通及联发科需求激增，竞争格局多元化。
先进封装产能紧缺，台积电及相关封测厂议价能力增强。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
台积电PIC产能将从500片/月激增至2028年的25,000片/月。随着AI服务器带宽需求提升，英伟达、博通等大厂将率先采用COUPE平台。
CPO技术加速商业化，带动光学引擎及测试设备需求。
LG Innotek定下2031年6.47亿美元封装利润目标。受5G、高端智能手机及AI趋势驱动，公司正拓展高附加值半导体基板业务。
预示半导体基板需求前景强劲。
歌尔旗下AR光学晶圆厂于6月22日在上海临港正式投产，总投资约32.8亿元。该项目由歌尔光学整合Sunny OmniLight资源建设，专注于AR波导透镜等高端组件。
AR光学组件现货价格，新增产能将缓解供应紧张。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |