马斯克预测中国2028年DRAM供应激增，挑战三星、SK Hynix定价权
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
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特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据TrendForce于2026年10月17日发布的消息，CXMT正在加速推进4F² DRAM，目标于年底推出服务器DDR5 RDIMM。原文仅为标题式简讯，未说明技术细节、产能数字、进展程度或原因，该年底发布计划能否实现尚不确定，属计划而非已实现事件。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道，在传出RTX 5090生产将停止的传闻后，英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示："供应链（产能）确实有些受限，但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止，英伟达将继续出货"，并称尽管存在RTX 5090（芯片）的其他变体。此前有传闻称，在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后，已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止，可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况：亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售；Newegg listings 5090s约7,300美元（据判断可能来自中国卖家，且美国关税可能进一步推高价格）；Best Buy无货；截至发稿，该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复，相关说法均属"据称/传闻"性质，生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外，传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
据IT之家10月16日消息，消息源@smashx_60于10月14日在X平台爆料称，HMD Global正酝酿战略收缩，拟逐步退出部分市场并全面减产硬件产品线，调整后将聚焦特定区域市场，资源重心向利润空间更高的企业与工业（Enterprise / Industrial）垂直领域倾斜，后续可能难见HMD全球旗舰新品发布。该爆料属传闻性质，原文未说明正式决定或执行情况。背景：HMD自2016年从微软手中接过诺基亚手机品牌为期10年的全球独占授权；2023年8月双方通过补充协议将智能手机与平板的排他性授权截止日锁定在2026年3月；HMD目前已不再生产新款诺基亚智能手机，全面转向自有品牌“HMD”；消息称双方已在2026年到期基础上签署续约协议，将功能机授权（如3310、105等复刻版）延长约3年至2029年。原文给出的背景原因是，在苹果与三星等巨头产品热销的竞争下，诺基亚品牌智能手机在消费市场始终未能跻身主流。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
台积电于10月15日公布3Q26财务业绩：营收达467.2亿美元，同比增长41.2%、环比增长16.2%；毛利率为66.4%（环比下滑1.3个百分点，主要因2nm量产初期爬坡带来的稀释），净利润同比增长68.7%至新台币7,630.6亿元，EPS为新台币29.43元，实现连续第六个季度获利创新高。2nm制程在量产首季即占晶圆营收8%，较上季的3%接近 triple；3nm占比33%为最大营收来源，5nm占28%，7nm占10%，7nm及更先进制程合计占晶圆营收79%。存货天数环比减少5天至82天，2nm初期爬坡期间累积的库存开始被消化。3Q26资本支出为138.4亿美元，今年前三季累计支出406.4亿美元。平台方面，HPC占营收68%（环比增22%），智能型手机占21%（环比增10%），汽车电子占4%（环比增23%），IoT占4%（环比增5%），消费电子占1%（环比减12%）。北美客户占营收79%（环比增1个百分点），亚太占10%，中国占5%，日本与EMEA各占3%。董事长兼CEO魏哲家表示，预计2026年全年美元营收增长约44%（此为预测值），2nm于新竹与高雄厂区持续爬坡，2027年2nm年产能预计倍增以上，全球近25座 fab 并行推进。
应用材料（Applied Materials）表示将增加在研发、制造及全球供应链方面的投资，以在2030年前争取更大的市场份额和盈利能力。该公司预计，先进逻辑、DRAM和先进封装将在2025年至2030年间贡献约75%的晶圆制造设备（WFE）市场增长。到2030年，公司目标为额外获得超过2个百分点的WFE市场份额，以及约54%的非GAAP毛利率和约40%的非GAAP营业利润率。以上均为公司目标与预期，而非已实现结果。
长鑫存储计划于2026年底实现下一代4F² DRAM的量产，可能领先于韩国竞争对手三星电子和SK海力士。该消息引发了市场对存储技术正接近或超越韩国能力的猜测，同时使长鑫存储有望提前进入新兴的3D DRAM市场。上述为计划状态，量产尚未实现。
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
南亚科技表示，受 AI 为 DRAM 行业带来的结构性变化以及项目建设、半导体制造设备交付延期导致新产能装机投运速度放慢的影响，当前 DRAM 紧缺态势将持续到 2028 年初。目前其 50%~70% 产能被 1~3 年的长期协议（LTA）占据，其中 3 年期 LTA 可能超过总产能的 20%。公司计划根据客户需求提升 LTA 比例，并与客户合作将 LTA 扩展为更长期、更具体的供货保障。此外，南亚科技目标到 2029~2030 年将人工智能基础设施业务在营收中的占比提升至 40% 乃至 50% 以上。
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
村田制造公司已完成其中国越南胡志明市附近的电感生产设施扩建。施工于2025年5月开始，历时一年零五个月完工。公司于10月8日举行了新建筑的落成典礼。新建筑总面积为10,576平方米，建筑投资约为30亿日元，总投资超过了原计划。新设施将用于生产用于消费电子和汽车应用的电感线圈。
据供应链消息，苹果已通知部分供应商削减新上市的iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max零部件产量；自9月初以来苹果对新款iPhone的出货预期趋于谨慎，10月零部件订单量较原计划削减15%至20%。原文说明的调整原因为新机市场需求不及预期：存储芯片及其他零部件价格大幅上涨，迫使苹果提高产品售价，进而抑制消费者购买意愿；此外苹果今年调整发布节奏（9月率先推出iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max及iPhone Duo，标准版iPhone 18和升级版iPhone Air计划于2027年初上市）也可能是订单减少的原因之一。文中还提到美光表示全球存储芯片供应紧张可能持续至2027年较晚时候。
据报道，由于内存芯片成本飙升，苹果公司被迫提价，导致消费者需求下降。苹果公司已告知部分供应商削减其新推出的iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max的零部件产量。原文未说明被削减产量的具体零部件类型及削减幅度。
最新供应链消息显示，三星电子正计划在2026年第四季度削减智能手机产量，调整幅度最高可能达到30%，并已向供应链合作伙伴通报最新生产计划，准备根据不同产品线的市场表现调整出货目标，部分机型生产规模将明显低于此前规划。据报道，此次减产涉及多个产品类别而非仅限个别型号，目的是避免库存积压扩大、维持健康库存水平和盈利能力；原文将此举归因于全球智能手机市场需求复苏速度低于预期、中低端市场需求恢复不及预期以及消费电子行业不确定性持续。三星目前尚未就相关报道发表正式声明，具体减产规模和涉及机型仍有待确认，减产计划属于计划性质、尚未落实。分析人士指出，若第四季度减产计划最终落实，可能对显示面板、存储芯片、摄像头模组及其他手机零部件供应商产生连锁影响；若年底购物季需求未明显改善，三星可能继续动态调整产能，若需求回暖高于预期，公司仍保留迅速恢复生产规模的能力。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |