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意法半导体

NuAxi 汇总提及意法半导体的公开快讯：产品发布、产能与价格信号、供应链变化，持续更新。

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最新快讯

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10月31日 周六

  1. 影响评分 20

    意法半导体3A栅极驱动器内置有源米勒钳位 可在高电压下驱动SiC MOSFET

    意法半导体（STMicroelectronics）的3A栅极驱动器内置有源米勒钳位（active Miller clamp）功能，可在高电压下驱动SiC MOSFET，并简化高电压功率转换器的设计。原文未说明价格、供货或市场影响等信息。

    isolated gate driversSiC MOSFETsSTMicroelectronicsElectronic Design

10月30日 周五

  1. 影响评分 50

    STMicroelectronics受益于AI与卫星需求，但毛利率恢复仍需等待晶圆厂改造

    STMicroelectronics公布2026年第三季度营收为37.6亿美元，高于其指引中点，AI数据中心与低地球轨道（LEO）卫星需求推动通信设备和计算机外设销售额同比增长64%。毛利率达37.3%，较一年前提升410个基点；non-US GAAP每股收益为0.37美元；自由现金流为3.51亿美元。标题还指出毛利率恢复需等待工厂改造，正文未进一步说明细节，原文未说明原因以外的额外信息。

    communication equipment and computer peripheralsSTMicroelectronicsDigiTimes Asia
  2. 影响评分 30

    意法半导体复苏势头增强，但功率芯片业务落后

    意法半导体（STMicroelectronics）正将需求复苏转化为更强的工厂经济效益，其中通信和嵌入式处理产品推动了这一改善。然而，其功率半导体业务的亏损正在扩大，显示更高的销售额尚未恢复全产品组合的盈利能力，使制造利用率和产品组合成为复苏下一阶段的关键。原文未说明原因。

    power semiconductorscommunications productsembedded-processing productsSTMicroelectronicsDigiTimes Asia

10月29日 周四

  1. 影响评分 50

    意法半导体考虑为人形机器人开发性能更强大的MCU与MPU

    意法半导体（STMicroelectronics）正考虑为人形机器人开发性能更强大的MCU与MPU，但尚未做出决定。原文指出，由于人形机器人设计仍在演进且出货量低，该公司正在观察市场如何发展，再决定要开发什么产品。原文未说明原因之外的其他背景，未给出任何时间表、具体产品型号或投资金额，该事项仍处于评估/考虑阶段，并非已确认的开发计划。

    MCUsMPUsSTMicroelectronicsEE Times
  2. 影响评分 55

    QYResearch：2025年全球音频DSP芯片市场销售额达18.57亿美元，预计2032年达27.58亿美元，CAGR为5.9%（2026-2032）

    据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）的统计及预测，2025年全球音频DSP芯片市场销售额达到了18.57亿美元，预计2032年将达到27.58亿美元，年复合增长率（CAGR）为5.9%（2026-2032），此为预测而非已实现结果。报告称中国市场在过去几年变化较快，但2025年中国市场规模及全球占比数值在文中缺失。报告列出的市场驱动因素包括：半导体工艺升级至7nm/5nm制程、DSP与MCU/FPGA异构集成及AI算法优化；下游需求方面，智能音箱2024年全球出货量超1.5亿台，TWS耳机主动降噪（ANC）功能普及推动音频DSP芯片单价提升30%，车载语音助手渗透率达60%；此外还有中国“十四五”规划下的国产化替代政策扶持及AIoT、医疗电子等新兴应用。报告研究的企业包括TI、NXP Semiconductors、Analog Devices、ON Semiconductor、STMicroelectronics、Microchip、Cirrus Logic、New Japan Radio、Qualcomm、Rohm、Synaptics、Asahi Kasei Microdevices、国芯科技、Renesas Electronics、进芯电子；产品类型包括单核DSP和多核DSP；应用领域包括消费电子音频、汽车音频、通信与工业。报告还提及未来趋势（DSP与NPU结合的AI融合、22nm以下制程推动功耗降至10mW级）及挑战（德州仪器、ADI等企业通过专利壁垒限制国产DSP出海）。

    音频DSP芯片TI、NXP Semiconductors 等 15 家格隆汇·半导体
  3. 影响评分 25

    ST推出面向车辆动力学的运动传感器组合IC，已以24引脚QFN封装投产

    ST推出一款汽车传感器平台，将多轴加速度计与角速率传感器封装于单一封装内，用于扩展从高端到大众市场各类车辆的主动/被动安全系统与驾驶辅助功能，应用包括碰撞保护、侧翻检测、气囊引爆、车身稳定控制及雷达波束稳定。该传感器支持汽车安全串行外设接口SafeSPI并具备内部诊断功能，是ST整合NXP传感器部门后推出的首批四款产品：NCS1012BAEP（z轴偏航角速率传感器+xy低g加速度计）、NCS1012CAEP（x轴侧倾角速率传感器+yz低g加速度计）、NCS1012EAEP（x轴侧倾角速率传感器+xy中g加速度计）、NCS10135AEP（z轴偏航角速率传感器+xyz低g加速度计）。角速率传感器满量程为±125 dps、±250 dps或±350 dps，带截止频率12.5–400 Hz可选的集成低通滤波，工作温度−40°C至+105°C；低g加速度计量程±1.50 g至±34 g，中g版本量程±15.5 g至±150 g并具有独立信号链以降低噪声。该组合传感器现已采用带可润湿侧翼的24引脚QFN封装投入量产。

    multi-axis accelerometersangular-rate sensorslow-g accelerometersSTMicroelectronicsEDN

10月28日 周三

  1. 影响评分 20

    报告称2026年全球有源电子元器件市场规模达到2832.40亿美元，预计2033年增至4211.30亿美元，2026—2033年CAGR为5.83%

    据德文特综合调查研究，全球有源电子元器件市场2026年市场规模达到2832.40亿美元，预计到2033年将增长至4211.30亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为5.83%。该数据出自报告《全球与中国有源电子元器件市场规模，企业竞争格局与行业发展趋势研究报告2026》。报告将有源电子元器件细分为模拟、微控制器和微处理器、逻辑、存储、分立半导体五类，下游应用划分为消费电子、通讯、汽车、工业及其他，并覆盖中国、美国、德国、日本、法国、英国、意大利、韩国、东南亚、印度、拉丁美洲和中东及非洲12个关键国家和区域。文中列出的主要领先厂商包括Samsung、Intel、SK Hynix、Micron、Qualcomm、NVIDIA、Broadcom、MediaTek、TI、Advanced Micro Devices、Infineon、STMicroelectronics、NXP、Analog Devices、Kioxia Holdings Corporation、Western Digital、Maxim Integrated、ON Semi、Microchip、Renesas、Skyworks Solutions、Mitsubishi Electric、Toshiba、Vishay、Fuji Electric、ROHM Semiconductor等。报告正文还提及中国2026年市场规模及全球占比的数值在原文中以空白占位呈现，未给出具体数字。该内容为市场研究报告的宣传性描述，属于行业背景信息，非实际成交价格或供给事件。

    有源电子元器件Samsung、Intel 等 26 家格隆汇·半导体

10月27日 周二

  1. 影响评分 0

    意法半导体推出首款面向大众市场应用的汽车安全组合传感器，系2026年初收购NXP传感器业务后的首批产品，四款型号现已投产

    意法半导体（STMicroelectronics）发布面向大众市场的汽车安全组合传感器，将多轴加速度计与陀螺仪（角速度传感器）集成于单封装，用于主动与被动安全系统，涵盖碰撞保护、侧翻检测、气囊引爆、车辆稳定控制及雷达波束稳定等应用。这是ST于2026年初完成收购NXP汽车与工业MEMS传感器业务后在大众市场推出的首批产品，该收购旨在扩展其自身MEMS传感器能力。四款新品型号为NCS1012BAEP、NCS1012CAEP、NCS1012EAEP和NCS10135AEP，现已投产，采用24引脚QFN 6mm x 6mm x 1.90mm封装，符合ISO 26262，支持SafeSPI，工作温度范围-40°C至+105°C；集成角速度传感器满量程为±125 dps、±250 dps或±350 dps，低g加速度传感器标称满量程±1.50 g至±34 g，中g加速度传感器标称满量程±15.5 g至±150 g。ST承诺产品供货至少15年。Omdia高级研究分析师Nora Houlihan表示，受ADAS推动，IMU预计以17.7%的复合年增长率增长（2025-30年）。

    automotive safety combination sensorsmulti-axis accelerometersgyroscopes (angular rate sensors)STMicroelectronics、NXPEE Journal

10月26日 周一

  1. 影响评分 30

    Power Electronics News周报：功率转换器EMI指南、FinFET功率器件、SiC与GaN转换器仿真热建模及本周新品要点汇总

    Power Electronics News发布本周文章汇总，主题包括功率转换器EMI实用指南、基于FinFET的功率器件、以及面向SiC和GaN转换器的仿真驱动热建模。汇总还收录多条产品与新闻：Navitas推出面向电网基础设施的2300-V SiC功率模块，该2300 V SiC技术瞄准AI数据中心、储能和电网应用中更高效率和功率密度；Allegro推出面向机器人的48V电源与精密位置传感器，用于人形机器人集成、运动控制和功能安全；EPC GaN FET实现4 kW高效率转换器，双相EVAL-LT7930-AZ将ADI的LT7930控制器与EPC2361晶体管结合用于大电流功率转换；ST推出QML-V合格LVDS接收器RHFLVDS42，支持最高600Mbps数据速率、300krad(Si)抗辐照和8kV ESD immunity，面向航空航天系统；onsemi与Sungrow在公用事业规模BESS中瞄准99.3%效率，其PowerTitan 3.0平台支持最高450 kW的转换单元，并可在100 MW装机中每年节省超过475 MWh。文章部分还涉及面向800-V AI数据中心的650-V GaN双侧散热封装。本条为资讯汇总，无价格或供需数据。

    SiCGaNFinFETNavitas、Allegro 等 9 家Power Electronics News

10月24日 周六

  1. 影响评分 0

    意法半导体推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块，20-A智能模块集成控制驱动级并采用顶部冷却SLLIMM封装

    STMicroelectronics推出面向空调、热泵和家用电器的IGBT功率模块。该公司的紧凑型20-A智能功率模块将控制和驱动级与智能控制及保护功能集成于紧凑的顶部冷却SLLIMM模块中。原文未说明价格、产能或供货时间等信息。

    IGBT power modulesintelligent power modulesSTMicroelectronicsElectronic Design

10月23日 周五

  1. 影响评分 55

    ST扩展MasterGaN集成晶体管/驱动器系列，推出含650V增强型GaN晶体管、最大电流6A的MasterGaN7新器件

    STMicroelectronics（总部位于瑞士日内瓦）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器系列，推出新的MasterGaN7器件，其中包含具有6A最大电流额定值的650V增强型氮化镓（GaN）晶体管。原文未说明原因。新系列旨在帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用中的效率和功率密度。

    MasterGaN7 integrated transistor/driver devices with 650V enhancement-mode GaN transistorsSTMicroelectronicsSemiconductor Today

10月22日 周四

  1. 影响评分 40

    意法半导体在集成高效率功率产品系列中新增MasterGaN7器件

    意法半导体（STMicroelectronics）扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列，新增MasterGaN7器件，内置650V增强型GaN晶体管，最大电流额定值为6A。新系列面向电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用，帮助设计人员提升效率和功率密度。MasterGaN7以半桥配置连接两个650V GaN晶体管，并搭配高压高频栅极驱动器，采用与其他MasterGaN器件共享引脚和封装尺寸的QFN封装；其引入低压差（LDO）稳压器以稳定栅极驱动电压，并具备带超快速唤醒的引脚驱动关断模式以降低无负载功耗。新器件传播延迟为45ns，最短导通时间短，开关频率最高可达2MHz，仅需少量外部磁性和无源元件即可完成电路设计，有助于缩小电路面积、降低BOM成本并最大化功率密度，还集成自举二极管为高侧驱动器供电。所有MasterGaN器件支持有源钳位反激、不对称半桥、反向降压、谐振LLC、功率因数校正（PFC）变换器和DC-AC逆变器等多种拓扑，并集成防交叉导通互锁、欠压锁定（UVLO）和热关断等保护功能。原文未说明价格或供货时间。

    MasterGaN7STMicroelectronicsEE Journal
  2. 影响评分 25

    ST与NUS合作开展HELIX研究计划，探索存储器、处理与软件协同设计以实现实时嵌入式AI

    意法半导体与新加坡国立大学（NUS）合作开展HELIX研究计划，该计划将探索如何将内存、处理与软件协同设计，以实现实时嵌入式AI。该消息属于研究合作动向，原文未说明原因，也未涉及任何价格、产能或出货数据。

    memorySTMicroelectronicsEE Times Asia

10月21日 周三

  1. 影响评分 0

    意法半导体推出QML-V认证LVDS接收器RHFLVDS42

    意法半导体宣布扩展其太空级半导体产品组合，推出QML-V认证的四路低压差分信号(LVDS)接收器RHFLVDS42，用于航空航天与太空系统的高速数据链路。该器件数据速率高达600 Mbps，工作电压2.3V至3.6V，符合TIA/EIA-644及相关JEDEC标准，输入共模电压范围为-4V至+5V，绝对最大电压额定值为4.8V。抗辐射方面，据意法半导体称，其在LET为122.6 MeV·cm²/mg下无单粒子锁定(SEL)，在61.3 MeV·cm²/mg下无单粒子瞬态(SET)和单粒子翻转(SEU)，并通过RHA QML-V框架认证总电离剂量达300 krad (Si)，具备8kV ESD抗扰能力。该器件在法国雷恩工厂采用130nm CMOS工艺制造（公司称该工艺已用于太空相关应用超过十年），具有EAR99出口分类，工作温度范围-55°C至+125°C，采用接地盖气密Flat-16封装，并提供裸片选项。

    LVDS receiverSTMicroelectronicsPower Electronics News

10月20日 周二

  1. 影响评分 20

    意法半导体推出通过QML-V认证的四路LVDS接收器RHFLVDS42，扩展航天级产品组合

    意法半导体（STMicroelectronics）宣布推出通过QML-V认证的四路低压差分信号（LVDS）接收器RHFLVDS42，面向航空航天应用。该接收器支持高达600Mbps的数据交换，工作电压范围为2.3V至3.6V，符合最新的TIA/EIA-644和JEDEC低压逻辑与供电规范，并兼容传统CMOS设计。其输入共模电压范围从-4V到+5V，绝对最大电压额定值（AMR）为4.8V。器件在122.6 MeV.cm²/mg下无单事件闩锁（SEL-free），在61.3 MeV.cm²/mg下无单事件瞬态/单事件翻转（SET/SEU-free），依据RHA QML-V在高达300krad TID（Si）下保持稳定，并提供8kV ESD抗扰度。该器件采用ST的130nm CMOS工艺在法国雷恩制造，符合EAR99出口管理规定，可供应给包括美国和亚洲在内的全球组织。工作温度范围为-55°C至+125°C，采用接地盖Flat-16气密封装，也可提供裸片形式。

    quad low-voltage differential signaling (LVDS) receiverSTMicroelectronicsEE Journal

10月15日 周四

10月14日 周三

  1. 影响评分 0

    意法半导体发布面向可穿戴设备与运动相机的高精度二合一海拔与水下深度传感器

    意法半导体（STMicroelectronics）发布LPS27DEWO，一款将海拔与水下深度监测（超过50米）集成于单一MEMS传感器的二合一产品，可节省空间、简化电路并降低可穿戴及户外设备的物料成本。该传感器提供两种可选满量程，适用于运动相机、智能戒指、智能手表及其他户外和水下设备；水下压力范围达6060hPa，可为休闲及爱好者潜水员从40米以下（减压临界深度）上浮时提供准确信息，并可承受深达110米的水压。封装为2.7mm x 2.7mm 10引脚LGA，1.7mm高圆柱形金属盖，精度为满量程±0.5%，采用可消除光致误差的新型黑色灌封凝胶；支持1.2V I2C、SPI和I3C数字接口，在3.8Pa下工作电流仅1.7µA。

    MEMS altitude and underwater depth sensorSTMicroelectronicsEE Journal

10月10日 周六

  1. 影响评分 15

    QYResearch：2025年全球坚固型集成电路市场销售额达11.39亿美元，预计2032年达18.06亿美元，CAGR为6.9%（2026-2032）

    QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布2026-2032年全球与中国坚固型集成电路市场报告：2025年全球坚固型集成电路市场销售额达到11.39亿美元，预计2032年将达到18.06亿美元，年复合增长率（CAGR）为6.9%（2026-2032），其中2032年数据为预测值。报告另引用世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据称，2022年全球半导体销售额达到5740亿美元，其中美国半导体公司销售额总计2750亿美元，占全球市场的48%；2022年下半年放缓限制了当年增长。报告研究范围涵盖坚固型集成电路的产能、产量、销量、销售额、价格及发展趋势，涉及企业包括General Dynamics Corporation、Crystal Group、Richtek Technology Corporation、Qualcomm、Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Analog Devices Inc.、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.、STMicroelectronics；产品类型分为通用IC和专用IC，应用领域包括汽车、电子产品、卫生保健及其他。原文未说明原因（该内容为市场研究报告，未涉及具体价格变动或供应事件原因）。

    坚固型集成电路通用IC专用ICGeneral Dynamics Corporation、Crystal Group 等 10 家格隆汇·半导体

10月8日 周四

  1. 影响评分 10

    ST推出双加速度计IMU，面向情境感知运动传感

    ST发布新款6轴IMU产品，将抗振动的陀螺仪与双量程加速度计相结合，面向事件重建应用中的情境感知运动传感。原文未提供具体型号、上市时间、定价或供货信息。

    6-axis IMUs with dual-range accelerometersSTEE Times Asia

9月29日 周二

  1. 影响评分 45

    中国规划2030年固态电池大规模部署

    中国十五五规划目标2030年大规模固态电池部署及15000次循环锂电池，并扩大储能和数据中心应用。该政策旨在推动下游电池技术升级。

    利多

    未来BMS芯片及功率半导体需求预期增长。

    BMS ICPower SemiconductorSiCCATL、BYD 等 4 家TrendForce Official (Market Data)政策法规