三星电子与SK海力士正在开发新存储技术以应对AI系统中日益增长的瓶颈。三星正在探索一种将高带宽内存（HBM）直接堆叠在图形处理器上方的设计（zHBM）；SK海力士则在推进高带宽闪存（HBF），以扩展AI推理的内存容量。以上均为开发/探索阶段的计划，原文未说明时间表或量产安排。
三星电子在10月15日于首尔COEX、与SEDEX 2026同期举行的2026年JEDEC论坛上承认，下一代AI存储的标准化面临挑战：客户定制设计已从高带宽存储（HBM）的基础裸片扩展到DRAM核心裸片，使存储制造商越来越难以管理。三星DS部门存储事业部产品规划组研究员Hwang Ga-ram表示，LPDDR-PIM和zHBM具有许多客户定制特性，在实际生产中极难管理，并称其他存储制造商可能面临同样挑战；其提出的zHBM采用3D堆叠结构直接连接HBM与计算处理器，TSV分布于DRAM核心裸片，定制化设计延伸至整体结构，比传统2.5D封装的标准化难度更大。Hwang希望LPDDR6-PIM标准能在今年年底前确立，并表示并非所有功能都能完全标准化，希望JEDEC成员公司合作制定通用标准。三星还公布了LPDDR5X-PIM开发成果：存储带宽为传统LPDDR5X的8倍；AI推理性能达102 TPS，约为LPDDR5X 27 TPS的3.8倍，较8月Hot Chips上演示的83 TPS提升约23%；平均功耗11.5瓦，较LPDDR5X的8.4瓦高约36%；每瓦推理性能提升至9 TPS/W，约为传统LPDDR5X 3.2 TPS/W的2.8倍。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
三星电子于10月12日在加利福尼亚举行的开放计算项目（OCP）全球峰会上公布其下一代内存战略，三星DS部门内存业务AE团队副总裁Shim Ho-joon提出速度、可扩展性和持久性三大战略重点。原文给出的原因是：随着AI模型增长，其需处理的数据量不断增加，Shim表示内存容量扩展和数据存储技术正变得与内存带宽同等重要。三星计划通过第八代高带宽内存（HBM5）、定制HBM、zHBM和处理内存（PIM）技术提升数据处理速度与计算效率；利用CMM-D和基于CXL的技术扩展AI系统内存容量并提升数据管理效率；下一代SSD、QLC技术和FDP将增加AI数据存储容量并改善管理效率。上述均为计划内容，属于战略公布而非已实现的结果。此外，三星展示了与Nvidia合作的成果，展出Groq晶圆（Nvidia的语言处理单元LPU）和Groq 3 LPX系统，其代工业务使用4纳米工艺制造Groq芯片；三星还与AMD联合演示了基于CXL的内存扩展解决方案，双方正与全球客户在产品开发早期阶段合作设计并扩大技术验证。
据ZDNet报道，三星电子与AMD在OCP Global Summit 2026上演示了基于Compute Express Link（CXL）的内存扩展解决方案，该方案采用三星基于CMM-D的内存池化技术，可使多个系统更高效地共享内存资源并灵活扩展容量。据NewsPim，三星将基于CXL的内存扩展视为克服传统系统容量限制的途径，尤其是随着AI代理推高推理所需内存。此次演示之前，三星与AMD于3月签署谅解备忘录，以扩大在下一代AI内存与计算技术上的合作；据The Korea Times，AMD CEO苏姿丰在10月7日访问韩国期间也与三星讨论了内存和代工技术方面的潜在合作（属讨论，非已确定合作）。在活动上，三星概述了扩展其AI内存与存储产品组合的计划，包括HBM5、定制HBM、zHBM、处理内存（PIM），以及CMM-D和基于CXL的方案，并推进包括四层单元（QLC）NAND与灵活数据放置（FDP）在内的下一代SSD技术，还展示了KV缓存优化与Direct Storage技术；此外通过Samsung MAX Lab让客户在商业化前在真实AI工作负载下评估PIM、CMM-D和下一代SSD等新兴技术。三星还展示了采用三星代工4nm工艺量产的Groq LPU晶圆和NVIDIA的Groq 3 LPX系统，以及一枚采用其2nm环绕栅极（GAA）工艺制造的晶圆。
三星电子与SK海力士三季度合并营业利润预计逼近190万亿韩元，但分析师已将营收利润预期下调2.6%至5.3%。尽管AI浪潮推动HBM4需求激增，但DRAM和NAND闪存ASP涨幅放缓，且韩元走强导致美元计价销售额缩水。
市场正检验AI交易盈利的持续性，HBM4量产提速与代工业务扭亏为盈能否抵消终端业务亏损及价格涨势放缓的利空。
三星公布HBM5与zHBM路线图，HBM5计划2028年量产，性能目标为HBM4E的2倍。新架构zHBM预计2029年推出，性能目标达HBM4E的8倍，旨在解决AI加速器散热瓶颈。
技术路线图确认了三星在AI存储领域的长期布局，但短期内对现货价格影响有限。
三星zHBM散热降低50%且密度提升10倍，液冷技术在AI芯片中的渗透率预计升至60%。随着3D堆叠加剧散热挑战，行业正加速转向CPO和STCO解决方案。
先进封装与液冷技术需求。
三星在FMS 2026展示zHBM，承诺达到HBM5性能的8倍。该技术旨在将内存更靠近GPU，解决AI计算瓶颈。
下一代3D内存架构的潜在供应能力变化。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍，密度为10倍以上，预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈，与SK海力士的HBF形成竞争。
英伟达、苹果、联发科等公司以超25万美元年薪招募三星、SK海力士的HBM与NAND工程师。SK海力士2026年初发放了高达月薪2964%的创纪录绩效奖金以应对人才流失。
核心人才争夺战白热化，反映先进内存需求强劲且可能加剧长期供应风险。
力积电加入英特尔与软银的Z-Angle Memory计划，目标2027年完成原型开发，2029年实现量产。该技术旨在为AI/HPC应用提供HBM的替代方案，宣称可降低功耗40-50%并提升单芯片容量。
此为长期研发项目，对现有存储芯片的短期供应、价格及交易无直接影响。
三星和英特尔正研发zHBM与Z-Angle Memory等下一代HBM封装技术，以突破散热与堆叠限制并提升带宽。此举是应对AI算力需求，在传统HBM性能接近物理极限背景下的技术竞赛。
此为长期研发进展，对当前HBM现货市场的供应、库存及价格无直接影响。
三星在SEMICON Korea 2026首次公开zHBM详细规格，早期测试显示其带宽可达HBM4的四倍且功耗降低75%。英特尔与软银旗下SAIMEMORY合作展示了Z-Angle Memory原型，采用对角线互连以解决传统HBM堆叠的热瓶颈。
此为远期技术路线图，未提及量产时间、产能或对现有HBM市场供需的直接影响。
三星宣布将开发集成计算核心的定制HBM，宣称性能提升2.8倍且能效不变，并预告zHBM带宽将提升4倍、功耗降至25%。该公司计划采用混合键合及芯粒间接口IP以优化功耗与散热。
此为2026年后的远期技术路线图，对当前HBM的供应、价格及产能无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |