TSMC N2P Process News & Market Signals

Tue, Oct 20

2 items

01:00Impact score 45
ChipAgents将AI扩展至芯片设计领域，考验在于更快且经验证的结果
ChipAgents（位于圣克拉拉）宣布将其代理式AI平台扩展至数字与模拟半导体工程，推出IC-Star引擎，旨在通过可规划任务、操作工程工具并评估结果的统一系统连接碎片化的设计流程，工程师保留对需求、关键决策和最终签核的控制。据该公司称，此扩展针对的错配是：AI模型在数月内演进，而芯片开发可能需要12至18个月或更长时间，仅靠更快的代码生成无法弥合这一差距。数字能力涵盖规格分析、架构探索、RTL设计、验证、调试、覆盖率收敛以及功耗、性能和面积优化；模拟能力包括拓扑与原理图设计、仿真、行为建模、版图生成和物理验证。公司报告了超过200家半导体企业部署，并援引客户结果：Andes Technology将一个处理器验证流程从两到三个月缩短至约三周，并将一个处理器定制项目减少30%；eMemory报告数据表分析和验证测试平台构建的工程工作量减少约80%，测试模式增加18%，功能覆盖率提升5%；WhaleChip将根因分析从数天缩短至每轮约15至60分钟，并发现四个关键缺陷。这些数字均为公司自报示例，新闻稿未提供独立评估或足够的方法细节以说明结果的适用范围；公告未确立端到端的自主芯片开发。公司称该平台可与现有EDA基础设施配合使用并支持本地部署学习。一场定于10月29日的技术网络研讨会将提供进一步考察的机会。
IC-Star engine Renoir semiconductor-specific modelChipAgents, Andes Technology and 4 total
00:38Impact score 45
据报道三星与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM标准供应基底裸片，要求采用台积电3nm工艺；存储仍用三星第六代10nm工艺
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
NVHBM base die NVHBM HBM4ESamsung, TSMC and 3 totalPartnership/M&A

Mon, Oct 19

18 items

21:00Impact score 50
西门子与英伟达推进合作：cuLitho集成Calibre，据称全芯片OPC工作负载最高提速12倍
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
advanced AI semiconductors photomask optimization full-chip optical proximity correctionSiemens, NVIDIAPartnership/M&A
21:00Impact score 25
瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
650-V 20-mΩ d-mode GaN FET (Gen 4+)Renesas Electronics
19:25Impact score 60
台积电计划在台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计2028年上半年开始
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布，计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示，公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂，后者预计2027年上半年开始量产。海外方面，魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前，设备正在安装，生产定于2027年第三季度开始；日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺，预计2028年开始量产。为支撑3nm需求，台积电正将部分5nm产能转为3nm，并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿，台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施，在台南投资超过1.86万亿新台币（约570亿美元），创造超过11,300个直接就业机会；台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂，这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
3nm 5nm 7nmTSMCCapacity Change
18:54Impact score 50
微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro开启预售：均换装高通骁龙X2 Plus，电商渠道8488元起
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
高通骁龙X2 Plus平台第三代Qualcomm Oryon CPU Hexagon NPU微软, 高通 and 3 total
18:42Impact score 45
消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM；10月19日三星回应不对客户事项置评
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
NVHBM HBM 基底裸片（BaseDie）英伟达, 三星电子 and 5 totalPartnership/M&A
18:41Impact score 60
安世中国部分MOSFET、逻辑IC产品已实现12英寸晶圆工艺平台研发和量产，交付周期由12至16周压缩至4至6周
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
MOSFET 逻辑IC 功率半导体安世中国, 闻泰科技Capacity Change
18:36Impact score 50
海光信息 2026 年第三季度归母净利润 10.48 亿元，同比增长 37.9%
海光信息于10月19日发布2026年第三季度（2026年7月至2026年9月）报告：营业总收入58.56亿元，同比增长45.46%；归母净利润10.48亿元，同比增长37.9%；扣非净利润9.53亿元，同比增长31.12%；基本及稀释每股收益均为0.45元，同比增长36.36%；加权平均净资产收益率4.05%。年初至报告期末累计营业收入14954710229.13，同比增长57.58；累计归母净利润2846508812.66，同比增长45.12。第三季度研发投入18.2亿元，同比增长48.68%，占营业收入比例31.08%，同比提升0.68个百分点。年初至报告期末经营活动现金流净额为-2442780168.86，同比减少208.35%，原文说明主要原因为公司匹配市场销售规划加大备货规模、原材料采购支出同比显著增多。原文将业绩增长归因于人工智能产业快速发展、国产替代进程由政策驱动全面转向市场驱动带动国内高端芯片需求持续攀升，以及公司持续加大研发投入。海光信息主营应用于服务器、工作站等设备的高端处理器，产品包括海光通用处理器（CPU）和海光协处理器（DCU）。
CPU DCU海光信息
18:36Impact score 45
海光信息：前三季度归母净利润28.47亿元，同比增长45.12%
海光信息公告，2026年前三季度营业收入149.55亿元，同比增长57.58%；归母净利润28.47亿元，同比增长45.12%；扣非净利润25.84亿元，同比增长42.25%。第三季度营业收入58.56亿元，同比增长45.46%，归母净利润10.48亿元，同比增长37.90%。扣除股份支付影响后，前三季度归母净利润35.86亿元，同比增长76.90%。研发投入44.72亿元，同比增长52.39%，占营收29.90%。公司称业绩增长主要受人工智能产业快速发展、国产化进程由政策驱动全面转向市场驱动等因素带动，国内高端芯片需求持续攀升。
国产高端芯片海光信息
18:33Impact score 90
TrendForce预计2026年第四季Conventional DRAM合约价季增10%-15%、涨势放缓，长鑫科技预告2026年前三季度净利1310亿至1325亿元
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
DRAM Conventional DRAM（一般型DRAM）Server DRAM长鑫科技, 江波龙Price Movement
18:22Impact score 10
英特尔CEO陈立武称中国芯片制造“差距并没有那么大”，未给出量化指标
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
EUV光刻设备浸没式DUV设备 EUV光源英特尔, ASML and 4 total
18:10Impact score 60
三星显示开发不使用FMM的7英寸级OLED原型，拟以MPO技术制作工程样品，初步目标2026年底、或延至2027年第一季度
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
OLEDSamsung Display
18:10Impact score 50
Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
GPU HBM 玻璃陶瓷中介层（glass-ceramic interposer）Shindo Eng Lab
18:10Impact score 45
LG启动集团全面业务审视，将讨论与Nvidia和Microsoft的合作
LG将于10月19日开始集团旗下所有子公司的业务审视会议，由LG董事长兼CEO具光谟主持，各子公司CEO及事业部门负责人参加，会议将审视公司2026年业务表现及2027年计划。审视首先从LG电子、LG Display、LG Innotek等电子类子公司开始，随后是LG能源解决方案、LG化学等化学与电池业务，以及LG Uplus、LG CNS等电信与服务类子公司，整个过程将持续约一个月。会议将讨论与Nvidia、Microsoft等全球科技公司的具体业务合作及后续实施计划。LG在2026年加强了与Nvidia在AI工厂、物理AI和移动出行方面的合作，并已同意扩大与Microsoft在AI基础设施方面的合作。LG还将在2026年3月聚焦AX执行、6月聚焦Winning R&D、9月聚焦投资策略细化作为季度讨论主题；9月CEO会议上，具光谟敦促高管“以速度和持续执行确保在AI未来战场取胜”。该举措属于LG整合集团能力的“One LG”战略的一部分，目标是在关键未来AI市场取得成果，而非短期合作。
LG, LG Electronics and 10 totalPartnership/M&A
16:55Impact score 45
微软早期采用台积电2nm工艺
微软已早期采用台积电2nm工艺。
TSMC's 2nm processMicrosoft, TSMCPartnership/M&A
16:35Impact score 55
铭芯启睿10月19日宣布完成超4亿元A轮融资，资金用于RRAM产业化及启动第一代LPU推理芯片研发，LPU尚处研发阶段
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
LPU（语言处理单元）推理芯片 RRAM（阻变存储器）1Gb RRAM芯片泰山一号铭芯启睿Partnership/M&A
15:57Impact score 60
消息称三星电子计划 2027 年全面进军硅光子学，首先以12英寸技术代工PIC，后续扩展PIC-EIC整合与光封装，拟以全栈方案与台积电竞争并考虑并购硅光子相关公司
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
硅光子学 (SiPh)光子集成电路 (PIC)PIC-EIC 整合三星电子, 台积电Capacity Change
15:29Impact score 10
台积电之路（上）：成就台积电的DARPA挑战——公开征集突破25nm物理极限的创新设计，胡正明2001年成为台积电首任CTO
背景性文章（系列上篇）回顾台积电成功的渊源：其现代成功可追溯至美国国防高级研究计划局（DARPA）发出的一项公开征集，寻求能够突破25nm物理极限的创新设计。时任加州大学伯克利分校教授的胡正明（Chenming (Calvin) Hu）是响应者之一，他后来于2001年成为台积电首任首席技术官。文章未涉及任何价格、产能、库存或供需现状信息，原文未说明原因（无具体事件原因）。
25nmTSMC
14:12Impact score 30
一加Ace 7系列官宣即将登场，Ace 7 Pro搭载高通骁龙8E5旗舰平台（台积电3nm），新品10月下旬正式发布
快科技10月19日消息，一加宣布一加Ace 7系列即将登场，官方称其为性能与产品力的跨代之作，一加中国区总裁李杰称其为史上最强Ace、升级巨大。官方海报显示，该系列最大变化是加入风冷散热技术，为一加首款支持主动散热的性能手机，通过微型风扇强制空气流动带走机身内部热量，并首发双路出风散热架构，一路压制芯片温度、另一路降低背板壳温。官方实测称，在《三角洲》高清+185帧模式下，一加Ace 7 Pro的平均帧率比竞品的骁龙8EE6机型更稳、机身温度更低。硬件上，一加Ace 7 Pro搭载高通骁龙8E5旗舰平台，该平台采用台积电3nm工艺，配备高通自研Oryon满血双超大核架构，并集成Adreno 840 GPU。新品已在各大平台上架并开启预约，用户可先行购买9.9元权益包（含OPPO Enco R5真无线蓝牙耳机、5年风扇保、2年电池保、1年进水保、1年后盖保等），新品将在10月下旬正式发布。
骁龙8E5旗舰平台 Adreno 840 GPU Oryon满血双超大核架构一加, 高通 and 3 total

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

TSMC N2P Process News & Market Signals

Tue, Oct 20

ChipAgents将AI扩展至芯片设计领域，考验在于更快且经验证的结果

据报道三星与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM标准供应基底裸片，要求采用台积电3nm工艺；存储仍用三星第六代10nm工艺

Mon, Oct 19

西门子与英伟达推进合作：cuLitho集成Calibre，据称全芯片OPC工作负载最高提速12倍

瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热PQFN封装，现向AI数据中心OEM/ODM送样，量产计划于2027年中

台积电计划在台南新建一座3nm晶圆厂，生产预计2028年上半年开始

微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro开启预售：均换装高通骁龙X2 Plus，电商渠道8488元起

消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产定制NVHBM，核心裸片采用第六代DRAM；10月19日三星回应不对客户事项置评

安世中国部分MOSFET、逻辑IC产品已实现12英寸晶圆工艺平台研发和量产，交付周期由12至16周压缩至4至6周

海光信息 2026 年第三季度归母净利润 10.48 亿元，同比增长 37.9%

海光信息：前三季度归母净利润28.47亿元，同比增长45.12%

TrendForce预计2026年第四季Conventional DRAM合约价季增10%-15%、涨势放缓，长鑫科技预告2026年前三季度净利1310亿至1325亿元

英特尔CEO陈立武称中国芯片制造“差距并没有那么大”，未给出量化指标

三星显示开发不使用FMM的7英寸级OLED原型，拟以MPO技术制作工程样品，初步目标2026年底、或延至2027年第一季度

Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论

LG启动集团全面业务审视，将讨论与Nvidia和Microsoft的合作

微软早期采用台积电2nm工艺

铭芯启睿10月19日宣布完成超4亿元A轮融资，资金用于RRAM产业化及启动第一代LPU推理芯片研发，LPU尚处研发阶段

消息称三星电子计划 2027 年全面进军硅光子学，首先以12英寸技术代工PIC，后续扩展PIC-EIC整合与光封装，拟以全栈方案与台积电竞争并考虑并购硅光子相关公司

台积电之路（上）：成就台积电的DARPA挑战——公开征集突破25nm物理极限的创新设计，胡正明2001年成为台积电首任CTO

一加Ace 7系列官宣即将登场，Ace 7 Pro搭载高通骁龙8E5旗舰平台（台积电3nm），新品10月下旬正式发布

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

Trending components