显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构,将图形处理器(GPU)与高带宽存储器(HBM)垂直堆叠,中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方,两者通过中介层中的垂直导电通孔连接;液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热;电力由底部印刷电路板(PCB)经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出,当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构,垂直堆叠会缩短芯片间距离,但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战;Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔(TGCV),公司于9月发布,该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充;Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备,此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请,并正与约10家公司进行技术讨论,已向其中部分公司提供样品;尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示,最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构,并计划将该结构提交给委外封测(OSAT)公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段,未见量产或商业化实现。
Qualcomm于10月19日宣布,将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会(10月19日至23日,江原道江陵奥林匹克公园)上展示基于车联网(V2X)通信的交通安全技术与服务,并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务,涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术,包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
芬兰技术产业协会(TIF)发布了对欧盟《芯片法案2.0》的建议(该法案为委员会提案,尚待立法程序,资金尚未确定),主张法案应以需求为出发点。文中引用的市场背景数据:全球芯片销售额2025年达7010亿美元,今年将突破1万亿美元,并按欧盟委员会的估算到2030年达1.6万亿美元;欧洲目前生产的芯片占全球不到十分之一,覆盖自身消费约五分之一。提案要点包括:首次同时处理需求与供给(大挑战、行业主导的需求加速器、创新采购),首次OfType(first-of-a-kind)地位扩展至全价值链,许可审批上限为12个月,对量子芯片和光子学提供专项支持。资金方面:《条例》本身几乎不含新资金,资金将在2028—2034年欧盟预算与欧洲竞争力基金中另行谈判;委员会影响评估模型给出的示例投资为400亿欧元,业界建议设立300亿至600亿欧元的欧盟半导体专项预算。提案的战略项目优先领域清单包含先进制造、AI芯片、存储和前沿设计,但未包含量子与光子芯片制造。文章还提到,芬兰的行业主导战略'Chips from the North'目标是在2035年前将该行业收入提高两倍至50亿至60亿欧元,并归纳出七项建议(快速行动、确保关键规模的欧盟资金、保留并扩展first-of-a-kind定义至量子芯片制造、以战略项目建设需求导向的关键产能并锚定一座先进晶圆厂、赋予行业结构化角色、通过可信国际伙伴关系构建韧性、保持供应安全义务精准有限)。原文未说明原因——本文为立场性分析文章,不涉及具体价格变动或事件原因。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图,核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台;自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装,且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设,并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容,原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。