Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026(10月15日当地时间)提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构,已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构,将图形处理器(GPU)与高带宽存储器(HBM)垂直堆叠,中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方,两者通过中介层中的垂直导电通孔连接;液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热;电力由底部印刷电路板(PCB)经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出,当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构,垂直堆叠会缩短芯片间距离,但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战;Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔(TGCV),公司于9月发布,该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充;Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备,此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请,并正与约10家公司进行技术讨论,已向其中部分公司提供样品;尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示,最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构,并计划将该结构提交给委外封测(OSAT)公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段,未见量产或商业化实现。
- Related manufacturers
- Shindo Eng Lab
- Impact score
- 50 / 100, medium impact