据报道，三星电子重组DRAM与NAND研发激励体系，以留住人才并加速下一代存储芯片开发
据报道，三星电子正在重组其半导体研究业务和绩效薪酬体系，以加速下一代DRAM和NAND闪存的开发，同时让研究人员与生产团队更紧密地协作，并回应有关激励和人才保留的担忧。文中提到此举旨在吸引和留住人才，相关重组尚属报道内容。
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据报道，三星电子正在重组其半导体研究业务和绩效薪酬体系，以加速下一代DRAM和NAND闪存的开发，同时让研究人员与生产团队更紧密地协作，并回应有关激励和人才保留的担忧。文中提到此举旨在吸引和留住人才，相关重组尚属报道内容。
10月22日消息，美光（Micron）当地时间昨日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行展望，本篇关注闪存类别。美光预告了预计2027H2产能爬坡的G11 NAND闪存，且似乎跳过G10世代。G11 NAND堆叠超过400层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，同时能实现至高1.5倍的I/O速率，数据传输能耗可减少25%以上。美光还表示在G11后计划在NAND中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集单元架构、强化节能属性；并介绍了2种AI-class数据中心级NAND设计，分别是基于SLC的GPU直连IOPS优化产品、类似HBF定义的带宽优化产品。上述均为美光的规划/预告，尚未实现量产。
美光（Micron）不计划将4F² DRAM商业化，其给出的原因是该架构带来的收益有限，同时会增加成本和复杂性；与此同时，中国竞争对手长鑫存储（ChangXin Memory Technologies, CXMT）仍在推进该技术。此为美光方面的计划性表态，不涉及已发生的价格或产量变化。
美光据报将继续采用6F² DRAM架构而不采用4F²，即使中国竞争对手CXMT正在推进后一种设计。据Nikkei报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在近期一次技术网络研讨会上表示，经过20多年的评估，4F²目前'不在路线图上'；公司计划扩展6F²架构，同时开发3D DRAM作为更长期的替代方案。DeBoer解释称，DRAM位密度主要由电容间距而非仅由单元架构决定，并指出4F²存在根本性微缩限制、更高制造复杂度和更高成本。路线图方面：1γ节点已进入大批量生产，将支撑未来12个月内推出的产品；下一节点1δ预计2027年下半年进入批量生产，目标位密度提升约20%中段水平，并将支持DDR6、LPDDR6、HBM5和垂直HBM（vHBM）等下一代存储产品；1ε节点开发晶圆键合以提升位密度并支持AI应用；1ζ和1η节点正在探索High-NA EUV、新材料等创新以延伸平面DRAM微缩。3D DRAM在路线图中位于1ζ与1η节点之间，但与平面DRAM并行开发，采用与否取决于成本、制造复杂度和器件性能。产品方面，美光正准备DDR6和LPDDR6，分别目标达到DDR5两倍带宽和较LPDDR5提升35%能效（特定密度下能效提升更大）；在近期送样512GB DDR5 RDIMM后计划推出1TB RDIMM。AI方面，公司推进vHBM（将存储直接堆叠在处理芯片上以提供大幅更高带宽），与标准及定制HBM产品并行开发，但热管理仍是挑战，封装工作包括混合键合、更高HBM堆叠和改进散热。NAND方面，美光计划于2027年下半年爬坡第11代（G11）技术，G11目标达到G9 NAND两倍位密度、1.5倍I/O速度和更低数据传输能耗，并将采用晶圆-on-晶圆键合、层数超过400层。
PSMC第三季度营收环比增长23%、同比增长80%至213亿新台币，净利润分别环比增长98%、同比增长338%至65亿新台币，毛利率提升20个百分点至48%，原因是存储器价格上涨和代工产能紧张。据Liberty Times，PSMC总裁Martin Chu预计第四季度营收将环比实现两位数增长，因平均售价持续上升；第三季度已完成的存储器晶圆ASP比同期投片晶圆低逾30%，说明近期涨价尚未完全反映在营收中，价格较高的晶圆预计在第四季度贡献更多。据TechNews，全球DRAM供应紧张（主要厂商将产能转向HBM并逐步退出特殊型DRAM）使PSMC特殊型DRAM代工价格保持高位；PSMC与Micron的1p DRAM合作正在推进，PDK将于2026年底交付，设备预计2027年一季度到达，试产计划2027年二季度开始。PSMC称MLC NAND供应紧张推动高容量SLC NAND需求，公司正将SLC代工平台转向24nm；AI服务器所需NOR Flash为传统服务器的三至五倍，PSMC是中国以外唯一的NOR Flash代工厂。据PSMC财报说明会，其8英寸和12英寸逻辑代工服务的投片晶圆ASP第三季度上涨8–10%；由于产能持续受限，公司计划在2027年进一步调涨价格10–20%，并正在谈判长期协议(LTA)以锁定价格和产量。55nm BCD产品已开始出货，客户寻求三年合约；2026年代工产能满载挤压智能手机PMIC生产，主要手机厂商寻求2027年产能；2027年MOSFET和IGBT产能的80%已由LTA覆盖；GaN产品已进入小批量晶圆生产，等待最终客户验证。IPD订单能见度延伸至2028年，8英寸和12英寸晶圆已量产；WoW混合键合技术小规模试产进行中，量产目标2027年上半年。Micron PWF项目按计划推进，中试线建设预计2026年底完工，量产计划2027年第四季度。
Synaptics推出Astra SR200系列xMCU，可在器件上运行多模态AI工作负载，结合异构AI原生计算与加速、集成高带宽定制DRAM（可扩展至数百M字节），并由Synaptics的Torq AI引擎搭配Google Research支持transformer的Coral NPU驱动，AI推理能力最高达400 GOPS。该系列包含三条引脚兼容的产品线：SR210面向常开语音与传感，达到200 GOPS；SR230增加视觉、显示及可选音频，达300 GOPS；SR250提供400 GOPS，并具备双视觉与显示路径。器件还配备Arm Cortex-M85和Cortex-M52内核、集成视觉与音频能力以及硬件根安全，分层架构将最高8 M字节SRAM与可扩展高带宽定制DRAM配对，Synaptics称该架构的运行功耗为典型系统DRAM的三分之一。
据报道，尽管英特尔EMIB-T基板良率不佳，谷歌仍坚持让HumuFish完全采用EMIB-T。行业消息人士称，EMIB-T基板良率在2026年第三季度约为35%，远低于年底设定的50%目标；良率不佳的原因据称为ABF基板与嵌入硅桥在高温处理中热膨胀差异导致对准困难，以及桥下TSV所用的NCF（非导电膜）在键合时可能困住气泡、削弱粘附力。虽然市场有HumuFish延迟的传闻，且存在转用台积电CoWoS-L的可能性，但供应链查核显示HumuFish仍'100%' commitment于EMIB-T。英特尔已调整基板电镀工艺，Ibiden、欣兴（Unimicron）、新光（Shinko）等供应商持续努力改善良率。谷歌TPU v9系列确认包含三个变种：博通设计的WhaleFish（预计采用台积电CoWoS-L，2027年下半年量产）、联发科设计的HumuFish（计划2028年上半年量产，完全依赖英特尔EMIB-T）和TriggerFish（计划采用EMIB-T，目标2028年下半年或之后量产）。据TechNews援引分析师郭明錤，TriggerFish定位为推理能力更强的升级版TPU v9，相对HumuFish有三项升级：SRAM容量提升2–3倍、增加一颗仿真die、从HBM4转向HBM4E。延迟方面，谷歌设计的Compute Die A（基于台积电N2工艺）流片已推迟至10月下旬，其他die仍按计划进行，预计将推迟完整封装的试产；Commercial Times进一步指出，联发科参与的谷歌TPU v9项目（HumuFish）流片可能因设计修订推迟至2027年1月，出货可能因此延迟至2028年第一季度。由于HumuFish要到2028年上半年才量产，供应链仍有一些时间解决EMIB-T的剩余问题，但若流片推迟到2027年1月将压缩缓冲时间。
据ZDNet援引业内消息人士报道，已将其推理技术授权给NVIDIA的AI芯片公司Groq正在考虑在下一代芯片中采用3D堆叠DRAM，可能放弃其以SRAM为中心的设计，从而显著增加片上内存容量；该消息属于传闻/计划，并非已确认的实施。报道指出Groq正在探索3DS（3D堆叠内存），其通过硅通孔（TSV）垂直连接DRAM裸片；3DS与HBM虽都依赖TSV，但HBM侧重高数据传输速度，3DS侧重在保留传统DRAM接口的同时增加内存容量。现有NVIDIA Groq 3 LPX是面向Vera Rubin平台的机架级AI推理加速器，据NVIDIA称，每颗Groq 3 LPU集成500MB SRAM、片上内存带宽150TB/s，整套LPX机架组合256颗LPU、提供128GB SRAM和40PB/s聚合SRAM带宽；据该公司称，每个机架还提供12TB DDR5内存与128GB SRAM并用。据36Kr援引d-Matrix CEO Sid Sheth称，SRAM容量每两年仅增长约10–20%，而AI模型规模可能每六到九个月翻倍，这一差距使SRAM难以单独满足内存容量与带宽需求。制造方面，据Seoul Economic Daily，Samsung Foundry在其Pyeongtaek工厂以4nm工艺代工NVIDIA的Groq 3 LPU；Samsung高管曾在6月表示正在与NVIDIA就下一代Groq LPU讨论代工合作；TSMC董事长魏哲家在4月的法说会上表示TSMC正与客户合作开发下一代LPU。此外，同样重度依赖SRAM的Cerebras也在推进3D堆叠DRAM，据该公司称其未来的CS-6系统将把堆叠DRAM与晶圆级SRAM及计算整合，以在保持快速数据访问的同时显著扩展内存容量。
德文特的综合调查研究称，全球汽车存储芯片市场整体保持稳健增长态势，2026年市场规模达到74.03亿美元（此为该报告数据，非实际成交统计），并预计到2033年将增长至176.77亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为13.24%，均为预测性质。报告称中国在全球市场中的重要性持续提升，但2026年中国市场规模及占比的具体数字在原文中为空白。报告将汽车存储芯片细分为DRAM、NOR、NAND、SRAM、EEPROM，下游应用涵盖车载信息娱乐系统、ADAS、T-box、数位仪表盘，并列出美光科技、三星电子、SK海力士等主要领先厂商，各梯队市场份额数据在原文中亦为空白。报告同时分析12个关键国家和区域市场，内容为市场研究报告性质，原文未涉及具体价格变动。
10月21日A股主要指数集体回调（上证指数跌0.60%、深证成指跌0.82%、创业板指跌1.62%），但存储方向午后回暖：机构预估四季度DRAM合约价格环比上涨约20%，三星电子、SK海力士当日分别收涨5.67%、5.8%；半导体设备ETF（561980）则收跌0.93%，算力硬件内部分化。同日科创芯片设计ETF（589390）涨1.10%。工信部披露，截至9月底全国智能算力规模达2592 EFLOPS、同比增长146%，并将加快算力设施扩容提质。上述DRAM四季度价格上涨为机构预估，非已实现数据。
Synaptics Incorporated (Nasdaq: SYNA) 发布Astra SR200系列，推出xMCU这一新型微控制器品类，可运行多模态边缘AI。该xMCU结合异构、AI原生算力与加速，并集成可扩展至数百兆字节的高带宽定制DRAM，据称使更大的AI模型和更丰富的多模态工作负载可完全在设备端运行。SR200系列面向下一代AI可穿戴设备、电池供电传感设备、联网摄像头、流媒体设备及工业视觉与语音系统，由Synaptics Torq AI引擎驱动，采用来自Google Research的Coral NPU，并实现Arm Cortex-M85与Cortex-M52的业界首发搭配，同时集成视觉与音频能力及硬件根安全。此为产品发布信息，不涉及价格或供需变化。
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
据 cnBeta.COM 2026年10月21日报道，已被英伟达纳入麾下的 AI 推理芯片公司 Groq 计划在下一代 LPU（语言处理单元）产品中引入 3D 堆叠 DRAM 技术，以替代当前广泛采用的 SRAM 方案，此举意味着未来更侧重提升芯片存储容量，以适应不断膨胀的大型 AI 模型需求，属计划而非已实现的产品变更。现有一代 Groq LPU 采用 500MB SRAM 设计，内存带宽高达 150TB/s，单颗可提供约 1.20 PFLOPs 的 FP8 算力；LPX 机架配置 256 颗此类芯片，总计提供 128GB SRAM 容量和 640TB/s 扩展带宽。该机架由英伟达于今年早些时候公布并纳入 Vera Rubin 生态体系，已于今年 8 月进入全面量产阶段；早期测试显示，在与 NVL72 服务器协同工作时系统可实现每秒 3400 个 Token 的推理速度，创性能纪录。报道称，与 SRAM 相比 DRAM 容量更高但带宽和访问速度较低；3D 堆叠方案可堆叠多层 DRAM 并利用 TSV 硅通孔实现层间连接，与 HBM 实现方式相似，可提高单位面积存储密度、改善能效并减少占用空间。报道还提到，未来 Groq 或许不会完全放弃 SRAM，而是将 DRAM 与 SRAM 产品线并行发展，按应用场景提供差异化方案。原文未说明具体时间表或量产计划细节。
美光科技表示，在台湾员工罢工一触即发的情况下，美光内存台湾公司与台湾美光 memory 工会台中分会经过多轮建设性讨论，已就多项议题达成协议。双方签署了劳资协议，并同意取消原定于10月22日进行的调解。桃园工会仍计划于同日（10月22日）进行为期一天的罢工，美光将继续与桃园工会谈判。原文未说明劳资争议的具体原因。
本周DRAM现货市场呈现分化格局。DDR5方面供给持续紧张，供应商明显惜售，即使部分买家愿意提高目标价仍无法获得货源分配，同时询价断断续续，未能引发追价动能。品牌DDR4芯片方面，下游模组厂严格控制资金与库存，限制了实际订单释放，令交易情绪低迷。尽管如此，主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的现货均价本周（10月20日）上涨0.84%至46.357美元。原文未说明DDR4均价上涨的具体原因。
戴尔科技董事长兼首席执行官迈克尔·戴尔表示，全球半导体行业内存供应紧张局面远未结束，预计将在2027年进一步恶化；原因是人工智能数据中心建设持续加速，使DRAM和高带宽内存（HBM）供应承受越来越大压力。戴尔目前面临的最大问题不是需求不足，而是关键零部件供应受限，公司尚有约950亿美元AI服务器订单未完成交付，创历史最高积压纪录，阻碍订单转化为收入的核心因素是内存供应不足。他指出新建一座内存晶圆厂通常需约四年才能建成投产，即使现在规划扩产，也难以在2029年至2030年前提供足够新增产能。美光高层此前表示2027年至2028年内存供应紧张程度可能超过今年，SK海力士管理层曾预计供需失衡可能持续到2030年前后。戴尔正采取更谨慎的采购策略，尽量在接近最终组装阶段才采购DRAM，并通过长期供货协议锁定未来产能，但外界不清楚这些措施在消费级产品业务中的应用程度。过去一年内存价格大幅上涨，DIY市场多个细分领域受影响，戴尔已上调部分PC产品售价，近期市场也传出显示器价格上涨的消息；若2027年供应形势进一步恶化，PC、服务器及AI基础设施市场可能迎来新一轮涨价。
中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）的下一个DRAM里程碑为：计划在2026年底前实现采用混合键合（hybrid bonding）技术的4F²服务器内存。在近期一次股东会上，管理层承诺进入其所谓的极端存储微缩'未知领域'，并表示将利用工艺创新来克服技术障碍。该目标为计划性质，原文未说明量产时间表细节以外的进展，也未说明原因或市场影响。
据快科技10月21日消息，行业内部人士透露，被英伟达实质性收购后的Groq正在积极评估将其下一代芯片中的SRAM替换为DRAM，并计划引入3D堆叠DRAM封装技术。Groq计划采用名为3DS的方案，利用TSV技术在DRAM芯片内部打穿数千个微型孔洞进行垂直互连，在保持现有DRAM标准接口协议的前提下以存储容量扩张为主要目标，这与追求极致数据交换速率的HBM侧重点不同。此举旨在摆脱传统SRAM架构在容量上的局限，以应对超大规模AI模型的推理需求；其现有LPU架构依赖的SRAM容量极小，在千亿级参数模型时存在不足。该方案目前处于计划/评估阶段。
市场调查机构集邦咨询（TrendForce）援引多方报道称，预估2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。从涨幅来看，相较于第二季度（约80%）和第三季度（约40%），第四季度涨幅呈现增速放缓情况，但DRAM市场整体依然处于价格高位，原文说明其处于供应紧张、需求强劲的周期中。该数据为机构预估，并非已实现的成交结果。
戴尔董事长兼CEO Michael Dell对《华尔街日报》表示，他认为内存短缺远未结束，并预计2027年（明年）情况将恶化，原因是AI数据中心建设持续吸收DRAM和HBM供应。他表示戴尔的瓶颈不是需求：公司握有约950亿美元尚未交付的AI服务器订单，为其历史上最大的积压订单；内存正是拖累这些出货的因素，因为AI加速器需要大量HBM，而周边服务器仍依赖常规DRAM。缓解看似遥远：新建内存晶圆厂约需四年建成，因此据称Dell预计2029年或2030年之前不会出现有意义的新供应。这与美光CEO最近的表态一致，后者称2027年和2028年的供应将比今年紧张得多；SK海力士CEO也表示类似看法，预计内存短缺将持续到2030年。据报道，戴尔的应对方式是仅在接近最终组装时才购买DRAM，并锁定长期供应协议，但这些做法在多大程度上适用于其消费类产品尚无消息。