三星展示zHBM，性能达HBM5八倍
三星在FMS 2026展示zHBM，承诺达到HBM5性能的8倍。该技术旨在将内存更靠近GPU，解决AI计算瓶颈。
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下一代3D内存架构的潜在供应能力变化。
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三星在FMS 2026展示zHBM，承诺达到HBM5性能的8倍。该技术旨在将内存更靠近GPU，解决AI计算瓶颈。
下一代3D内存架构的潜在供应能力变化。
三星宣布zHBM性能约为下一代HBM5的8倍，密度为10倍以上，预计2029年量产。该技术旨在通过直接堆叠在AI加速器上来解决带宽瓶颈，与SK海力士的HBF形成竞争。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。
属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
SK海力士为HBM5开发iHBM方案，将热阻降低30%。此举旨在解决高带宽存储芯片的散热瓶颈，提升封装性能。
HBM供需格局，维持高景气度。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案，将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE，利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性，强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
三星电子确认代工NVIDIA的Groq 3 LPU，该芯片将集成至Vera Rubin平台；美光已开始为Rubin量产36GB HBM4，并已向客户送样48GB版本。背景是NVIDIA在GTC 2026上明确了其下一代AI平台的关键供应链伙伴与组件规格。
此为既定产品路线与生产确认，明确了供应链格局，但对现货市场无直接价格影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |