GF发布7nm级FDX Fusion节点,密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计,采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率,符合OCP 800V标准。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
华为Mate 90系列四款机型(标准版、Pro、Pro Max及RS版)已公布详细SKU配置,涵盖12+256GB至16+1TB多种存储档位。此次发布明确了高端旗舰机型的具体硬件需求,特别是对大容量存储和旗舰SoC的配置要求。
该机型发布将直接拉动高端DRAM与NAND Flash的出货需求,需密切跟踪供应链备货情况。
DapuStor发布J5060企业级SSD,通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题,但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
vivo X500起售价上涨1100元,主因存储成本压力。新一代旗舰集中发布,厂商通过涨价抢占换机预算。
存储芯片与图像传感器需求,预计相关元件现货价将维持坚挺。
CXMT宣布24Gb LPDDR5X DRAM已量产,采用四重曝光工艺将半间距缩小至11.95nm。该技术使其工艺能力达到行业最先进量产节点水平。
量产意味着供应增加,可能对现货价格形成压制。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列,首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布,但短期内对现货价格无直接影响。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白,以适应推理时代的算力需求。
关注:此次展示主要聚焦技术愿景,尚未披露具体产能规划或价格影响。
紫光闪存发布E5300 PCIe Gen5 SSD,采用国产主控与SK海力士3D eTLC NAND,顺序性能达14GB/s。该产品覆盖30.72TB大容量,适配多平台环境,体现国产存储技术突破。
新产品发布,短期供需无显著影响,属于技术趋势观察。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖,比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构,旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布,缺乏具体价格或供应数据。
英特尔推出Crescent Island离散GPU,配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化,通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存(LPDDR5X)及AI加速器的需求。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存,AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案,该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求,潜在利空HBM份额。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产,单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计,替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求,现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
大普微在FMS 2026峰会上展示了512TB级EDSFF E2外形规格的PCIe Gen5 QLC NVMe SSD。该产品基于自研DP800控制器和3D eQLC NAND,此前最大容量为256TB。
新产品发布通常对现有256TB级库存造成短期压力,但无直接现货价影响。
三星在FMS 2026展示面向AI基础设施的新一代3D内存产品,涵盖DRAM、NAND和企业存储。该技术旨在提升性能与能效。
STMicroelectronics推出STGAP3S系列栅极驱动器,具备增强电气隔离功能。该系列旨在提升电源设计可靠性。
新产品发布对当前现货价格无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |