TDK推出耐温135度DC-link电容
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
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- TDK Corporation
- Part numbers
- B3272*A/G/T
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TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件,峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装,具备低箝位电压特性,覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货,交期12周,将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V,预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限,将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确,将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
ST推出L6462A TM PFC控制器以降低BOM成本并提升效率,支持250W电源适配器及消费电子产品。
ST需求,但暂无价格波动信号。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关,目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构,主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段,对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关,PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统,具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
STMicroelectronics推出两款100W VIPerGaN高压转换器,分别支持3.5A和4.2A电流限制。该器件集成700V GaN晶体管与QFN封装,专为家电、智能照明及USB-C PD适配器等应用设计,提供高功率密度与能效。
新GaN电源管理芯片上市,利好ST及GaN产业链。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品,旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
东芝推出TLX9920光耦,用于SSR中的MOSFET栅极驱动,具备5000Vrms隔离电压。该器件专为汽车BMS、OBC及工业电源控制设计,采用SO6L封装,满足AEC-Q101标准。
新产品发布对隔离器件需求的潜在拉动。
东芝推出TLX9920光伏输出光耦,为固态继电器中的功率MOSFET提供隔离栅极驱动电压,最小开路电压13.5V,隔离耐压5000Vrms。该产品面向汽车电池管理和工业电源控制,旨在简化电路设计。
此为新品发布,对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
意法半导体推出两款用于GaN晶体管的专用半桥栅极驱动器STDRIVEG212(220V)和STDRIVEG612(600V),千颗单价1.25美元起。此举旨在解决GaN晶体管相比硅器件更窄的栅极电压耐受性问题。
此为常规产品发布,增加了市场供应,对现有元器件价格及供应无直接影响。
Microchip推出SAM9X75D5M混合MCU SiP,专用于汽车数字座舱、HVAC控制及EV充电器。该芯片旨在满足汽车HMI领域对高性能混合信号处理的需求。
新产品发布暂无现货价变动。
Vishay推出VODA1275车规级PV MOSFET驱动器,支持1260V峰值隔离电压。该器件专为800V以上电池系统设计,可替代两个串联驱动器。
新品上市,交期约8周,利好高压车规功率器件市场。
Vishay推出汽车级光隔离MOSFET驱动器VODA1275,典型开路电压20V,交货期8周,单价1.20美元起。该器件针对800V以上电池系统,旨在简化预充电路和BMS设计。
新品发布可能影响长期设计需求,但未提供现货短缺或价格变动的直接交易信号。
Microchip推出SAM9X75D5M混合MCU SiP,起售价为5,000片起订的9.12美元。该芯片集成了Arm926EJ-S处理器与512 Mbit DDR2 SDRAM,支持MIPI DSI和TSN协议,面向汽车座舱和电动汽车充电器等应用。
新品上市,为汽车HMI市场提供高集成度解决方案。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU,用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能,可替代传统背对背FET,将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构,但短期供应与价格影响尚不明朗。
瑞萨电子发布TP65B110HRU,一款650V双向GaN开关,宣称可在太阳能微逆变器等应用中减少一半开关器件并实现超97.5%系统效率。此举基于耗尽型GaN技术,旨在简化电源架构并提升功率密度。
此为新产品发布,未提及产能、供应或价格变动,对现有元件交易无直接影响。
瑞萨电子推出业界首款650V双向GaN开关TP65B110HRU,集成双向电流阻断功能。该产品旨在简化太阳能微逆变器、AI数据中心及电动汽车车载充电器的电源转换设计。
此为新品发布,对现有元件的供应、需求及价格无直接影响。
瑞萨电子推出业界首款650V级双向GaN开关TP65B110HRU,旨在替代传统背对背FET。该器件采用耗尽型GaN技术,简化了太阳能逆变器、AI数据中心及车载充电器的设计。
新产品发布预示相关领域潜在需求增长,但短期无现货价影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |