NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：5/100
瑞萨电子发布首款650V级双向GaN开关
瑞萨电子推出业界首款650V级双向GaN开关TP65B110HRU，旨在替代传统背对背FET。该器件采用耗尽型GaN技术，简化了太阳能逆变器、AI数据中心及车载充电器的设计。利多：新产品发布预示相关领域潜在需求增长，但短期无现货价影响。
GaN SwitchGaN Power Device
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来源：Semiconductor Today · 2026/3/24 · 查看原始来源
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