ASE推出3D SiP VRM方案
ASE推出用于AI数据中心垂直VRM的3D SiP解决方案。此举旨在提升电源效率并支持高密度计算需求。
技术趋势,无直接价格影响。
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ASE推出用于AI数据中心垂直VRM的3D SiP解决方案。此举旨在提升电源效率并支持高密度计算需求。
技术趋势,无直接价格影响。
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计,采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率,符合OCP 800V标准。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
ASRock Industrial发布NUC Core 300 BOX系列,搭载Intel Core 3/5处理器并支持DDR5 6400内存。该系列面向工业控制与数字标牌等边缘计算场景。
DDR5及Intel处理器需求,但现货市场影响有限。
NSING Technologies发布N32系列MCU及TPM 2.0芯片,面向工业自动化与数字能源。该系列MCU集成EtherCAT等接口,TPM芯片提供硬件根信任。
新产品发布,暂无明确的供需或价格变动信号。
Lattice半导体推出Mach-N2 FPGA系列,集成闪存与后量子密码学功能,今日可下单。该系列面向长期基础设施项目,满足CNSA 2.0合规及系统控制与安全需求。
新产品发布虽具技术前瞻性,但短期内对现货价格影响中性。
阿里云T-Head发布Zhenwu V900 AI芯片计划于1Q27量产,同步推出Yitian 720/730服务器CPU,构建全栈自研数据中心芯片。此举旨在降低外部依赖,长期利好代工与封测产能。对当前现货市场影响中性。
MediaTek发布2nm Dimensity 9600 Pro以降低内存使用。在内存成本高企背景下,该芯片旨在减少内存占用。
DRAM短期需求,关注移动端芯片架构优化趋势。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白,以适应推理时代的算力需求。
关注:此次展示主要聚焦技术愿景,尚未披露具体产能规划或价格影响。
ST推出L4983 PFC控制器,针对kW级电源设计,评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式,旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布,对当前现货价格及供应链无直接影响。
Synopsys在DAC 2026展示TetraMem与ANAFLASH的内存计算技术,TetraMem计划2026年量产多级ReRAM芯片。两家公司通过在非易失性内存内直接计算,旨在解决数据中心HBM功耗与带宽瓶颈。
边缘AI领域技术路线变革,短期对现有存储芯片供需无实质影响。
FSP发布Mega GM 1200W电源,定价229美元,美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容,性能超越Gold认证。
日系电容需求增加;关注:美国市场供应紧张。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖,比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构,旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布,缺乏具体价格或供应数据。
英特尔推出Crescent Island离散GPU,配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化,通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存(LPDDR5X)及AI加速器的需求。
中科曙光将在数博会发布新一代词元加速方案,优化存储参与推理管理。此前报告显示其在AI等四大行业市场份额第一。
新技术趋势,暂无现货价格或供应变动。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案,实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片,提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Cerebras Systems于2026年8月推出新一代AI加速器CS-4,性能较GPU方案提升30倍。该产品基于三颗WSE-3 Turbo芯片构建,算力达750 PFLOPs,功耗效率提升10倍。
作为行业首款30倍性能提升的加速器,CS-4将重塑AI推理市场格局,对现有GPU厂商构成直接竞争压力。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
麦景泰认证Infineon 512 Mb Quad SPI NOR Flash用于C-X1车机平台,支持AI语音助手等高级功能。此举反映高端车用存储需求增长。
车用NOR Flash需求。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |