GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
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FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
Renesas推出首款100V增强模式GaN FET，涵盖RTP100E005G1FL等型号。该产品专为AI数据中心、工业自动化等高功率密度场景设计，具备超快开关速度。
新产品线拓展有望提升公司在高功率半导体领域的市场份额。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
苹果将于11月底推出搭载M5 Pro与M5 Max芯片及叠层OLED屏的新款MacBook Pro。此次更新跳过M6系列以加速M7研发，并大幅减轻机身重量。
新款MacBook Pro的发布将提振对M5芯片及OLED屏幕的需求。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖，比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构，旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布，缺乏具体价格或供应数据。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Cerebras Systems于2026年8月推出新一代AI加速器CS-4，性能较GPU方案提升30倍。该产品基于三颗WSE-3 Turbo芯片构建，算力达750 PFLOPs，功耗效率提升10倍。
作为行业首款30倍性能提升的加速器，CS-4将重塑AI推理市场格局，对现有GPU厂商构成直接竞争压力。
英特尔CEO暗示重返存储业务，聚焦堆叠内存与CPU创新。此举旨在应对存储行业竞争格局变化。
目前尚未转化为具体的产能或价格数据。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
索尼发布FX5电影摄影机，搭载Exmor RS CMOS传感器与BIONZ XR2处理器，售价32000元。该机型支持Open Gate与X-OCN 16bit RAW录制，定位高端影视制作。
索尼高端CMOS传感器及影像处理器需求，但短期现货市场影响中性。
英伟达发布Rubin GPU架构，配备224个SM和288GB HBM4内存。该设计旨在实现数据中心的大规模计算扩展。
技术路线图，暂无供应链冲击。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
SiMa Technologies宣布转型为自研硅片的AI软件公司，推出“一键式”物理AI开发环境。Modalix MLSoC旨在提供比传统GPU方案高10倍的能效。
SK海力士在HPED 2026展示12层36GB及16层48GB HBM4，以及12层36GB HBM3e，重申与HPE的合作伙伴关系。
新规格确认AI服务器内存需求强劲，强化全栈AI内存供应商地位。
EPC推出EPC91128等四款基于GaN技术的三相BLDC电机驱动评估板。此举旨在加速下一代高密度运动控制系统的开发与验证。
该产品发布属于技术迭代，对现货市场供需及价格无直接影响。
EPC发布EPC91123评估板，实现800VDC至12.5VDC、6kW隔离转换。该产品专为支持NVIDIA MGX AI工厂生态系统设计，适配800VDC服务器架构。
GaN功率器件长期需求，但当前现货价格无直接波动。
Taoglas推出GVLB208系列双频GNSS天线，尺寸20x20x8mm。该天线支持L1/L5并发运行，适用于高精度定位系统。
新组件上市，对现有供应链无直接影响。
STMicroelectronics推出两款100W VIPerGaN高压转换器，分别支持3.5A和4.2A电流限制。该器件集成700V GaN晶体管与QFN封装，专为家电、智能照明及USB-C PD适配器等应用设计，提供高功率密度与能效。
新GaN电源管理芯片上市，利好ST及GaN产业链。
SK海力士计划2027年量产HBM4E并将于今年下半年提供样品，同时启动192GB SOCAMM2量产。公司利用成熟的1c DRAM工艺提升竞争力，LPDDR6性能提升33%且功耗降低20%以上。
（供应增加）。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |