显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构,将图形处理器(GPU)与高带宽存储器(HBM)垂直堆叠,中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方,两者通过中介层中的垂直导电通孔连接;液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热;电力由底部印刷电路板(PCB)经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出,当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构,垂直堆叠会缩短芯片间距离,但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战;Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔(TGCV),公司于9月发布,该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充;Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备,此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请,并正与约10家公司进行技术讨论,已向其中部分公司提供样品;尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示,最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构,并计划将该结构提交给委外封测(OSAT)公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段,未见量产或商业化实现。
Qualcomm于10月19日宣布,将在韩国江陵举办的2026年ITS世界大会(10月19日至23日,江原道江陵奥林匹克公园)上展示基于车联网(V2X)通信的交通安全技术与服务,并展示实际应用。大会聚焦智能交通系统政策、技术与服务,涵盖网联汽车、自动驾驶、智能基础设施与人工智能。Qualcomm将在会上演示七项技术,包括可扩展V2X、基于ADAS的V2X、智能基础设施、全球V2X解决方案以及合作伙伴利用Qualcomm技术开发的产品。Qualcomm韩国总裁金相杓发表了题为'Accelerating Innovation in Traffic Safety'的主题演讲。
IN2FAB 提供模拟和混合信号 IP 的迁移可行性研究,通过在代表性 IP 部分应用迁移技术,将假设转化为工程评估,帮助企业在决定是否进行全面迁移或重新设计前评估可重用程度、识别哪些器件可映射、参数或器件尺寸限制何时出现、哪些布局结构可保留、何时需要工程干预,并识别自动化可发挥最大贡献的领域,同时协助估算工作量、分配资源、制定时间表、定义验证需求,并可指导交付方式(内部使用、委托 IN2FAB 提供工程服务或结合两者),决策流程为:先从设计出发,测试迁移,测量工作量,然后决定如何进行。原文未说明原因。