三星电子今年向99家韩国中小企业免费转让126项移动、显示及家电技术
据韩国产业通商资源部消息，三星电子今年已将其移动、显示及家电领域的126项技术免费转让给99家中小企业，其中移动技术占转让的大头。该部门于2026年10月19日在首尔良才洞L Tower与三星共同举办了2026年技术分享活动。
- Related manufacturers
- Samsung Electronics
- Impact score
- 25 / 100, low impact
据韩国产业通商资源部消息，三星电子今年已将其移动、显示及家电领域的126项技术免费转让给99家中小企业，其中移动技术占转让的大头。该部门于2026年10月19日在首尔良才洞L Tower与三星共同举办了2026年技术分享活动。
10月19日消息，据雷峰网《新智驾》报道，原华为预测负责人杨旭光近期加入理想汽车，报道提到杨旭光是华为ADS创始团队的核心成员，曾在感知部负责ADS预测模块，与动态感知负责人许彬、静态感知孟昭时构成感知部三大主力；2020年初华为内部酝酿端到端大模型时，杨旭光推动了预测模块的神经网络化调整；2021年苏菁离开后部分技术骨干陆续离开，预测部后来划入规控部并随ADS进入端到端时代被整合进AI模块开发部（加盟原因原文未说明）。背景方面：据IT之家此前报道，理想汽车旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额16.25亿元人民币，由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投、奇绩创坛参与，理想汽车通过全资附属公司出资10亿元、外部投资者合计出资6.25亿元；今年6月Livis Day上理想宣布下半年马赫VLA能力持续进化，第三季度向AD Max推送全新马赫VLA、第四季度对齐特斯拉FSD V14的能力。
特斯拉高管Lars Moravy于10:08在16日接受Hagerty频道采访时详解新Roadster：放弃四驱、采用专用4680电池，目标车重略低于1700公斤；最大功率超1兆瓦，扭矩超过1400牛·米；提供Performance、Thrust、Rocket三个版本，0-60英里/小时加速分别约1.6秒、0.85秒和0.55秒，顶配Rocket版具备有限离地飞行能力；电池工作电压800-1000伏，续航超过300英里（约483公里），15%至80%充电目标约10分钟；主动吸地系统四个约20千瓦风扇可在>200英里/小时产生相当于车重两倍的下压力；SpaceX冷气推进器使用高压氮气，Thrust版200升容器四推进器推力逾80千牛，Rocket版400升容器六推进器总推力接近90千牛，充气需6-7小时，正开发快速充气系统目标半小时；目前有4-5辆原型车，计划明年年初制造更大规模测试车队；售价未公布。
SK海力士的模拟结果显示，NAND可用于运行AI运算：其3D FeNAND将电荷捕获层替换为铁电层以实现模拟存内计算（A-CiM），模拟中吞吐量约为10–20倍，能效约为4,000–5,000倍。此结果为模拟数据，来源未说明任何生产或商用计划，也未说明相关日期。
IT之家10月16日消息，苹果官网线上Apple Store商店已开始维护，苹果首款折叠屏手机iPhone Duo将于今晚8点开启预购。据IT之家此前综合报道，苹果在2026年秋季发布会上发布了iPhone Duo，于10月16日晚8点接受预购，10月23日正式发售，定价15,999元起；具体为256GB 15,999元、512GB 17,999元、1TB 21,499元、2TB 26,499元。该机提供星光白和夜空双色，内外屏均为120Hz（ProMotion），内屏7.6英寸（采用屏下摄像头），外屏5.4英寸，前置12Mp自拍摄像头，后置48Mp主摄及48Mp融合式超广角；搭载A20 Pro处理器，匹配C2基带芯片，全球版本均采用eSIM设计，仅支持eSIM卡，充满一次电续航至高24小时，外屏播放视频至高44小时续航。原文未说明与采购或供应链相关的价格变动原因。
英伟达于10月8日在美国旧金山举办的NVIDIA Spark Editor's Day闭门会上发布了全新超级芯片NVIDIA RTX Spark系列，媒体现场拿到搭载RTX Spark N1X的联想YOGA Pro 15 RTX Spark笔记本。该芯片最高20个CPU核心，GPU由6144个CUDA核心组成（文章称数量与桌面版RTX 5070相当），依托NVLink-C2C技术CPU与GPU互连带宽达600GB/s，统一内存架构最大支持128GB LPDDR5X内存、理论带宽300GB/s；文章称CPU部分主要由联发科负责，联发科此前未做过PC处理器。实测CineBench 2026中RTX Spark N1X CPU单核548分、多核7116分（离电状态为511分和6554分），对比x86架构的AI MAX+ 395为单核457分、多核7793分（其CineBench R23单核2031分、多核35312分）。本地部署Qwen3.8时N1X文章总结输出约每秒32个Token、脚本生成约每秒30个Token，AI MAX+ 395分别为25.37和25.83，苹果M5 Max为43.86和36.59 tok/sec（128GB统一内存的N1X笔记本售价4w+，M5 Max笔记本5w+）。3DMark Steel Nomad Light得分13517、SolarBay Extream得分11294，AI MAX+ 395分别为10791和6881。续航方面，92Wh电池的YOGA Pro 15从满电到关机坚持520分钟，低于同为92Wh的荣耀MagicBook Pro 16 2026的660分钟。游戏实测：赛博朋克2077在2K超级画质关闭光追/DLSS/帧生成下52.87帧，光追超级下平均23.57帧；黑神话悟空2K影视级、DLSS 65、不开光追和帧生成下平均40帧，光追中档32帧；NBA2K 27在2K品质极佳、开光追和帧生成下DLSS5平衡档平均74帧，按现场说法DLSS5将于10月中旬更新，NBA2K 2027开启DLSS5后平均帧率上限将从65提升到90。反作弊兼容方面，根据发布会说法，微软和NVIDIA联合主要反作弊厂商为RTX Spark做了底层适配，《方舟生存进化》《漫威争锋》已支持，PUBG、COD、瓦罗兰特后续跟进，EA的Javelin反作弊系统也在后续支持计划中。文章出处：差评。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
埃隆·马斯克在X平台发文，批评存储厂商在常规DRAM与高带宽内存（HBM）均处于前所未有的短缺之际进行他所称的'敲诈性'定价，同时称赞美光在内存未来价格方面'合理'、是在为长期客户忠诚度做出'聪明的举动'。原文指出，马斯克未点名所批评的公司，也未提供具体定价细节或不同供应商的条款（这些条款通常保密），因此无法确定三星电子和SK海力士对可比产品的要价是否实质高于美光；其言论被认为指向这两家韩国存储厂商。文章补充称，美光自身盈利能力极高：2026财年第四季度营收542.3亿美元，GAAP毛利率81%，高于一年前的40%；云内存业务营收162.83亿美元，非GAAP毛利率83%；核心数据中心存储业务销售180.02亿美元，毛利率90%；汽车与嵌入式业务营收合计68.24亿美元，毛利率达84%；移动与客户端业务营收131.14亿美元，非GAAP毛利率90%。美光已签署26份战略客户协议，覆盖其到2030年预期营收的35%以上，合同包含320亿美元的客户财务承诺（大部分为现金预付款），且公司承认新协议反映了当前更高的内存价格、并非以折扣出售内存。另据报道，三星已锁定覆盖其2027年计划内存产出75%–80%的长期合同，SK海力士也在争取类似安排。市场内部人士与分析师预计内存供应短缺将持续到至少2028年。文章还称，存储厂商此次在没有相应扩大产能的情况下将内存价格提高了数倍，供给仍落后于需求。
SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
10月10日消息，小米金沙江充电宝超薄磁吸10000 45W于今日（10月10日）上架小米有品，售价399元。据商品页面，新品搭载小米金沙江硅碳负极电池，能量密度高达840Wh/L，含硅量16%，通过新国标认证；采用精密堆叠工艺将两块5000mAh电池置于纤薄机身，重量约195g。产品集成专属智能快充芯片，兼容BC、QC、PD等充电协议，支持20W Max磁吸无线快充、45W Max有线快充、有线无线双设备同时充及30W Max快速自充；内置NTC智能控温芯片，搭配石墨烯散热材料与导热硅胶。该事件为消费类配件新品上架，未涉及半导体供需、价格或产能变化。
Intel Foundry发布了两篇关于芯片电力传输（power delivery）的文章。第一篇文章引用Gartner预测：全球数据中心电力需求将从2025年的104吉瓦升至2026年的132吉瓦，到2030年达到290吉瓦；这些为预测数据。该文还称AI优化服务器预计将占2026年消费量的31%，并于2027年超过传统服务器。文章说明传统正面供电将电力与信号路由共用金属层，随着设计复杂度提升导致电阻与电感问题；Intel表示其采用Intel 18A的RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管架构通过将电力布线移至芯片背面来分离这些功能，可降低电阻、电感和IR压降。文章还介绍了Omni MIM片上电容器、基板内嵌电容器和嵌入式深沟槽电容器等本地储能方案，以及全集成稳压器、CoaxMIL磁性电感器、C2VR电容稳压器和专用稳压器chiplet等方案。第二篇文章将问题延伸至chiplet和堆叠裸片，指出先进封装可能造成电气瓶颈，并主张将电压转换移近负载。
这是一篇由西门子数字工业软件Calibre Design Solutions产品工程师Bhanu Pandey撰写的技术评论文章，主题为模拟/混合信号(AMS)验证中的“浮动网络(floating net)”结构缺陷。文章引用Wilson Research Group / Siemens EDA功能验证研究称，首次流片成功率处于历史低位，近68%的设计需要两次或更多次流片，而AMS验证仍是导致重新流片的主要来源之一。文章解释浮动网络的成因（断电模式下节点失去低阻抗通路、由寄生电容上的俘获电荷决定电压、漏电流导致电压漂移，可能引发闩锁或永久性物理损坏），并列举SPICE仿真无法捕获该缺陷的三个原因：收敛处理(gmin stepping)掩盖缺陷、时间尺度问题、测试激励覆盖不足。文章以内部标注为“VICTIM”网络的设计案例说明缺陷在仿真中被掩盖但在硅片中造成大电流尖峰、损坏输出级并导致昂贵的现场失效和重新流片。文章主张采用自动化结构分析（如Calibre Insight Analyzer）在流片前检测浮动网络，将可靠性验证左移，但未涉及任何价格、供需、产能或采购相关信息，属于背景性技术内容。
本文为技术综述，介绍工程（合成）金刚石在数据中心功率电子中的应用背景：AFCOM报告显示平均机架密度已达每机架27 kW，热瓶颈成为性能扩展的主要限制因素，数据中心运营商正向800 V DC母线架构迁移。金刚石导热率约2,200-2,400 W/m·K（同位素富集样品可达3,300 W/m·K），带隙5.5 eV，理论击穿电场约5–10 MV/cm，实验室肖特基二极管已接近8 MV/cm。Coherent Corp. 推出可键合金刚石热管理方案，可与硅、碳化硅、氮化镓直接键合，在最高100 mm²的芯片尺寸上将界面热阻降低最多99%。2026年6月，Element Six（De Beers集团旗下）与东京精密部件厂商Orbray宣布实现3英寸晶圆级单晶金刚石的可复现工艺，4英寸衬底已在开发中；Element Six还在俄勒冈州Gresham的CVD工厂为量产准备2英寸热键合晶圆。Diamond Foundry于2025年在西班牙特鲁希略开设商业化生产工厂并逐步提升产量。日本Ookuma Diamond Device在福岛县大熊町建成其所称的全球首座金刚石半导体工厂，计划量产面向核退役等用途的金刚石功率器件。Power Diamond Systems在SEMICON Japan 2025上首次公开验证封装金刚石半导体性能，展示高压高温用途的金刚石功率MOSFET，希望与潜在客户合作并在2030年代实现商用。Diamond Quanta在多晶金刚石中实现超过555 cm²/V·s的电子迁移率。文章指出，金刚石目前在数据中心主要作为GaN和SiC开关之上的散热使能材料，而非直接替代器件。
IBM第五代FlashCore Modules（FCM5，IBM专有SSD，具备硬件压缩、去重、die striping和网络攻击检测功能，采用QLC NAND加SLC写入区，原始容量点为6.6、12.2、26.4、52.8和105.6 TB）采用Everspin MRAM取代电容器以在断电时防止数据丢失。由于MRAM非易失，驱动器无需使用超级电容将一致性数据写入NAND，元数据保存在MRAM中并在断电后持续存在；IBM可回收原本用于超级电容的空间并加装更多NAND芯片以提高容量。报道援引IBM FlashCore Module (FCM) Product Guide Redbook第21页的FCM5板卡示意图显示Everspin芯片。文章还回顾：2024年4月Everspin宣布IBM在其FlashCore Module 4驱动器中选用其PERSYST EMD4E001G 1 Gb STT-MRAM芯片用于断电数据保护；更早的FCM3为此用途使用最多128 MB Toggle MRAM；IBM已在FCM内部使用几百兆字节Everspin MRAM数年，作为小型非易失写缓存和日志。Everspin称其MRAM产品拥有超过2,000家客户，已量产20年，出货超过2亿颗芯片。
诺亦腾在北京世界机器人大会上发布HiPHI数据集，包含617.5小时亚毫米级高精度人体运动数据。该数据集专为具身AI和数字人研发设计，目前可在Hugging Face免费获取。
该技术里程碑虽推动AI发展，但短期内对半导体供应链无直接交易影响。
英特尔任命克雷格·H·巴雷特为独立董事长，接替任职约17年后退休的弗兰克·D·耶里。此举标志着公司战略转向，倾向于维持一体化制造模式，而非拆分制造业务。
此为高层人事变动，对供应链、库存及价格无直接、可量化影响。
Intel Foundry负责人Kevin O'Buckley离职转投Qualcomm，Naga Chandrasekaran接任。Chandrasekaran此前负责前端工艺开发，现全面掌管技术路线图与全球制造网络。该人事变动对短期供需无直接影响，属于中性事件。
You've reached the end
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |