NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Fri, Oct 23

1 items

03:57Impact score 60
美光经约二十年研究后放弃4F² DRAM、不将其推向市场，转而押注3D DRAM
美光决定不将4F² DRAM推向市场，尽管其自称发明了该单元设计并已研究约二十年。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer于10月21日在公司技术网络研讨会上分享了这一决定。在理论上，4F²采用垂直沟道晶体管，与当今DRAM使用的6F²布局相比可将每个存储单元的占位面积缩小约三分之一；但DeBoer认为实际密度受限于电容器的封装密度而非单元占位面积，称其相对6F²的密度优势是'有点神话'。他还表示4F²可以制造，但成本和复杂度更高，且在最先进节点面临根本性的微缩问题，这指向3D DRAM。这使美光与竞争对手立场相左：三星和SK海力士都在开发4F²设计，中国的长鑫存储（CXMT）表示其首款4F²产品将是年底前推出的服务器DDR5 RDIMM。美光将继续微缩6F²，其1-delta节点计划于2027年下半年在爱达荷州博伊斯拉升产能，其后的1-epsilon节点将转向混合键合。3D DRAM作为并行路径在开发中，但尚无时间表，美光表示只有在经济性合理时才会切换。若竞争对手成功实现4F²的规模化低成本生产，这将是一次有风险的押注，尤其按美光自身的估计，2027年和2028年存储供应预计将更加紧张。
4F² DRAM 6F² DRAM 3D DRAMMicron, Samsung and 4 totalEOL/Discontinuation

Thu, Oct 22

2 items

22:48Impact score 62
美光跳过原规划NAND一代:放弃G10(300+层),由G9直接跃升至G11(400+层),计划明年下半年量产
美光在10月21日于投资者关系网站举行的技术与产品网络研讨会上宣布，将跳过原规划的NAND一代，加速其3D NAND技术路线图，以更快提供额外裸片容量、速度和能效。据Blocks & Files于2026年10月22日(周四15:48 UTC)报道，美光目前出货第九代G9 NAND,采用276层，首款采用该技术的2650客户端SSD于2024年7月发布。总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示，美光将直接从G9跳到G11,并称该存储器经过优化、面向未来AI产品。与G9相比，G11位密度翻倍、I/O速度提升最高1.5倍、传输一位所需能量减少25%;G11将采用晶圆对晶圆键合技术，层数超过400层，计划于明年下半年量产，更多细节将于明年临近发布时公布。该媒体 Bootsnote指出，G10(原规划300+层)已于2026年10月被放弃，G11对应原规划的400+层代际。DeBoer还介绍了可能基于G11的未来产品方向：高IOPS的SLC小区块AI级NAND(约2500万至1亿IOPS量级)和高带宽AI级NAND(类似HBM的TSV堆叠结构，置于加速器附近)，下一代SSD容量最高可达512TB。此外，据BNP Paribas分析师引述，美光HBM4 36GB 12-high已于2026年3月进入量产，HBM4E正在向关键客户送样，公司目标2027年量产HBM4E、2028年HBM5、2029年HBM5E、2030年HBM6,并宣布vHBM和vEIM两条新线目标2028年量产。跳代的原因，按美光说法是为更快提供额外裸片容量、速度和能效并优化AI产品；该媒体另行发表评论认为跳代属营销性质，是对三星、SK hynix及Sandisk/Kioxia代际命名的回应，此为媒体观点而非美光自述。
3D NAND NAND SSDMicronEOL/Discontinuation
20:00Impact score 85
美光宣布放弃未来4F² DRAM架构，结束二十年研究，称其无显著密度优势、增加制造复杂性与成本且存在根本性扩展限制
美光于2026年10月22日宣布放弃未来的4F² DRAM架构，结束约二十年的研究。公司称该架构没有有意义的密度优势、会增加制造复杂性和成本，并存在根本性的扩展限制；美光CTO Scott DeBoer表示电容器间距而非晶体管标称面积决定DRAM位密度，并称4F²在超过某一点后没有可持续的扩展路径，最终将由3D DRAM取代。美光承认4F²技术上可行且已制造过基于该架构的实验性器件。4F²理论上较6F²减少约33%单元面积、可将每片晶圆的存储单元数量提高50%，但美光认为这些理论优势在实践中不一定转化为更高密度。美光计划继续扩展传统6F² DRAM，通过缩小电容器间距和工艺节点提升位密度，其1δ工艺计划于2027年下半年进入量产，位密度较前代提升mid-20%（20%中段），并计划在未来DRAM世代采用High-NA EUV光刻；公司同时在开发多代3D DRAM生产节点，但未披露何时进入商业生产。据TechInsights，三星和SK海力士仍在路线图中保留4F²存储单元。
DRAMMicronEOL/Discontinuation

Thu, Aug 13

1 items

19:00Impact score 90
Cissoid停产2代HADES驱动芯片
Cissoid因X-FAB工艺停产2代HADES驱动芯片及IPM/ICM产品。公司加速3代芯片设计，计划明年发布，尺寸成本更优。
利空
2代产品断供将导致现货紧缺，价格短期看涨。
Gate drivers IPMs ICMsCissoidEOL/Discontinuation

Sun, Jul 19

1 items

22:12Impact score 85
Zilog Z80停产48年，2024年6月EOL
Zilog于2024年6月停止Z80 CPU订单，结束48年生产。该芯片曾用于ZX Spectrum等经典设备，现因晶圆代工厂停止支持而EOL。
利多
Z80现货供应将因停产而短缺，价格预计上涨。
Z80 CPUZilog, LittelfuseEOL/Discontinuation

Sun, May 3

1 items

22:53Impact score 92
英伟达终止旧款Jetson，DDR4价格飙升
英伟达因LPDDR4短缺加速终止旧款Jetson TX2及Xavier模块，将其转为不可退货状态。此次EOL主要针对2017-2018年推出的旧款产品，而新款Orin/Thor仍使用LPDDR5。
利多
DDR4内存价格，现货供应紧张。
LPDDR4 DDR4NvidiaEOL/Discontinuation

Tue, Mar 31

1 items

22:54Impact score 90
Kioxia宣布2D NAND停产，最后出货至2028年底
Kioxia将于2028年底前停止2D NAND及早期BiCS 3D NAND生产，最后出货日定于2028年12月31日。此次停产涵盖32nm至15nm等老旧制程节点，标志着自1980年代以来的平面NAND技术正式终结。
利多
该EOL计划将导致剩余老旧制程库存稀缺，现货价格预计上涨。
NAND Flash Planar NAND eMMCKioxiaEOL/Discontinuation

Sat, Mar 28

1 items

01:35Impact score 88
苹果Mac Pro停产，终结20年塔式电脑历史
苹果正式停产Mac Pro，终结了20年的塔式电脑历史。该机型售价7000美元，搭载M2 Ultra芯片，因不支持独立显卡和内存扩展而失败。
利空
Apple Silicon需求，M2 Ultra库存积压风险增加。
Apple Silicon M2 Ultra Mac ProAppleEOL/Discontinuation

Fri, Mar 20

1 items

11:05Impact score 90
MLC NAND濒临淘汰，3D架构加速转型
全球NAND闪存制造商转向3D架构，导致传统MLC NAND陷入严重供需失衡并濒临淘汰。随着技术迭代，MLC存储正逐渐被更高层数的3D NAND取代。
利空
MLC NAND面临供应枯竭风险，现货价格或持续承压下行。
MLC NAND FlashNAND Flash ManufacturersEOL/Discontinuation

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Fri, Oct 23

美光经约二十年研究后放弃4F² DRAM、不将其推向市场，转而押注3D DRAM

Thu, Oct 22

美光跳过原规划NAND一代:放弃G10(300+层),由G9直接跃升至G11(400+层),计划明年下半年量产

美光宣布放弃未来4F² DRAM架构，结束二十年研究，称其无显著密度优势、增加制造复杂性与成本且存在根本性扩展限制

Thu, Aug 13

Cissoid停产2代HADES驱动芯片

Sun, Jul 19

Zilog Z80停产48年，2024年6月EOL

Sun, May 3

英伟达终止旧款Jetson，DDR4价格飙升

Tue, Mar 31

Kioxia宣布2D NAND停产，最后出货至2028年底

Sat, Mar 28

苹果Mac Pro停产，终结20年塔式电脑历史

Fri, Mar 20

MLC NAND濒临淘汰，3D架构加速转型

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

Trending components