三星代工瞄准汽车与边缘AI芯片，计划2026年推出第二代8LPU+平台并沿用DUV产线控制晶圆成本
三星电子晶圆代工业务计划于2026年推出第二代8LPU+平台，将其已超过八年的8纳米制程延伸至另一世代。该举措瞄准汽车电子、机器人和边缘AI芯片的需求，同时利用现有深紫外（DUV）产线以控制晶圆成本。此为计划，尚未落地。
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三星电子晶圆代工业务计划于2026年推出第二代8LPU+平台，将其已超过八年的8纳米制程延伸至另一世代。该举措瞄准汽车电子、机器人和边缘AI芯片的需求，同时利用现有深紫外（DUV）产线以控制晶圆成本。此为计划，尚未落地。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
Intel已开始在亚利桑那州钱德勒Ocotillo园区的Fab 62安装设备。据Intel官员称，建设和设备安装目前正在进行中，预计2028年底开始投产。Intel代工执行副总裁兼首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示：'今天，我很高兴地分享，Fab 62的建设和工具安装现已全面展开，我们预计到2028年底开始运营。'这一进展发生在Intel的Fab 52达到满负荷产能一年多之后。Fab 62可支持18A、18A-P和14A工艺节点，但公司尚未确认具体支持哪些节点；相邻的Fab 52已在18A节点上制造芯片，目前使用18A工艺制造Panther Lake处理器和Clearwater Forest服务器CPU。可以推测新设施可能扩大现有产能或支持下一代14A工艺，但这属于推测，公司未确认。此外，Intel在俄亥俄州New Albany第一座厂房已完成首个主要结构桁架安装。
据韩国《每日经济新闻》10月22日援引业内消息人士报道，特斯拉与英伟达承诺向三星电机合计投入约3.7万亿韩元，支持其扩大高端倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）封装基板产能，提前锁定下一代AI芯片所需的关键供应资源；原因是随着AI推理需求增长，高端封装基板成为AI供应链扩张的重要环节。相关投资将纳入三星电机今年9月披露的4.27万亿韩元世宗工厂投资计划，新产线预计2027年底完工，2028年上半年完成设备安装与试生产，下半年进入量产，面向特斯拉的首批出货预计2029年启动。三星电机已与特斯拉签署2029年至2033年为期五年的FC-BGA基板长期供应协议，特斯拉将出资约1.1万亿韩元获得世宗工厂专属生产线优先供货，基板用于特斯拉自动驾驶汽车AI芯片及人形机器人Optimus。英伟达同步支持其他供应商：与日本Ibiden签署产能预付协议，承诺投入数十亿美元将其小野工厂产能扩大至原来的三倍，新增产能预计2028年第一季度开始释放；据《每日经济新闻》估算英伟达对三星电机的投资承诺约2.6万亿韩元（官方声明未披露具体金额）；在中国台湾地区通过产能预留协议支持欣兴电子扩充KF基板产能，新增产量预计2027年第二季度开始释放、2028年年中满产；目标是在未来三年内将IC基板总产能提升至现有水平的2.5倍。据业内估算，Ibiden在高端FC-BGA基板市场份额超过70%。此外，三星电机10月19日宣布与一家未具名全球客户签订价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供应合同，供货期覆盖2027年全年。上述均为计划或承诺，尚未实现产能落地。
三星电子正在调整先进芯片制造业务的资源分配，将部分4纳米生产能力转向HBM基底芯片，同时计划采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800。该芯片由三星系统LSI部门开发，预计于2027年完成研发，目标是配合2028年推出的Galaxy S28系列手机，与下一代Exynos 2800处理器共同工作；此前三星的外置调制解调器主要采用4纳米工艺。根据目前披露的信息，三星仍计划使用4纳米工艺生产标准HBM产品的基底芯片，并非所有相关产品都立即转向2纳米。此外，英伟达的定制化HBM项目NVHBM要求相关供应商采用台积电3纳米工艺制造基底芯片，三星、SK海力士及美光等厂商参与该合作；行业消息称，三星正在验证利用自家2纳米工艺制造NVHBM基底芯片的可行性，以便在台积电先进制程产能紧张时拥有替代方案，相关计划仍处于验证阶段，尚不能视为已确定的大规模量产安排。文章还指出，目前尚无证据表明高通已决定将某一款旗舰骁龙处理器交给三星以2纳米工艺生产，三星能否获得订单取决于良率、性能、功耗、成本及高通的可靠性要求，相关报道提出的是一种可能的发展方向而非已确定的商业合作结果。原文将上述调整的原因归结为人工智能计算需求持续增长带来的HBM市场需求迅速扩大，正在改变半导体产业的产能配置。
据快科技10月22日消息，传闻在最近一次SpaceX电话会议上，马斯克透露TeraFab工厂计划2028年第三季度实现量产，也可能等到第四季度；马斯克认为该时间表"非常激进"，因为美国地区生产先进逻辑芯片的晶圆厂通常需要三年或更长时间才能建成。另有消息称，SpaceX计划2027年5月至6月之间在位于奥斯汀的研究设施生产首个SRAM测试芯片，以完成开发及优化制造工艺。有分析人士指出，确保拿到生产设备仍是TeraFab项目面临的主要难题，尤其是来自ASML等供应商的关键设备。ASML近日公布2026年第三季度财报，表示订单量增长强劲；虽然2027年和2028年产能都将增长30%，但预计现有供应计划仍无法完全满足客户需求，ASML已在研究进一步扩大生产，但TeraFab能否在期限内拿到足够数量的光刻机仍是未知数。此前有报道称，TeraFab工厂将于2027年中旬接收首台EUV光刻机，但厂房建设稍慢，要到2027年末才完成，EUV光刻机可能晚一些搬入并闲置一段时间。
Nvidia于当地时间10月21日宣布，为满足AI基础设施需求增长，正与三星电机、揖斐电、Amkor Technology、京元电子(KYEC)、硅品(SPIL)及欣兴(Unimicron)合作，通过预付款锁定半导体封装基板、测试及 co-packaged optics(CPO)产能。黄仁勋表示需求巨大但产能受限。基板方面：与揖斐电、三星电机及欣兴扩大协议，三年内将半导体封装基板产能提升至2.5倍；Nvidia已在揖斐电预订数十亿美元产能并预付，目标是其日本小野工厂产能提升至三倍，新增产能预计2028年第一季度全面运营；三星电机将于2026年起从韩国产线供应下一代封装基板，Nvidia将支持其世宗与釜山工厂设备升级及新厂建设；与欣兴签订产能预订协议支持台湾KF工厂扩产，产能自2027年第二季度开始增加，预计2028年中期达到满载。先进封装方面：与Amkor在韩国光州扩产，计划到2028年底将中介层(interposer)晶圆产能提升300%以上。测试方面：向KYEC预付11亿美元预订产能，美国、台湾及新加坡扩产将使2027年总测试产能较2026年水平翻倍；美国新测试工厂计划2027年4月量产，新加坡扩产产线2027年2月量产。CPO方面：与SPIL在台湾扩大光引擎产能，2027年中期提升至15倍，2028年底再翻倍。上述扩产均属计划/预期安排，非已实现结果。
据快科技10月22日消息，英特尔于周三宣布，其位于亚利桑那州的Fab 62工厂已开始安装生产设备，公司预计该工厂将于2028年底前投入运营并实现量产，但尚未透露何时开始大规模量产以及将生产哪些制程节点。Fab 62的框架结构建设早已完成。尽管英特尔14A工艺节点曾被讨论为Fab 62的潜在生产基地，但英特尔尚未正式将Fab 62指定为Intel 14A的生产基地；根据英特尔今年早些时候公布的制造工艺路线图，Fab 62将能够生产采用18A、18A-P和14A工艺节点的芯片。英特尔目前在相邻的Fab 52（已被指定用于Intel 18A生产）生产Intel 18A芯片，而Fab 62有可能容纳更多Intel 18A芯片产能，或用于生产下一代Intel 14A工艺技术，但英特尔尚未确认其在该工厂的计划。该工厂将成为英特尔位于奥科蒂洛园区的第六个大批量半导体制造厂。
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
据22日业内消息，特斯拉、英伟达将分别出资1.1万亿韩元、2.6万亿韩元（合计3.7万亿韩元），与三星电机共建FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）产线，这是面向AI半导体的新一代封装基板；当前FC-BGA已成为AI供应链新瓶颈，两家企业敲定对三星电机工厂的投资。三星电机已和特斯拉签署FC-BGA长期供货协议，并在世宗工厂新建专属产线；按照约定，特斯拉出资约1.1万亿韩元，用于产线扩建与设备投入，换取中长期稳定供货保障。这批基板将供给特斯拉自动驾驶电动车、人形机器人Optimus搭载的AI芯片。（新浪财经）
德州仪器在第三季度财报电话会议中表示，得益于工业、汽车和数据中心业务的强劲需求，公司实现强劲营收增长。公司称其芯片正面临供应紧张的环境，同时提及正在提升生产和测试产能，包括通过其新的马来西亚后端工厂。原文未给出具体营收数字、日期或产能扩张的量化细节。
10月22日消息，马斯克在特斯拉第三季度财报电话会议上公布Terafab芯片制造项目规划：位于奥斯汀的研发晶圆厂正在取得进展，设备将于2027年上半年（'明年上半年'）启动调试，若一切顺利约在五六月份制造首批测试芯片以验证能否造出芯片。按规划，初期月产能为10万片晶圆，后续扩产至每月100万片；起步阶段仅尝试每月生产数千片晶圆，最初目标只是'验证技术思路'。Terafab的目标是'在2028年第三季度实现某类实用芯片的量产'，马斯克还称其经济价值'或许能跻身全球前二十国家经济体的水平'。项目主要合作方是英特尔，双方将合作采用14A制造工艺；14A是英特尔下一代制程节点，马斯克本次发言并未说明其在Terafab 2028年量产计划中的具体作用，英特尔已确认14A工艺将于2028年第一季度进入量产。Terafab也是特斯拉生产AI5芯片的核心项目，该芯片将用于驱动擎天柱人形机器人。上述量产内容均为规划目标，未见已实现表述。马斯克同时计划为擎天柱建造一座'机器人学校'保障AI训练，并称年产100万台机器人的目标所需时间可能超过一年：百万台级产线绝大部分设备现已落户弗里蒙特工厂，但预计至少还需一年甚至更久才能达成对应年化产能，实现每周2万台的产量；设计层面难题预计2027年底解决。报道还提及擎天柱供应链搭建中，美乐达、亚洲光学等供应商据称参与提供谐波减速器、关节模组、执行器等零部件，以及训练用Optimi机器人需一万至两万台；Colossus项目计划年底在一处设施部署总计120万枚GPU芯片。
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
三星电机于10月21日宣布，已与英伟达签署战略性业务合作协议，供应半导体封装基板。双方将共同投资，在三星电机的世宗和釜山工厂建立人工智能（AI）半导体封装基板的专用生产设施；通过客户支持投资扩大封装基板生产线的计划自2026年上半年以来一直在考虑之中，如今通过与英伟达的合作得以成形。产品包括用于AI计算芯片以及数据中心内实现芯片间高速连接的网络交换机的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板。三星电机将从其韩国生产设施供货，根据自2026年开始的多年期安排供应下一代基板。供应量预计自2026年起以两位数的年增长率增长；到2028年，英伟达相关生产预计将占公司总产能的相当大份额。基板还将嵌入包括多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器（Si-Caps）在内的被动元件，用于控制超高速计算中产生的电源噪声并最大化电源效率。此为计划/预期状态，扩产实施尚待推进。
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
苹果于2026年10月21日宣布扩大其美国制造计划：Qnity Electronics（总部位于特拉华州，2026年3月加入该计划）将在美国为iPhone 18 Pro主摄像头的可变光圈生产先进薄膜；苹果还与宾夕法尼亚州的Perryman Company签署协议，为可折叠iPhone Duo供应钛材，承诺三年内金额最高达1亿美元。据苹果称，其最新iPhone中近100个零部件来自美国公司，iPhone Duo和iPhone 18 Pro的美国产零部件供应商分布在超过十二个州。其中：Broadcom在科罗拉多州Fort Collins工厂正在扩建和现代化，投资15亿美元（2026年7月宣布），多年协议覆盖超过150亿颗美国制造芯片；Corning位于肯塔基州Harrodsburg的工厂到2026年底将生产全球销售的iPhone和Apple Watch的全部盖板玻璃；Coherent从得克萨斯州Sherman工厂供应Face ID用VCSEL激光器；TSMC亚利桑那州晶圆厂预计2026年为苹果生产超过1亿颗芯片，北园区建设正在进行中；Amkor于2025年9月在亚利桑那州Peoria为其首个大批量封装测试厂动工，今年开始建设厂房外壳，苹果将是其首批客户之一，前两期预计雇用超过3,500人。苹果还在休斯敦开设了先进制造中心，并将在这座同样组装AI服务器的工厂于今年开始制造Mac mini。该计划是苹果对美国的6,000亿美元、四年期制造与创新承诺的一部分。
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
据路透社10月21日援引四位知情人士报道，三星电子和SK海力士正在升级其在中国境内的NAND闪存工厂，以生产超过200层的芯片。报道给出的原因是，此举将使这两家韩国存储厂商夺回被长江存储科技（YMTC）夺走的市场空间，尽管针对其中国业务升级的美国出口管制在形式上仍然生效。该报道属于计划性质的升级，未说明完成时间，且美国限制措施尚未解除。
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| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |