NuAxi Stream - Real-Time Semiconductor Intelligence

Fri, Oct 23

2 items

06:23Impact score 60
英特尔Fab 62开始安装设备目标在2028年底前投入运营
英特尔表示，位于美国亚利桑那州钱德勒市奥科蒂洛园区的Fab 62已进入设备安装阶段，厂房建设和生产设备进场正同步进行，公司预计该厂在2028年底前开始运营；英特尔代工部门首席技术与运营官纳迦·钱德拉塞卡兰称这是公司在奥科蒂洛园区的第六座高产能制造厂。Fab 62的具体制程尚未公布，英特尔尚未确认任何方案，也未公布该厂产能和客户安排；作为参照，相邻的Fab 52已采用18A制程生产，18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。美国扩产计划还在其他地区推进：俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架，加州圣克拉拉的新光罩制造设施已举行奠基。另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租用于在美国生产存储芯片，双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。
18A 18A-P 14A英特尔, SK海力士Capacity Change
05:41Impact score 60
Intel亚利桑那州Ocotillo园区Fab 62进入下一阶段，开始安装设备，预计2028年底投产
Intel已开始在亚利桑那州钱德勒Ocotillo园区的Fab 62安装设备。据Intel官员称，建设和设备安装目前正在进行中，预计2028年底开始投产。Intel代工执行副总裁兼首席技术与运营官Naga Chandrasekaran表示：'今天，我很高兴地分享，Fab 62的建设和工具安装现已全面展开，我们预计到2028年底开始运营。'这一进展发生在Intel的Fab 52达到满负荷产能一年多之后。Fab 62可支持18A、18A-P和14A工艺节点，但公司尚未确认具体支持哪些节点；相邻的Fab 52已在18A节点上制造芯片，目前使用18A工艺制造Panther Lake处理器和Clearwater Forest服务器CPU。可以推测新设施可能扩大现有产能或支持下一代14A工艺，但这属于推测，公司未确认。此外，Intel在俄亥俄州New Albany第一座厂房已完成首个主要结构桁架安装。
18A 18A-P 14AIntelCapacity Change

Thu, Oct 22

9 items

21:00Impact score 60
英特尔美国扩产推进：亚利桑那Fab 62开始设备安装，目标2028年底投产（潜在18A或14A产能）；俄亥俄One首座厂房开始成形
据TrendForce于2026年10月22日发布的消息，英特尔美国 fab 扩建计划正推进中：亚利桑那州Fab 62已开始设备安装，目标于2028年底投产，潜在产能为18A或14A工艺；同时俄亥俄One首座厂房开始呈现结构成形。该事件属于计划中的扩产，产能对应工艺（18A或14A）尚未确定，原文未说明原因。
18A 14AIntelCapacity Change
20:42Impact score 58
三星将部分4纳米产能转向HBM基底芯片，计划以2纳米工艺制造M2800调制解调器，NVHBM基底芯片2纳米方案仍处验证阶段
三星电子正在调整先进芯片制造业务的资源分配，将部分4纳米生产能力转向HBM基底芯片，同时计划采用2纳米工艺制造下一代外置5G调制解调器M2800。该芯片由三星系统LSI部门开发，预计于2027年完成研发，目标是配合2028年推出的Galaxy S28系列手机，与下一代Exynos 2800处理器共同工作；此前三星的外置调制解调器主要采用4纳米工艺。根据目前披露的信息，三星仍计划使用4纳米工艺生产标准HBM产品的基底芯片，并非所有相关产品都立即转向2纳米。此外，英伟达的定制化HBM项目NVHBM要求相关供应商采用台积电3纳米工艺制造基底芯片，三星、SK海力士及美光等厂商参与该合作；行业消息称，三星正在验证利用自家2纳米工艺制造NVHBM基底芯片的可行性，以便在台积电先进制程产能紧张时拥有替代方案，相关计划仍处于验证阶段，尚不能视为已确定的大规模量产安排。文章还指出，目前尚无证据表明高通已决定将某一款旗舰骁龙处理器交给三星以2纳米工艺生产，三星能否获得订单取决于良率、性能、功耗、成本及高通的可靠性要求，相关报道提出的是一种可能的发展方向而非已确定的商业合作结果。原文将上述调整的原因归结为人工智能计算需求持续增长带来的HBM市场需求迅速扩大，正在改变半导体产业的产能配置。
HBM基底芯片 HBM 外置5G调制解调器三星电子, 高通 and 6 totalCapacity Change
17:28Impact score 60
英特尔巨型晶圆厂宣布量产计划：预计应用18A芯片 2028年底前量产
据快科技10月22日消息，英特尔于周三宣布，其位于亚利桑那州的Fab 62工厂已开始安装生产设备，公司预计该工厂将于2028年底前投入运营并实现量产，但尚未透露何时开始大规模量产以及将生产哪些制程节点。Fab 62的框架结构建设早已完成。尽管英特尔14A工艺节点曾被讨论为Fab 62的潜在生产基地，但英特尔尚未正式将Fab 62指定为Intel 14A的生产基地；根据英特尔今年早些时候公布的制造工艺路线图，Fab 62将能够生产采用18A、18A-P和14A工艺节点的芯片。英特尔目前在相邻的Fab 52（已被指定用于Intel 18A生产）生产Intel 18A芯片，而Fab 62有可能容纳更多Intel 18A芯片产能，或用于生产下一代Intel 14A工艺技术，但英特尔尚未确认其在该工厂的计划。该工厂将成为英特尔位于奥科蒂洛园区的第六个大批量半导体制造厂。
Intel 18A Intel 18A-P Intel 14A英特尔Capacity Change
16:00Impact score 60
Nvidia与三星电机共同投资ABF载板产能
Nvidia与三星电机（Samsung Electro-Mechanics）将在韩国共同投资设立专用的ABF载板（封装基板）生产线，根据一项多年期协议，三星电机将成为Nvidia AI处理器与网络交换机所用封装基板的供应商。新生产线将设在三星电机位于世宗（Sejong）和釜山（Busan）的工厂，交付预计于2026年开始。两家公司均未披露投资金额或成本分担方式。协议涵盖Nvidia计算芯片组以及数据中心内连接芯片的高速网络交换机所用基板。三星电机预计其向Nvidia的供货量将以两位数年率增长；到2028年，Nvidia预计将占其年度封装基板总产能的重要部分。三星电机称该合作将为Nvidia的AI芯片量产提供稳定基板供应并缓解AI基础设施市场的供应链瓶颈，对三星电机而言则是进入技术壁垒极高的高端AI基板市场。协议发布于三星电机与一家未具名全球客户签署价值3605亿韩元的存储半导体封装基板供货协议之后不久。该扩产为计划状态，尚未投产。
ABF substrate (package substrate)Nvidia, Samsung Electro-MechanicsCapacity Change
11:22Impact score 60
英特尔开始在亚利桑那州Fab 62安装设备，并推进俄亥俄州项目建设，AI数据中心处理器需求增强
英特尔正在推进其长期拖延的美国半导体制造项目：亚利桑那州Fab 62工厂正在进行设备安装，俄亥俄州工地建设持续推进。原文说明，这一进展发生在AI数据中心处理器需求增强之际，支撑该公司扩大产能并强化其代工业务的努力。原文未说明具体扩产量或投产时间。
AI data center processorsIntelCapacity Change
10:51Impact score 55
英特尔美国多地产能建设持续推进，亚利桑那 Fab 62 晶圆厂预计 2028 年底投运
据IT之家10月22日报道，英特尔当地时间昨日表示其位于美国多地的产能建设项目正持续推进。在亚利桑那州Ocotillo园区的第六座量产晶圆厂Fab 62已全面进入建设和设备安装工作阶段，该设施预计于2028年底投入运营；俄亥俄州New Albany的Ohio One园区首座晶圆厂(Mod 1)已安装第一个大型结构桁架；此外英特尔今年早些时候还在加利福尼亚州圣克拉拉市破土动工兴建一座新的掩模制造厂。该事件属于规划中的产能扩建，原文未说明原因。
晶圆厂产能Intel（英特尔）Capacity Change
10:23Impact score 58
马斯克：Terafab 计划 2027 年上半年调试设备、2028 年第三季度量产芯片，初期月产能 10 万片晶圆并与英特尔合作 14A 工艺
10月22日消息，马斯克在特斯拉第三季度财报电话会议上公布Terafab芯片制造项目规划：位于奥斯汀的研发晶圆厂正在取得进展，设备将于2027年上半年（'明年上半年'）启动调试，若一切顺利约在五六月份制造首批测试芯片以验证能否造出芯片。按规划，初期月产能为10万片晶圆，后续扩产至每月100万片；起步阶段仅尝试每月生产数千片晶圆，最初目标只是'验证技术思路'。Terafab的目标是'在2028年第三季度实现某类实用芯片的量产'，马斯克还称其经济价值'或许能跻身全球前二十国家经济体的水平'。项目主要合作方是英特尔，双方将合作采用14A制造工艺；14A是英特尔下一代制程节点，马斯克本次发言并未说明其在Terafab 2028年量产计划中的具体作用，英特尔已确认14A工艺将于2028年第一季度进入量产。Terafab也是特斯拉生产AI5芯片的核心项目，该芯片将用于驱动擎天柱人形机器人。上述量产内容均为规划目标，未见已实现表述。马斯克同时计划为擎天柱建造一座'机器人学校'保障AI训练，并称年产100万台机器人的目标所需时间可能超过一年：百万台级产线绝大部分设备现已落户弗里蒙特工厂，但预计至少还需一年甚至更久才能达成对应年化产能，实现每周2万台的产量；设计层面难题预计2027年底解决。报道还提及擎天柱供应链搭建中，美乐达、亚洲光学等供应商据称参与提供谐波减速器、关节模组、执行器等零部件，以及训练用Optimi机器人需一万至两万台；Colossus项目计划年底在一处设施部署总计120万枚GPU芯片。
AI5芯片 14A制程谐波减速器特斯拉, 英特尔 and 4 totalCapacity Change
09:05Impact score 62
据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
FC-BGA substrate memory semiconductor package substrate KF substrateSamsung Electro-Mechanics, Tesla and 5 totalCapacity Change
03:35Impact score 60
Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
High-NA EUV lithography Intel 18A Intel 18A-PIntelCapacity Change

Wed, Oct 21

7 items

23:30Impact score 58
马斯克称ASML等关键半导体设备供应商已加快向Terafab发货，目标2028年第三或第四季度在得州Gibbons Creek工厂量产芯片，时间表'高度理想化'且存在'很大误差'
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
EUV lithography systems logic chips memoryASML, Tesla and 11 totalCapacity Change
23:00Impact score 55
英特尔评论文章：亚利桑那Fab 62建设与工具安装进行中预计2028年底投运俄亥俄项目达成新结构里程碑
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
advanced semiconductorsIntel, Intel FoundryCapacity Change
19:18Impact score 60
富士胶片在平泽准备EUV光刻胶量产：设备已于2025年10月运行、部分产品通过客户认证，尚未全面量产；另在天安扩建CMP抛光液产能约30%，2027年上半年投运
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
EUV photoresist ArF photoresist CMP slurryFujifilm, Samsung ElectronicsCapacity Change
19:10Impact score 60
英伟达与六家供应商签署扩产协议：三年内基板产能计划提升2.5倍，先进封装增幅逾300%、光学引擎扩产15倍
英伟达宣布与Amkor、IBIDEN、京元电子、三星电机、矽品精密工业（SPIL）及欣兴电子六家供应商签署大规模产能扩张协议（计划性质，尚未落地），覆盖基板、先进封装、半导体测试及光学引擎。核心目标：未来三年内基板产能提升2.5倍；先进封装方面，与Amkor计划在韩国扩大中介层晶圆产能，目标2028年底前实现逾300%增幅；测试总产能预计从2026年到2027年实现翻倍，扩产地点涵盖美国、中国台湾省和新加坡；与矽品计划在中国台湾扩大共封装光学（Co-Packaged Optics）光学引擎制造产能，目标2027年中期实现15倍增长并于2028年底前再度翻倍。资金方面，英伟达向京元电子提供11亿美元产能预留预付款，专项用于支持其在美国新建测试设施及采购设备，目标于2027年4月启动大规模量产；新加坡测试业务预计2027年2月进入大规模量产；英伟达向IBIDEN提供数十亿美元预付款，支持其日本大野町工厂扩产至现有水平3倍，新增产能预计2028年第一季度开始爬坡；欣兴电子在中国台湾省KF基板扩产的新增产能预计2027年第二季度开始投放、2028年中期达到满负荷。三星电机为新加入成员，其现有韩国设施可立即提供增量产能，并推进世宗和釜山设施升级与新厂建设，至2028年分配给英伟达的产能预计占其年度封装基板总产能相当大比例。黄仁勋在GTC柏林大会表示需求非凡、产能是瓶颈；报道指出供给约束有望于2027至2028年实质缓解。
基板先进封装半导体测试英伟达, Amkor and 7 totalCapacity Change
16:08Impact score 60
媒体爆料：三星和SK海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的芯片
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
NAND闪存 DRAM三星电子, SK海力士 and 3 totalCapacity Change
07:28Impact score 58
特斯拉第三代人形机器人Optimus已做好大规模量产准备，若顺利进入量产爬坡阶段有望拉动执行器、减速器、传感器等零部件需求
特斯拉透露其第三代人形机器人Optimus（擎天柱）已做好大规模量产准备。业内专家表示，作为特斯拉重点布局的长期增长方向，Optimus若顺利进入量产爬坡阶段，有望拉动我国执行器、减速器、传感器等零部件需求释放，不少上游厂商已提前筹备产能。同时，硬件可靠性、物理AI算法泛化能力、成本控制、行业合规标准及数据闭环建设仍是人形机器人产业发展的核心约束。量产尚未实际落地，属于量产准备就绪、爬坡待实现状态。
执行器减速器传感器特斯拉Capacity Change
03:05Impact score 60
马斯克目标Terafab芯片于2028年第三季度量产，2027年年中前产出首款SRAM测试芯片
据路透社报道，马斯克在一场SpaceX电话会议上表示，其半导体制造项目Terafab目标在2028年第三季度实现量产，但他承认第三或第四季度均有可能，并称该时间表“非常激进”，因为美国的先进逻辑芯片工厂通常需要三年或更长时间建造。在量产之前，Terafab计划于2027年5月或6月前后在奥斯汀研发设施生产首款使用SRAM电路的功能性测试芯片。设备供应仍是主要挑战，尤其是来自ASML以及Applied Materials、KLA等美国供应商；当被问及SpaceX是否已向ASML订购EUV光刻机时，马斯克未直接回答，但感谢ASML等供应商加快设备交付。据路透社报道，ASML预计即使计划扩大EUV产能，到2028年需求仍将超过供给。据The Elec报道，特斯拉和SpaceX正与韩国半导体材料、零部件和设备供应商洽谈建立Terafab供应链，多家公司已签署保密协议，其中HPSP和Hanmi Semiconductor是仅有的两家被公开与Terafab联系在一起的韩国设备供应商；但据报道Terafab寻求比中国竞争对手更低的价格。关于制造伙伴，TSMC董事长兼CEO魏哲家确认双方仍在讨论，但强调任何涉及TSMC的工厂必须由TSMC运营，这与马斯克10月7日关于其公司将自建自营Terafab（可能允许TSMC转租空间而不承担运营角色）的说法存在分歧；另据路透社援引彭博报道，Intel CEO陈立武表示公司将继续参与Terafab。
SRAM test chip advanced logic chips EUV lithography systemsTerafab, Tesla and 10 totalCapacity Change

Tue, Oct 20

2 items

23:59Impact score 60
三星晶圆代工计划年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台，对比8LPU性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%
据业内2026年10月20日消息（原文日期为10月20日，年份未在正文中明确给出），三星晶圆代工计划于年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台，属于计划中事项，尚非已量产事实。对比上一代8LPU，该平台性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%；其还通过在8LPU FinFET晶圆上集成3.3V平面型I/O器件，将I/O面积缩减约10%。外界解读认为，此举意在高效盘活现有成熟的深紫外（DUV）产线，避开单价昂贵且全球仅有ASML能供货的EUV光刻机；该工艺瞄准不需要像2纳米那样高昂成本的车载、机器人、边缘AI芯片。8LPU+的核心目标产品预计为AI微控制器（MCU）以及汽车区域控制器（ZCU）。背景方面，三星8纳米工艺自2017年成功开发8LPP后正式商用，2018年推出8LPU；新平台的eMRAM达到车载一级（AG1）规格，单元面积0.017μm²、存储密度约20Mb/mm²。业内相关人士表示，三星8纳米老客户及希望获取车载认证的无晶圆厂企业将是潜在客户。
8纳米第二代8LPU+工艺平台 AI微控制器（MCU）汽车区域控制器（ZCU）三星晶圆代工Capacity Change
23:30Impact score 60
三星据报道拟将2nm Exynos 2700产量较Exynos 2600提升逾10%，以振兴非存储业务；Galaxy S27 Ultra或完全依赖高通Snapdragon，最终配置未定
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
Exynos 2700 SF2P 2nm process mobile DRAMSamsung Electronics, Samsung Foundry and 4 totalCapacity Change

Analog	$0.68	−5.9%
Connector	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%Unusual
MLCC	$0.01	+54.0%Unusual
MOSFET	$0.12	−82.8%Unusual
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	n/a

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Fri, Oct 23

英特尔Fab 62开始安装设备目标在2028年底前投入运营

Intel亚利桑那州Ocotillo园区Fab 62进入下一阶段，开始安装设备，预计2028年底投产

Thu, Oct 22

英特尔美国扩产推进：亚利桑那Fab 62开始设备安装，目标2028年底投产（潜在18A或14A产能）；俄亥俄One首座厂房开始成形

三星将部分4纳米产能转向HBM基底芯片，计划以2纳米工艺制造M2800调制解调器，NVHBM基底芯片2纳米方案仍处验证阶段

英特尔巨型晶圆厂宣布量产计划：预计应用18A芯片 2028年底前量产

Nvidia与三星电机共同投资ABF载板产能

英特尔开始在亚利桑那州Fab 62安装设备，并推进俄亥俄州项目建设，AI数据中心处理器需求增强

英特尔美国多地产能建设持续推进，亚利桑那 Fab 62 晶圆厂预计 2028 年底投运

马斯克：Terafab 计划 2027 年上半年调试设备、2028 年第三季度量产芯片，初期月产能 10 万片晶圆并与英特尔合作 14A 工艺

据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺

Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产

Wed, Oct 21

马斯克称ASML等关键半导体设备供应商已加快向Terafab发货，目标2028年第三或第四季度在得州Gibbons Creek工厂量产芯片，时间表'高度理想化'且存在'很大误差'

英特尔评论文章：亚利桑那Fab 62建设与工具安装进行中预计2028年底投运俄亥俄项目达成新结构里程碑

富士胶片在平泽准备EUV光刻胶量产：设备已于2025年10月运行、部分产品通过客户认证，尚未全面量产；另在天安扩建CMP抛光液产能约30%，2027年上半年投运

英伟达与六家供应商签署扩产协议：三年内基板产能计划提升2.5倍，先进封装增幅逾300%、光学引擎扩产15倍

媒体爆料：三星和SK海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的芯片

特斯拉第三代人形机器人Optimus已做好大规模量产准备，若顺利进入量产爬坡阶段有望拉动执行器、减速器、传感器等零部件需求

马斯克目标Terafab芯片于2028年第三季度量产，2027年年中前产出首款SRAM测试芯片

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三星晶圆代工计划年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台，对比8LPU性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%

三星据报道拟将2nm Exynos 2700产量较Exynos 2600提升逾10%，以振兴非存储业务；Galaxy S27 Ultra或完全依赖高通Snapdragon，最终配置未定

Chip Teardown Lab1 opened

Component price indexNPI, vs. prior period

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