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三星晶圆代工计划年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台,对比8LPU性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%
据业内2026年10月20日消息(原文日期为10月20日,年份未在正文中明确给出),三星晶圆代工计划于年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台,属于计划中事项,尚非已量产事实。对比上一代8LPU,该平台性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%;其还通过在8LPU FinFET晶圆上集成3.3V平面型I/O器件,将I/O面积缩减约10%。外界解读认为,此举意在高效盘活现有成熟的深紫外(DUV)产线,避开单价昂贵且全球仅有ASML能供货的EUV光刻机;该工艺瞄准不需要像2纳米那样高昂成本的车载、机器人、边缘AI芯片。8LPU+的核心目标产品预计为AI微控制器(MCU)以及汽车区域控制器(ZCU)。背景方面,三星8纳米工艺自2017年成功开发8LPP后正式商用,2018年推出8LPU;新平台的eMRAM达到车载一级(AG1)规格,单元面积0.017μm²、存储密度约20Mb/mm²。业内相关人士表示,三星8纳米老客户及希望获取车载认证的无晶圆厂企业将是潜在客户。
8纳米第二代8LPU+工艺平台AI微控制器(MCU)汽车区域控制器(ZCU)超低漏电SRAM(ULL-SRAM)eMRAM
8纳米8LPU+DUVEUV规避汽车芯片
来源:cnBeta · 2026/10/20 · 查看原始来源
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