韩国证券公司发布下一代DRAM路线图：长鑫将率先量产4F2结构（今年底出产品，Q3份额达9%），美光明确不上4F2，三星2028年量产10a工艺，3DRAM被视为终局

发生了什么

快科技11月12日报道，韩国证券公司制作了下一代DRAM内存产品路线图，涉及三星、SK海力士、美光、长鑫科技、南亚五家公司。文章称这一年来内存疯狂涨价5-10倍且各种缺货，主要推动力是AI所需的HBM内存会占据至少3倍通用内存的产能，但该原因不足以解释涨价10倍，说到底是全球内存生产的垄断格局导致。当前内存为6F2结构，是否转向4F2结构成为厂商分歧点。三星今年开发了10a工艺，明年验证，2028年量产，10a到10c工艺采用VCT晶体管结构，10d时代会转向3DRAM，并把4F2当作转向3DRAM的过渡；SK海力士从4F2 VG转向3DRAM，期间有晶圆键合工艺推进；美光是几家中唯一明确不上4F2结构的，继续打磨6F2结构，后续一步步推向3DRAM；长鑫科技是第一个要正式量产4F2结构的，今年底就会有产品，并继续打磨DUV工艺的多重图案技术以弥补EUV的缺失，其Q3季度份额已达9%，成为新的第四；南亚明年Q1验证1c工艺，后续还会有EUV工艺的内存开发。文章认为内存技术的终局还得是3DRAM。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：快科技 · 2026/11/12 · 查看原始来源