SK海力士iHBM技术将HBM封装热阻降低30%以上，目标从HBM5世代开始导入

发生了什么

SK海力士今年5月发布iHBM技术，通过在HBM封装内部直接嵌入冷却元件，将热阻降低30%以上，目标从HBM5世代开始导入（计划状态，尚未实施）。其做法是在连接HBM基础裸片与GPU的D2D PHY区域嵌入一体化冷却元件ICE，用绝缘且高导热的硅基材料在封装内部开出专用排热通道。背景原因方面，随着AI加速器功耗持续攀升，HBM的竞争焦点正从堆叠层数转向封装内部的散热能力。iHBM沿用SK海力士已大规模验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，并与客户现有系统级封装环境高度兼容；SK海力士已开始与材料、零部件及设备供应商接洽，讨论iHBM的产品导入与量产计划。按照路线图，iHBM将从HBM5开始应用，HBM5预计2029年问世，同期行业预计转向混合键合。据Counterpoint数据，2025年第四季度三星以192亿美元DRAM营收重回全球第一，SK海力士以171亿美元紧随其后；但在HBM细分市场，SK海力士仍以约57%的份额占据绝对主导，三星与美光分别为22%和21%。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：快科技 · 2026/11/12 · 查看原始来源