据报道三星瞄准2027年初完成3D Cube-H先进封装技术开发，采用混合键合技术

发生了什么

据ZDNet援引业界消息，三星电子正加速先进封装布局以强化其在AI芯片制造领域的地位，目标在2027年初完成下一代3D Cube-H技术开发。该技术采用混合键合（hybrid bonding）实现逻辑芯片的垂直堆叠，互联间距约6微米（μm），显著细于现有TC键合芯片约25μm的最小间距。三星计划2027年初完成首个设计套件，随后与潜在客户进行评估。报道称3D Cube-H若开发成功，可增强三星在下一代AI半导体领域的竞争力，并为争取大型科技公司代工订单奠定基础。潜在应用包括堆叠GPU等高性能逻辑芯片，或将逻辑芯片与HBM等存储器件集成。但据ETNews，三星封装高管在ISMP 2026上表示，控制颗粒污染和防止空洞形成仍是该技术开发的主要障碍。另据韩联社，会长李在镕于11月1日访问位于日本横滨的先进封装实验室（APL），考察封装材料与工艺技术进展；该设施于9月正式启用，属于至2028年五年内3500亿韩元（约2.62亿美元）投资计划的一部分。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/11/10 · 查看原始来源