据报道，华邦电计划2030年导入EUV用于14nm DRAM，设备交期已超过两年

发生了什么

据MoneyDJ报道，台湾存储芯片厂华邦电(供应特殊DRAM与NOR flash)计划在其技术路线图中导入极紫外(EUV)光刻，总裁陈沛明表示公司计划开发两代14nm技术，一代不含EUV、另一代含EUV，若开发顺利，后者目标于2030年导入；其给出的原因是EUV可在电路尺寸缩小时减少所需的多重图案化步骤，可能缩短处理时间并提升良率。华邦已与ASML在EUV技术上合作约三年半，派遣人员受训、试运行设备并进行测量；ASML表示按当前交期，首台EUV机台约两年后可交付，后续机台约需三年半。据Nikkei报道，陈沛明称部分光刻与量测设备交期已超过两年，公司须提前下单，且面临TSMC等大型芯片厂的竞争；高雄新厂建设定于12月开始，2029年预计有有限产能，2030年才有更显著的产量爬升。董事长焦佑钧表示2025年下半年启动的扩产已在推进，2027年将有新增产出、2028年进一步增加，但随着洁净室空间接近极限，增速将放缓。陈沛明称车用存储约占全球存储市场3%至4%，随着主要供应商减少DDR3、DDR4与LPDDR4供应，需求可见度改善，客户寻求长期供货协议；他预计第四季度存储价格将继续上涨，支撑华邦营收进一步增长，但增速慢于前几季；焦佑钧警告进一步涨价可能抑制消费需求，智能手机与PC价格上涨或使消费者延后升级；他并称AI需求足以消化较高的存储价格，2027与2028年数据中心装机多由早前投资承诺支撑，DRAM需求可见度相对明确，供应则取决于厂商扩产速度。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/11/10 · 查看原始来源