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高通完成HBC内存首轮验证，带宽每瓦能效超HBM4五倍、略低于六倍目标，实测带宽比外部LPDDR5X高18倍，首款搭载该技术的飞龙AI250预计2027年上半年出样

发生了什么

快科技11月3日消息，高通已完成其HBC内存的首轮验证，该技术将用于即将推出的飞龙系列AI加速器，以更高能效和更低成本替代HBM4，解决AI推理场景下高带宽与大容量存储的需求矛盾。架构上HBC把计算逻辑直接放在多层DRAM堆叠的存储下方，底部紧贴一个小型计算芯片，与HBM通过宽接口连接处理器不同，HBC将带宽密集型计算在存储旁的独立计算单元中执行，再把结果传回主处理器或SoC，缩短数据传输路径并降低能耗；高通称节省的能耗可用于提升性能或在同等功耗预算下运行更多芯片。存储堆栈方面，HBC计划使用LPDDR5X而非HBM的薄型存储芯片，具体容量和带宽数值尚未公布，但高通称单个HBC堆栈容量将超过当前HBM4实现方案；与主处理器连接所需带宽更少，高通认为传统有机2D基板即可满足需求，不必依赖先进封装，但DRAM层堆叠仍需硅通孔（TSV）实现垂直电气连接。验证阶段高通测试了两个DRAM层的早期HBC堆栈，量产产品计划使用四层；高通称HBC带宽每瓦能效超过HBM4五倍，略低于最初设定的六倍目标，实测带宽比外部LPDDR5X高18倍但未给出具体数值，验证还涵盖散热测试但未披露细节；在存储堆栈底部放置计算芯片带来的散热挑战是HBC架构需解决的技术难点之一。首款搭载HBC的AI加速器为飞龙AI250，预计于2027年上半年出样；HBC技术后续也可能用于面向终端消费者的骁龙产品，但时间节点尚未确定。