英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设全球首条300毫米氮化镓功率半导体量产线，投资约11亿欧元，生产预计2027年年底启动

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快科技10月28日消息，英飞凌宣布在奥地利菲拉赫建设全球首条300毫米氮化镓功率半导体量产线，投资约11亿欧元（约81.5亿元人民币），生产预计2027年年底启动，目前属规划状态，尚未投产。英飞凌称将晶圆尺寸从200毫米升级到300毫米后，每片晶圆可切出的芯片数量变为原来的2.3倍，单位芯片成本随之下降；项目利用菲拉赫现有厂的洁净室和配套基础设施，公司称这样扩展产能最高效、最省钱。奥地利政府提供3.19亿欧元（约23.7亿元人民币）补贴，依据是欧盟芯片法案下的技术主权条款。英飞凌于2023年10月以8.3亿美元（约55.3亿元人民币）收购加拿大GaN Systems公司，两年前已在300毫米氮化镓晶圆上跑通工艺，此次是将该工艺搬到量产线。文中并提及Yole Group今年7月发布的研究预估：到2031年氮化镓功率半导体市场约35亿美元（约234.1亿元人民币），2025到2031年年均增长约35%。

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来源：快科技 · 2026/10/28 · 查看原始来源