NuAxi半导体贸易情报
英飞凌10月27日宣布计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂投入约11亿欧元，建设全球首个300毫米晶圆氮化镓功率半导体大规模生产基地，计划2027年底投产
发生了什么
英飞凌10月27日宣布，将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为该项目的一部分，英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投入约11亿欧元，旨在利用现有及升级后的基础设施实现产能扩张。该基地计划2027年底投产。上述内容为英飞凌的规划，尚未实现。
影响与信号
中影响影响力评分：60/100
受影响器件与厂商
氮化镓（GaN）功率半导体
英飞凌奥地利菲拉赫300毫米晶圆氮化镓功率半导体
来源与时间
来源：36氪快讯 · 2026/10/27 · 查看原始来源
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