NuAxi半导体贸易情报
SK Hynix计划借EUV延长6F² DRAM寿命，同时CXMT筹备推出更小单元设计产品
发生了什么
SK Hynix计划通过极紫外（EUV）光刻和工艺改进延长其现有6F2 DRAM单元架构的寿命，并将4F2和三维（3D）DRAM保留在其技术路线图上；与此同时，中国的长鑫存储（CXMT）准备推出一款基于更小单元设计的产品。上述内容均为计划/筹备状态，原文未说明原因。
影响与信号
中影响影响力评分：55/100
受影响器件与厂商
6F2 DRAM4F2 DRAM3D DRAM
SK HynixChangXin Memory Technologies (CXMT)
EUVDRAM cell architecturetechnology roadmap6F24F23D DRAM
来源与时间
来源：DigiTimes Asia · 2026/10/27 · 查看原始来源
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