NuAxi半导体贸易情报
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ASML 启动十年计划研发 Hyper NA EUV 光刻机
ASML已启动为期十年的计划，将特征尺寸从8纳米降至5纳米，新工具命名为Hyper NA EUV，其数值孔径从0.55提升至至少0.75，单机成本约7.24亿美元，蔡司表示已能制造所需精度的镜片。
Hyper NA EUV
Hyper NAEUVlithography
来源：Electronics Weekly · 2026/10/8 · 查看原始来源
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