NuAxi半导体贸易情报
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三星预警内存短缺至2028,HBM缺口超50%
三星电子预计由生成式AI引发的结构性内存短缺周期将持续至2028年。HBM供需缺口达50%-60%,三大原厂将超70%新增及可调配产能优先分配给HBM及先进DRAM,导致消费级存储供应紧张,主流DDR4 8Gb颗粒价格自2025年低点飙涨369%。利多:明确的供应缺口和具体价格涨幅数据,强化了内存市场,尤其是HBM和高阶DRAM的看涨信号。
HBMDRAMNAND FlashDDR4
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来源:cnBeta · 2026/3/15 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生