SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
LG将于10月19日开始集团旗下所有子公司的业务审视会议，由LG董事长兼CEO具光谟主持，各子公司CEO及事业部门负责人参加，会议将审视公司2026年业务表现及2027年计划。审视首先从LG电子、LG Display、LG Innotek等电子类子公司开始，随后是LG能源解决方案、LG化学等化学与电池业务，以及LG Uplus、LG CNS等电信与服务类子公司，整个过程将持续约一个月。会议将讨论与Nvidia、Microsoft等全球科技公司的具体业务合作及后续实施计划。LG在2026年加强了与Nvidia在AI工厂、物理AI和移动出行方面的合作，并已同意扩大与Microsoft在AI基础设施方面的合作。LG还将在2026年3月聚焦AX执行、6月聚焦Winning R&D、9月聚焦投资策略细化作为季度讨论主题；9月CEO会议上，具光谟敦促高管“以速度和持续执行确保在AI未来战场取胜”。该举措属于LG整合集团能力的“One LG”战略的一部分，目标是在关键未来AI市场取得成果，而非短期合作。
英国云计算公司Nscale（获英伟达背书）的IPO估值遭投资者要求降至160亿至190亿美元，较其此前寻求的约300亿美元缩水逾四成；据路透援引《电讯报》报道，微软已终止与Nscale位于英国埃塞克斯郡洛顿数据中心园区的合作协议，原因是英国国家电网官员告知该站点最早可能要到2030年代才能获得供电，微软对此拒绝置评，Nscale称与微软'关系依然稳固且长期'并将问题定性为'伦敦范围内的电网问题'，正在探索替代能源方案。这是不到一个月内第五宗AI数据中心上市挫折案例，此前软银旗下SB Energy的IPO因逾500亿美元估值延期、Firmus先降价25%后撤回上市、菲律宾PLDT子公司Vitro及黑石旗下AirTrunk的REIT上市均延至2027年。据彭博报道，相关IPO讨论仍在进行，细节可能变化，尚无最终决定，公司于9月18日公开提交招股文件，尚未启动正式路演。
韩国半导体设备制造商Hanmi Semiconductor在SEDEX 2026展会上展示了其高带宽内存（HBM）和AI芯片封装设备，包括用于HBM4生产的TC Bonder 4，以及计划于2027年推出的Wide TC Bonder（原文仅表述为计划，未说明已实现）。公司还推出了五款2.5D封装系统，旨在适应日益增大的AI芯片封装。
快科技10月19日消息，博主RD观测披露的数据显示，截至2026年W40周，华为Pura X Max系列销量已突破百万台大关，其中Pura X Max约52.9万台，Pura X Max典藏版约49.31万台，两个版本合计约102.21万台。该机于今年4月发布，是行业首款大阔折机型，起售价10999元。华为常务董事、终端BG董事长余承东曾表示，在阔折叠iPhone Duo发布后一周内，Pura X Max销量增长了76%。
贝哲斯咨询发布的宽离子束技术市场研究报告（2026版）显示，2025年中国宽离子束技术市场规模达15.53亿元（人民币），全球宽离子束技术市场规模达53.3亿元。报告预测到2032年全球宽离子束技术市场容量将达78.52亿元，此为报告预测而非已实现结果。报告按种类将宽离子束技术细分为薄膜沉积、红外传感器、光学多层、多层膜沉积，按最终用途应用于光电子学、记忆体、电子产品、存储设备、半导体、感测器、光学、微机电系统等领域。报告列出的中国宽离子束技术市场主要企业包括Meyer Burger Technology AG、Plasma-Therm、Raith GmbH、Hitachi High-Technologies Corporation、Veeco Instruments、Oxford Instruments，并分析主要企业排行、市场占有率及经营概况。出版商为湖南贝哲斯信息咨询有限公司。原文未说明原因，本条为行业报告类背景信息，未涉及具体价格变动、产能调整或政策事件。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
IT之家10月16日消息，苹果官网线上Apple Store商店已开始维护，苹果首款折叠屏手机iPhone Duo将于今晚8点开启预购。据IT之家此前综合报道，苹果在2026年秋季发布会上发布了iPhone Duo，于10月16日晚8点接受预购，10月23日正式发售，定价15,999元起；具体为256GB 15,999元、512GB 17,999元、1TB 21,499元、2TB 26,499元。该机提供星光白和夜空双色，内外屏均为120Hz（ProMotion），内屏7.6英寸（采用屏下摄像头），外屏5.4英寸，前置12Mp自拍摄像头，后置48Mp主摄及48Mp融合式超广角；搭载A20 Pro处理器，匹配C2基带芯片，全球版本均采用eSIM设计，仅支持eSIM卡，充满一次电续航至高24小时，外屏播放视频至高44小时续航。原文未说明与采购或供应链相关的价格变动原因。
根据研究机构SemiAnalysis对专利申请文件的分析，ASML似乎正在开发一种晶圆对芯片(D2W)混合键合机，这是该公司在先进封装领域的第二个动作。该工具将使ASML与当前该领域的领导者Besi以及一批追逐同一市场的日益增多的前道设备竞争对手形成竞争。背景是随着晶体管缩小变得更困难、成本更高，先进封装已成为芯片设备制造商寻求下一增长点的方向。原文未说明原因以外的时间表或量产计划；以上仅为专利文件分析所得出的迹象，不代表产品已发布或上市。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
快科技10月16日报道，苹果首款折叠屏iPhone Duo于10月晚8点（10月16日）开启预售，国行起售价15999元，顶配2TB版本26499元，为苹果史上定价最高的iPhone。该机采用书本式阔折叠方案，内屏7.6英寸并采用屏下摄像头，外屏5.4英寸，搭载台积电2nm工艺A20 Pro芯片，配钛合金铰链，重254克，仅支持eSIM、无实体卡槽、无长焦镜头和Face ID，采用侧边指纹识别。原文说明产能紧张是最大挑战：产业链人士称整机良率目前仅有60%多，量产爬坡缓慢，首发备货量十分有限；目前仅国内单一电商平台预约人数已突破200万，巨大的供需缺口催生黄牛市场。加价方式主要有三种：加价约5000元但不能保证到货时间；首发当天拿货加价高达1万元；代抢服务费200到1000元不等且明确'跑单不退'。多位黄牛声称10月16日的预约位置已满。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
荷兰Prodrive Technologies在10月13日于旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026上表示，计划在2026年底至2027年初之间在韩国开设办事处，以加强对包括Hanwha Semitech在内的当地客户的支持并通过销售活动扩大业务。该公司称目前正在招聘当地员工为开设办事处做准备，并表示预计在"今年年底左右或明年初"开设，正在考虑将Dongtan和Pangyo作为候选地点。韩国办事处将负责销售和客户支持，正在招聘一个小规模团队；公司代表表示没有在韩国设立制造设施的计划，因为可以从马来西亚、中国和欧洲支持韩国客户。Prodrive还在马来西亚建设新的制造设施，并在荷兰、美国波士顿和中国设有生产基地，在日本和以色列设有销售办事处，全球员工约2300人。其为半导体设备制造商开发模块并提供系统集成服务；此前Hanwha Semitech与Prodrive合作开发混合键合设备，今年早些时候第二代混合键合设备SHB2 Nano在Prodrive荷兰工厂制造和组装后被运往韩国；Prodrive还为ASML极紫外(EUV)光刻设备中磁悬浮系统供应直线电机和伺服驱动器。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
TDK Corporation（TSE:6762）于2026年10月14日宣布其InvenSense PositionSense解决方案在全球范围内开始分销供货。该方案为双芯片九轴传感器解决方案，集成TDK功耗最低的6轴SmartMotion IMU、基于隧道磁阻（TMR）技术的3轴磁力计以及片上传感器融合与校准软件，用于可穿戴设备、机器人、无人机、移动设备等Physical AI应用的定位精度与导航。方案提供四种硬件配置：ICM-45608 + ICT-15318（支持I2C/SPI/I3C，VDDIO为1.8V，Accel/Gyro满量程16g/2000dps）；ICM-45608 + ICT-15312（支持I2C/SPI，VDDIO为1.2V，16g/2000dps）；ICM-45689 + ICT-15318（陀螺仪±4000 dps、加速度计±32 g满量程，支持I2C/SPI/I3C，1.8V VDDIO）；ICM-45689 + ICT-15312（±4000 dps/±32 g，支持I2C/SPI，1.2V VDDIO）。原文未说明原因（本条为产品发布，无因果事件）。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
Antaira Technologies宣布其LMX-1204G-SFP-T-BABA管理型千兆以太网交换机完全符合2026年10月1日生效的《建设美国，购买美国》(BABA)法案第二阶段要求，该交换机在美国制造并已可即时供货；根据联邦公路管理局(FHWA)要求，制造产品的组件成本国内占比自2026年10月1日起提高至55%，该交换机至少55%的组件成本在美国开采、生产或制造，系统 integrator、承包商和政府机构可在联邦资助的基础设施项目上部署而无需承担国内含量风险。Antaira同时公布了下一款符合BABA要求的平台LMP-1204G-SFP-bt-24-T-BABA，为系列新增每端口最高100W的IEEE 802.3bt PoE++供电，计划于2027年第一季度投产；该型号包含四个IEEE 802.3bt PoE++端口（每端口最高100W）、四个IEEE 802.3at PoE+端口（每端口最高30W）和四个千兆SFP插槽，采用12–55VDC宽压输入。公司的BABA计划于2025年启动，当时推出了LMX-1204G-SFP-T-BABA并将制造业务扩展至美国。
Eric Hong加入Mixel担任工程副总裁，负责模拟和混合信号IP开发。他指出客户面临SoC交付周期紧、成本高和IP风险大的挑战。
Mixel业务，强化客户成功策略。