Si Interposer 资讯与行情

10月19日周一

1 条

18:10影响评分 50
Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
GPU HBM 玻璃陶瓷中介层（glass-ceramic interposer）Shindo Eng Lab

10月16日周五

1 条

13:21影响评分 40
NVIDIA在SEMICON West 2026展示Optics on Interposer：将光引擎从封装基板移至中介层，或提高带宽密度并降低功耗，公司称原型已存在
NVIDIA在SEMICON West 2026上由Nikola Nedovic介绍了Optics on Interposer（OOI）技术，该技术将光引擎从封装基板转移到中介层（interposer）上，据称可提高带宽密度并降低功耗。NVIDIA表示目前已存在一个原型。此为技术演示与原型阶段的信息，原文未说明量产时间表或其他落地条件。
CPO Optics on Interposer (OOI)optical enginesNVIDIA

10月15日周四

4 条

23:36影响评分 10
三星电子在JEDEC论坛上强调AI存储标准化的局限
三星电子在10月15日于首尔COEX、与SEDEX 2026同期举行的2026年JEDEC论坛上承认，下一代AI存储的标准化面临挑战：客户定制设计已从高带宽存储（HBM）的基础裸片扩展到DRAM核心裸片，使存储制造商越来越难以管理。三星DS部门存储事业部产品规划组研究员Hwang Ga-ram表示，LPDDR-PIM和zHBM具有许多客户定制特性，在实际生产中极难管理，并称其他存储制造商可能面临同样挑战；其提出的zHBM采用3D堆叠结构直接连接HBM与计算处理器，TSV分布于DRAM核心裸片，定制化设计延伸至整体结构，比传统2.5D封装的标准化难度更大。Hwang希望LPDDR6-PIM标准能在今年年底前确立，并表示并非所有功能都能完全标准化，希望JEDEC成员公司合作制定通用标准。三星还公布了LPDDR5X-PIM开发成果：存储带宽为传统LPDDR5X的8倍；AI推理性能达102 TPS，约为LPDDR5X 27 TPS的3.8倍，较8月Hot Chips上演示的83 TPS提升约23%；平均功耗11.5瓦，较LPDDR5X的8.4瓦高约36%；每瓦推理性能提升至9 TPS/W，约为传统LPDDR5X 3.2 TPS/W的2.8倍。
LPDDR-PIM zHBM LPDDR6-PIMSamsung Electronics
23:30影响评分 60
【新闻】成熟制程产能趋紧，三星或增加GlobalFoundries为Galaxy DDI代工，终结UMC独家地位
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
display driver IC (DDI)Samsung、UMC 等 3 家产能变化
18:22影响评分 0
Nvidia在SEMICON West 2026发布下一代CPO技术OOI，将光学引擎移至转接板，尚处研究阶段
Nvidia在10月13日于旧金山举行的SEMICON West 2026上发布下一代共封装光学（CPO）技术——光学引擎置于转接板上（optics-on-interposer，OOI）。该技术将光学引擎从有机封装基板移到承载计算芯片的转接板上，通过消除电气信号路径中的有机基板来提高带宽密度并降低功耗，Nvidia称已开发出原型。Nvidia首席研究员Nikola Nedovic进行了该研究的报告。Nvidia还发布了DWDM技术，演示了8个波长、每波长32Gb/s、单光纤256Gb/s的传输。两项技术均仍处于研究阶段，Nedovic表示正在为未来产品提出并评估技术，同时解决阻碍商业化的挑战。Nvidia已量产部署CPO产品Quantum-X Photonics和Spectrum-X Photonics：Quantum-X用于连接Blackwell Ultra-based GB300 NVL72机架的InfiniBand网络，Spectrum-X部署于Vera Rubin平台的以太网交换机。Nvidia还建立了CPO制造生态：TSMC提供COUPE硅光子封装技术并与SPIL共同代工，Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric制造外置光源模块，Corning、Senko、Browave、TFC供应光纤及相关组件，Foxconn和Fabrinet负责散热与最终测试。
co-packaged optics (CPO)optics-on-interposer (OOI)dense wavelength-division multiplexing (DWDM)Nvidia、TSMC 等 12 家
12:00影响评分 60
GlobalFoundries 与 TSMC 达成多年制造协议，扩大纽约 Malta 工厂硅间隔器产能，协议预计价值 2 亿美元，为期五年
GlobalFoundries 已与 TSMC 达成多年制造协议，以扩大其位于纽约 Malta 工厂的硅间隔器产能，供应 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 先进封装生态系统。该协议预计价值为 20 亿美元，为期五年。
silicon interposerGlobalFoundries、TSMC并购合作

10月14日周三

1 条

03:43影响评分 60
SEMI 预计美洲 300mm fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，因台积电、英特尔、美光、三星扩张
SEMI 预计，受美国投资推动，美洲 300mm 晶圆 fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，原因是台积电、英特尔、美光、三星的扩张。
300mm fab equipmentTSMC、Intel 等 5 家产能变化

10月13日周二

1 条

07:00影响评分 60
台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德，CoWoS关键组件首次转由美国生产
据报道，台积电将一份为期五年的硅中介层长约交给格罗方德，总金额20亿美元（近新台币640亿元）。根据这份长约，格罗方德将在美国纽约州生产CoWoS所需的硅中介层，预计2028年上半年逐步放量，CoWoS关键组件首次转由美国生产，AI先进封装的关键环节首次从中国台湾本地供应商延伸到美国本土。报道称这反映硅中介层需求持续扩大。该订单为已签约的生产安排，量产放量时间2028年上半年仍属预计，尚未实现。
CoWoS硅中介层台积电、格罗方德产能变化

10月12日周一

1 条

17:03影响评分 10
韩国半导体供应商将参加2026年SEMICON West展会
韩国主要半导体材料、零部件及设备供应商将参加定于10月13日至15日在美国旧金山Moscone Center举行的SEMICON West 2026。据这些公司表示，美国半导体制造设施投资的不断增长正使韩国企业对SEMICON West的兴趣上升。材料供应商方面，ENF Technology将展示蚀刻液、清洗液、剥离液和稀释剂等工艺材料，该公司自2021年起从其得克萨斯州Kyle工厂向三星电子奥斯汀工厂供应材料，并于今年早些时候完成剥离液和稀释剂产能扩建，上半年开始向三星电子Taylor工厂供货；Dongjin Semichem将展示光刻胶、稀释剂和CMP抛光液，其位于得州的稀释剂和高纯硫酸生产设施目标今年年底前量产，预计将支持三星电子Taylor工厂及当地其他业务。设备商方面，Hanmi Semiconductor将展出面向HBM和2.5D封装的TC热压邦定机，Shindo Eng Lab将介绍玻璃陶瓷结合的TGCV基板技术；检测计量厂商Intekplus将展示封装与基板的自动外观检测及3D量测技术，其近期获得一家日本基板厂商用于玻璃基板研发的检测设备订单，Koh Young Technology将展示先进封装工艺的3D测量检测方案；测试零部件供应商ISC与LEENO Industrial也将参展。气体输送与控制相关零部件厂商BMT、DK-Lok、ASFlow，以及设备零部件和晶圆传送材料厂商BOBU Hi-Tech、Glint Materials亦将参展。SEMI预计本届展会将有超过1,500个展位、吸引超过35,000名观众。
semiconductor process materials etchants cleaning solutionsENF Technology、Dongjin Semichem 等 15 家

10月11日周日

1 条

16:30影响评分 30
KAIST与TDS Innovation团队10月7日Nature发文展示EF-SCN工艺控制2D半导体单点成核，2厘米衬底400个位点397个形成单晶（良率99.3%），目标2030年前后商用
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
2D semiconductor (MoS₂)KAIST、TDS Innovation

10月9日周五

5 条

10:43影响评分 0
GlobalFoundries与台积电签2亿美元硅中介层协议
GlobalFoundries于2026年10月8日与台积电签署了一份为期多年、价值20亿美元的制造协议，在纽约Malta晶圆厂为台积电CoWoS生态系统生产硅中介层，GF称这将成为首个支持先进封装的美国硅中介层来源。
silicon interposersGlobalFoundries、TSMC并购合作
06:54影响评分 60
消息称三星手机四季度最高减产30%；纳指跌超1%存储、半导体板块领跌，韩股收跌2.62%，SK海力士、三星电子均跌2.4%
格隆汇10月9日盘前要点显示：因AI业绩担忧再起，且OpenAI年化营收较之前报道预期少200亿美元，纳指跌超1%，AI板块遭重创，存储、半导体板块领跌；韩股收跌2.62%，SK海力士、三星电子均跌2.4%，韩股周五休市。另有消息称三星手机四季度最高减产30%，该消息为传闻、尚未证实，原文未说明减产原因。此外，格芯与台积电签署20亿美元硅中介层协议；台湾9月进口同比51.7%、出口同比60.9%，双双超预期。
手机存储半导体三星电子、SK海力士等 4 家产能变化
05:44影响评分 45
Nvidia宣布承诺投入10亿美元（约为其季度利润的1/60）支持未来五年美国科学发现，作为Genesis Mission的一部分
Nvidia于周四在华盛顿特区举行的活动上宣布，承诺投入10亿美元（约为其季度利润的1/60），用于未来五年支持美国的科学发现，涵盖量子计算、医疗健康和能源安全等领域的AI（或其所称"超级智能"）研发。该倡议是美国政府更广泛的Genesis Mission的一部分，该任务由特朗普政府于去年底宣布，旨在利用AI推动科学发现以确保美国的技术领导地位。这是Nvidia重返美国超级计算领域的重大举措：去年Nvidia披露将向Argonne、Los Alamos和Lawrence Berkeley国家实验室提供不少于七台新超级计算机；其中Argonne将部署与Oracle合作建造、基于100,000块Blackwell GPU的Solstice系统，Los Alamos的Mission和Vision系统将采用同类芯片并使用Nvidia的Quantum-X800 InfiniBand。背景方面，能源部纯FP64性能最强的超级计算机仍将是AMD芯片驱动的Oak Ridge Discovery系统（由HPE Cray部门建造），预计2029年上线，理论峰值性能在3.3至8.5 exaFLOPS之间（取决于Oak Ridge能否获得电力升级）；而中国的LineShine以2.2 exaFLOPS实测（理论2.7 exaFLOPS）位居Top500榜首。原文未说明此次承诺资金的具体分配细节。
AI-optimized supercomputers Blackwell GPUs Quantum-X800 InfiniBandNvidia
02:23影响评分 60
GlobalFoundries 将在美国为台积电 CoWoS 生产硅间隔器，五年协议价值 2 亿美元
GlobalFoundries 与台积电签订为期五年、价值 20 亿美元的有效制造协议，GlobalFoundries 将在美国纽约州马耳他工厂扩产，为台积电的 CoWoS 高级封装技术生产硅间隔器，产量计划于 2028 年上半年开始提升。
silicon interposersGlobalFoundries、TSMC并购合作
01:22影响评分 62
TSMC与GlobalFoundries宣布2亿美元合作以提升美国硅间隔器产量
2026年10月8日，台积电（TSMC）宣布与GlobalFoundries达成价值20亿美元的合作协议，由GlobalFoundries在其纽约马耳他工厂为台积电的CoWoS先进封装规格生产硅间隔器，以提升美国硅间隔器产量，解决美国国内供应链的缺口。该合作计划为期五年，可选延期，但产量预计要到2028年上半年才能开始。
silicon interposerTSMC、GlobalFoundries并购合作

10月7日周三

1 条

01:00影响评分 10
Marvell与Siemens EDA展示CoWoS验证新法
Marvell与Siemens EDA在TSMC OIP论坛展示3D IC CoWoS系统验证新方法，旨在解决先进封装中的ESD与可靠性挑战。
关注
技术生态合作进展，对现货价格无直接影响。
Marvell、Siemens EDA 等 3 家技术动态

10月6日周二

1 条

00:32影响评分 10
Volantis计划将AI加速器带宽提升至240TB/s
Altman支持的初创公司Volantis计划利用光子中介层将AI加速器内存带宽提升至240 TB/s，容量达10 TB。该技术通过光波导替代电气互连，突破传统GPU受限于芯片边缘的容量瓶颈。
关注
技术概念，短期无供需影响。
AI Accelerator Photonic Interposer HBMVolantis、AMD 等 3 家技术动态

9月28日周一

1 条

15:00影响评分 95
VSMC启用12英寸厂，首期产能全包下
世界先进与恩智浦合资的VSMC在新加坡启用12英寸晶圆厂，首期产能已全数被客户包下。该厂聚焦40至130纳米成熟制程及硅中介层，月产能约4.4万片。
利多
硅中介层作为AI封装关键材料，产能紧缺将支撑相关芯片价格。
硅中介层混合信号芯片电源管理芯片VSMC、世界先进等 3 家缺货预警

9月25日周五

1 条

00:30影响评分 98
12英寸晶圆2027年LTA涨价15-40%
2027年12英寸晶圆新LTA价格预计上涨15-25%（外延片）至40%以上（抛光片），部分二线客户涨幅或超50%。随着疫情期合同到期及原材料、电力成本飙升，行业进入新一轮涨价周期，且现货价有望在Q4超越现有LTA水平。
利多
晶圆供应商，如环球晶圆预计2027年ASP同比上涨32.6%至122美元，AI算力需求是核心驱动力。
12-inch wafers Epi wafers Polished wafersGlobalWafers、SUMCO 等 6 家价格波动

8月25日周二

1 条

01:00影响评分 10
HBM4接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s
HBM4将接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s。文章对比HBM与DDR5，指出AI算力受限于内存墙，HBM通过堆叠提升性能。
利多
HBM技术迭代加速，但制造成本和散热挑战增加。
HBM4 HBM3E DDR5技术动态

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

Si Interposer 资讯与行情

10月19日周一

Shindo Eng Lab于SEMICON West 2026（10月15日当地时间）提出GPU与HBM垂直堆叠、玻璃陶瓷中介层夹于其间的3D封装架构，已提交专利申请并与约10家公司进行技术讨论

10月16日周五

NVIDIA在SEMICON West 2026展示Optics on Interposer：将光引擎从封装基板移至中介层，或提高带宽密度并降低功耗，公司称原型已存在

10月15日周四

三星电子在JEDEC论坛上强调AI存储标准化的局限

【新闻】成熟制程产能趋紧，三星或增加GlobalFoundries为Galaxy DDI代工，终结UMC独家地位

Nvidia在SEMICON West 2026发布下一代CPO技术OOI，将光学引擎移至转接板，尚处研究阶段

GlobalFoundries 与 TSMC 达成多年制造协议，扩大纽约 Malta 工厂硅间隔器产能，协议预计价值 2 亿美元，为期五年

10月14日周三

SEMI 预计美洲 300mm fab 设备支出将从 US$18.1 亿美元在 2026 年增至 US$40.6 亿美元在 2029 年，增长超过一倍，因台积电、英特尔、美光、三星扩张

10月13日周二

台积电20亿美元硅中介层大单交给格罗方德，CoWoS关键组件首次转由美国生产

10月12日周一

韩国半导体供应商将参加2026年SEMICON West展会

10月11日周日

KAIST与TDS Innovation团队10月7日Nature发文展示EF-SCN工艺控制2D半导体单点成核，2厘米衬底400个位点397个形成单晶（良率99.3%），目标2030年前后商用

10月9日周五

GlobalFoundries与台积电签2亿美元硅中介层协议

消息称三星手机四季度最高减产30%；纳指跌超1%存储、半导体板块领跌，韩股收跌2.62%，SK海力士、三星电子均跌2.4%

Nvidia宣布承诺投入10亿美元（约为其季度利润的1/60）支持未来五年美国科学发现，作为Genesis Mission的一部分

GlobalFoundries 将在美国为台积电 CoWoS 生产硅间隔器，五年协议价值 2 亿美元

TSMC与GlobalFoundries宣布2亿美元合作以提升美国硅间隔器产量

10月7日周三

Marvell与Siemens EDA展示CoWoS验证新法

10月6日周二

Volantis计划将AI加速器带宽提升至240TB/s

9月28日周一

VSMC启用12英寸厂，首期产能全包下

9月25日周五

12英寸晶圆2027年LTA涨价15-40%

8月25日周二

HBM4接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

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