SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块,这是一系列雷电™ 使能的子系统。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系,将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform,具体涵盖37个RECOM CUBO(平台上的可复用电路模块,亦称Digital Datasheets)。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建,分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块,包括RVP001(4个)、RVP003(9个)、RVP003S(1个)、RVP010(6个)、RVP6501(1个)、RVPW011(1个)、RVPW012(1个)、RVPW014(4个)、RVPW015(1个)、RVPW016(1个);其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器(6个:R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2)和RAC AC/DC转换器模块(2个:RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1)。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建,包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出:工程师定义带电压和方向的供电网络后,Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案,设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET,采用8×8 mm双面散热(DSC)PQFN封装,型号为TP65H020G4PLSGBD,目前已向AI数据中心OEM和ODM送样,量产计划于2027年中。据瑞萨称,Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进,实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容(CGS、CGD)和输出电容(Coss);Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode,与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热,当前支持20-mΩ器件,未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装,DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%,高度约1 mm(对比TOLT的2.35 mm,表格中为2.3 mm),热阻抗低9%至10%(0.36 °C/W对比0.4 °C/W),四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中,DSC全负载效率提升0.14%,相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率;测试未使用液冷,下一步将进行液冷测试。DSC 8×8(含650-V GaN)应用于初级侧,每个模块仅承受约400 V,两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器(IBC)。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况,瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件,作为其800-V电源解决方案的一部分。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台,支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元(64GB LPDDR5X版),预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统,TDP最高80W,噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕,峰值亮度1100尼特,刷新率165Hz,覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈,支持第二代Yoga Pen(Wacom AES 3.0)。机身厚度16.7mm,重约1.65公斤,电池容量92.5Wh,支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构,将图形处理器(GPU)与高带宽存储器(HBM)垂直堆叠,中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方,两者通过中介层中的垂直导电通孔连接;液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热;电力由底部印刷电路板(PCB)经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出,当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构,垂直堆叠会缩短芯片间距离,但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战;Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔(TGCV),公司于9月发布,该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充;Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备,此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请,并正与约10家公司进行技术讨论,已向其中部分公司提供样品;尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示,最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构,并计划将该结构提交给委外封测(OSAT)公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段,未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026(于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行)上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案,重点是微控制器(MCU)、功率半导体和触觉传感器,并展示了配备 MCU、氮化镓(GaN)功率半导体及功率/位置传感器的驱动板,可驱动最高 1.2 千瓦的电机,尺寸约 66 毫米。
据泰国投资促进委员会(BOI)表示,丰田汽车公司计划投资14.9亿泰铢(约合4400万美元),首次在泰国生产燃料电池皮卡。丰田位于北柳府(Chachoengsao)工厂的新生产设施年产能将达到3000辆燃料电池皮卡,这些车辆将出口至欧洲、澳大利亚和新西兰。该设施预计将于2027年12月开始商业化生产。泰国投资促进委员会已批准该项目的税收优惠政策。原文未说明原因。
10月19日,A股早盘低开低走,三大股指盘中跌幅有所扩大,创业板指、科创50双双跌超2%,AI硬件、半导体等再度集体调整,存储芯片、光模块、电路板等概念股普跌,长鑫科技盘初一度下挫8%。PCB概念盘中持续下挫,天津普林触及跌停,新锐股份、迅捷兴、三孚新科跌超10%;光模块(CPO)指数持续下行,天孚通信、联讯仪器、剑桥科技、胜宏科技、太辰光均跌超6%。AI硬件侧核心标的早盘抛压较大,三环集团、中材科技、天孚通信、鹏鼎控股、胜宏科技、中芯国际、沪电股份、长电科技、生益电子均跌4%左右。盘初上证指数低开0.6%,创业板指跌0.43%;随后创业板一度跌超1%。盘中GPU板块一度拉升,沐曦股份涨近7%,摩尔线程、寒武纪、海光信息同步拉升;存储板块明显收窄跌幅,大普微封住涨停,德明利、君正股份、佰维存储跟进。白酒、银行等板块逆势拉升,顺鑫农业涨停。香港股市因重阳节假期休市;债市方面国债期货全线下跌,截至发稿30年期主力合约跌0.22%、10年期主力合约跌0.04%、5年期主力合约跌0.01%、2年期主力合约涨0.01%。原文未说明原因。
AUO 正在扩大其 AI 相关业务,包括增强现实(AR)眼镜、低地球轨道(LEO)卫星天线、光通信和先进半导体封装。公司已获得董事会批准,计划在 2026 年投资新台币 24 亿元(美元 7.3992 亿),此为规划中的投资。
据快科技10月19日报道,美光正在推进面向物理AI的专用存储芯片——边缘推理内存(Edge Inference Memory,EIM)的研发。美光高管表示,自动驾驶、人形机器人、增强现实与虚拟现实等物理AI市场正在迅速崛起,公司正与核心客户沟通共同推进适配产品研发。EIM的架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存(LPDDR),与存内计算(PIM)属于不同概念,EIM的具体计算架构目前尚未公开;EIM介于AI处理器与内存之间,主要用于降低数据处理延迟并提高系统带宽。美光尚未披露具体目标性能指标,正在推进将EIM集成至LPDDR6方案的技术研发,业内预计其量产时间将在2028年下半年(为业内预计,非美光官方确认)。现阶段人形机器人主要采用LPDDR等低功耗内存而非HBM;美光表示目前机器人AI模型参数量多在十亿至二十亿左右,对内存带宽需求有限,随着更强的视觉语言模型引入,仅凭LPDDR将难以为继,必然会向HBM架构演进。原文未说明价格或供给影响。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存(EIM),该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率,预计将在2028年下半年实现量产。
快科技10月19日消息,在2026年OCP全球峰会上,英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略:宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟(InP)硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂,这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算(HPC)和人工智能(AI)领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”,并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间,英特尔及其团队正夜以继日地工作,力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划,尚未实现。原文给出的原因是:行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限,而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具(如集成激光器,可实现无需维护的集成光源),并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源;预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗,估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下;并认为硅光子将开辟一类新系统,在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期,不构成已实现的结果。
据Jaykihn透露,Intel下代基于Nova Lake架构的Xeon E芯片将不采用混合架构,只包含一种核心类型,客户只能选全P核或全E核配置,不含低LPE功耗E核:全P核设计共五款型号,分别为4、6、8、12和16核;全E核设计四款,最高32核,另有4、8和16核版本。需要混合架构的边缘计算客户可购买常规Nova Lake-S桌面CPU。Nova Lake是Intel下一代桌面和移动平台,预计2027年Q1登陆,采用全新LGA1954插槽,命名采用酷睿Ultra 4000系列;桌面版采用混合架构,P核为Panther Cove,E核为Darkmont,单计算芯片版本最高28核心,三款BFC芯片配备最高144MB L3缓存对标AMD X3D;NPU算力此前泄露为73 TOPS,是Arrow Lake(13 TOPS)的5倍以上,超过Panther Lake的50 TOPS。文中指出,Xeon E放弃混合架构并非新策略,此前基于Raptor Lake架构的Bartlett Lake边缘计算芯片同样不含E核,但P核最高只有12核,桌面版只有8核;其原因据称为去掉E核后腾出空间塞入更多P核,边缘计算场景不需要E核处理后台轻负载线程,纯架构更符合边缘工作负载特征。
据SPIE Digital Library的技术分析,常规极紫外(EUV)光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模,虽能以高产能打印极小特征,但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上,而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件,将数字图形直接写入晶圆,从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈,缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代:EUV辐射被大多数材料强吸收,系统需在真空和专用反射光学下运行;可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷;光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的,如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层,而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析,不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
快科技10月18日消息,海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后,推出全新设计,在PCB上焊接四个8pin接口,可完全脱离原装16pin接口独立供电;新PCB直接焊接在显卡供电触点上,可与原有12V-2x6接口并联使用,也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流,600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A,相比标准16pin接口几乎减半;该方案已在分流改装的显卡上测试至800W,PCB温度达到45°C。原文指出,RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现,主要原因是显卡功耗高达575W,逼近接口600W理论上限,未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本,团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板;改装计划通过邮寄服务提供,12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认,原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通,因为库存预计即将售罄。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元,同比增长 123%,毛利率 47.8%,非GAAP每股收益 1.20 美元,超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元,截至 2026 年 10 月 3 日,因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
在2026年开放计算项目(OCP 2026)全球峰会上,英特尔展示了硅光子技术发展蓝图,数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”,并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟(InP)硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面,源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限,在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈,数据中心架构需向光互连演进,能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出,当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求,其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模;自2016年投入商用以来,已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学(CPO)与近封装光学(NPO)发展。
据Tom's Hardware于2026年10月18日报道,SemiAnalysis在2026年10月17日发布的逐项目审计显示,美国300多项地方数据中心建设禁令(暂停令)对计划建设的实际影响有限:在禁令覆盖区约21GW数据中心中,仅约2.3GW(约3个项目)可能被推迟,且该数字未计入德克萨斯州环境质量委员会(TCEQ)的暂停令。该机构预测2027年美国将有总计38GW数据中心IT容量上线,是2026年的两倍以上;其中22GW已在垂直施工,其余16GW大多已完成融资并开始场地作业。已生效的地方禁令覆盖约20GW,其中仅约1.5GW被推迟;纽约州的暂停令另涉及0.8GW。截至9月,该机构在17个州跟踪了400多项地方性文件,其中已生效的包括少量永久性分区禁令;今年夏季纽约、得克萨斯、宾夕法尼亚和俄勒冈四个州在不到两个月内采取了行动。审计认为禁令效果有限的原因包括:禁令不撤销既有批准、短期禁令可能在后续项目需要审批前到期、诉讼或设备交期已锁定日程,且已在建或已获全面许可的产能不受影响。得州州长Abbott要求TCEQ不对数据中心项目发放许可,律所Bracewell预计该暂停将持续至ERCOT在12月中旬完成审查;TCEQ向州长办公室提交的合规报告定于周一发布。
根据微软最新公布的安全策略,Windows 11将从2027年1月的Windows安全更新开始,在默认情况下阻止采用ReFS文件系统的U盘和外置硬盘挂载;用户若仍希望使用此类设备,需通过组策略或注册表手动调整相关设置。实施计划分为两个阶段:第一阶段已随2026年10月13日发布的Windows安全更新启动,系统默认启用审计功能,检测到可移动介质上的ReFS卷时仅记录事件而不阻止挂载;第二阶段预计随2027年1月的安全更新启动,届时审计和阻止功能都将默认启用,符合条件的外部ReFS卷将无法正常挂载,除非管理员修改组策略或注册表设置。微软表示,通过可移动介质挂载ReFS卷不属于受支持的配置,此次调整旨在帮助管理员识别这些不受支持的配置并在必要时阻止挂载;微软强调该限制作用于文件系统挂载过程,不会直接删除磁盘上的文件,但建议管理员在启用强制阻止前将相关数据迁移到受支持的存储配置。相关策略名为RefsRemovableDeviceMountPolicy,可通过组策略或注册表配置,组策略优先于本地注册表设置,修改后需重启设备生效。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |