QNAP Systems, Inc. 推出具备USB4连接的高容量JBOD扩展-unit系列：8盘位桌面型TL-D810TC4和12盘位机架式TL-R1210TC4-RP，理论带宽最高达40 Gbps。其USB4 Type-C端口也兼容Thunderbolt 5/4/3。该系列支持SATA 6 Gb/s的HDD和SSD，允许用户根据环境和工作流程需求灵活扩展NAS或计算机存储，实现快速容量扩展和增强的数据保护；优化的通风和主动冷却确保长时间运行中的稳定性能与长期可靠性。
据快科技10月20日消息，德国硬件媒体ComputerBase近日发现，Lexar雷克沙在MediaMarkt和Saturn两家商城推出了采用PCIe 3.0 x4接口的M6系列SSD，但在快科技查询时，相关页面已经下架。M6系列包含256GB、512GB和1TB三款，M.2 2280规格，读取速度最高3500MB/s（已达PCIe 3.0 x4接口实际上限）；写入速度按容量分档：256GB最高1300MB/s、512GB最高2400MB/s、1TB最高3000MB/s；闪存标注3D TLC NAND，协议为NVMe 1.2，无DRAM缓存。虽然M6是新品，但其规格参数与Lexar于2021年4月发布的NM620基本完全一致（M.2 2280、PCIe 3.0 x4、3500/1300MB/s读写、3D TLC NAND、NVMe 1.2、125/250/500TB TBW）。定价方面，256GB约70欧元、512GB约150欧元、1TB约250欧元，折合人民币约525元、1125元、1875元。原文未说明新品回归旧接口及随后下架的原因。另据报道背景：TrendForce数据显示DRAM和NAND闪存价格持续上涨；Gartner预测2026年底DRAM价格较年初上涨130%，HBM大量挤占产能导致通用DRAM短缺；StorageSwiss认为这轮涨价不是短期短缺而是结构性产能再分配，价格高位将持续到2027年。
据Commercial Times报道，尽管涨幅放缓，机构投资者对存储行业长期前景保持乐观，受AI推理需求扩大及成熟存储产品新供给有限的支撑；2026年第四季度DRAM合约价格预计环比上涨约20%。该预计涨幅较第二季度的约80%和第三季度的约40%有所放缓，原因（据报告所述）为比较基数抬高、终端市场购买力减弱以及长期协议（LTA）下的价格上限逐渐生效。CXMT公布其下一代4F² DRAM架构取得进展，机构投资者指出该架构理论上可比主流6F²设计将存储单元面积缩小约33%，但量产仍面临良率、漏电流和数据保持方面的挑战，且该设计适用于整个DRAM单元还是仅特定区域尚不明确，全面商业化普遍预计在2028年之后；MoneyToday指出CXMT的公告尚未显著影响持续上涨的DRAM现货价格。另据Chosun Biz报道，苹果、特斯拉等公司提出在存储成本上升时转向CXMT、YMMT等中国供应商的可能性，但分析师认为鉴于中国供应商在价格竞争力、可用数量和销售市场方面的限制，短期价格压力有限。据Commercial Times，若NVIDIA将Rubin Ultra从12-Hi HBM切换为8-Hi HBM（同时保持每GPU堆栈数量和每DRAM层容量不变），每GPU的HBM容量将下降约33%，而相同的DRAM晶粒供应理论上可多支持50%的GPU；TrendForce指出8-Hi HBM在2027年每Gb成本预计比12-Hi高10–20%。机构投资者认为更大AI模型、更长上下文窗口和增长的KV cache需求正推动对服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
IT之家10月18日消息，极夜 (TOPFEEL) 在发布 DeskOne A1 的同时带来体积更小的 DeskOne W2 迷你工作站，体积约 7.3L，三维仅 245×249×120 (mm)，采用全铝机身。该机型配备 FCLGA1700 插槽，支持第 12~14 代英特尔桌面处理器，提供 2 个 DDR4-3200 SO-DIMM 内存插槽和 1 条 PCIe Gen4 ×16 插槽（扩展卡限长 245mm、限宽 45mm）。存储方面拥有 3 个 PCIe Gen4 ×4 的 M.2 SSD 盘位，另一个 M.2 为 Gen4 ×2，另有 2 个 2.5" SATA 盘位；预留 M.2 无线网卡插槽，外部接口包括 2 个 2.5GbE RJ-45 在内的一系列接口。整机集成定制 650W TFX 金牌电源，处理器散热为 6 热管风冷 + 12025 风扇，系统散热为 2 颗 9015 规格风扇。原文未说明该发布与半导体价格或供需变化相关的信息。
10 月 18 日消息，极夜 (TOPFEEL) 昨日（即 10 月 17 日）公布了其 AI 双卡工作站 DeskOne A1，该型号基于英特尔酷睿 Ultra 9 处理器 275HX。DeskOne A1 拥有全铝机身，三维 370×195×290 (mm)，体积约 21L，标配 850W 电源，后部预留 4 槽宽度的扩展卡 I/O 面板开口。配置方面，其具备 4 条 DDR5 内存插槽（支持 7200MT/s）、2 条 PCIe Gen5 插槽（×16 / ×8 + ×8 / ×8 + ×4 + ×4）、1 条 PCIe Gen4 ×4 插槽，存储接口提供 1 个 M.2 PCIe Gen5 ×4、2 个 M.2 PCIe Gen4 ×4、2 个 SFF-8654 SlimSAS 4i (PCIe Gen4 / SATA)，并预留 M.2 无线网卡插槽。正面提供 2 个雷电 4、3 个 USB-A 10G、3.5mm 二合一音频插孔；反面提供 10GbE RJ-45、2.5GbE RJ-45、4 个 USB-A 10Gbps、2 个雷电 5、HDMI 2.1、2 个 Mini DisplayPort 输入、COM 扩展口。原文未说明价格及上市时间。
10月16日消息，零刻宣布 ME Pro（两盘位）龙芯版正式发售，搭载龙芯中科 2025 年推出的通用 8 核 SoC 龙芯 2K3000，基于自研龙架构，主频可达 2.2GHz，集成第二代自研 GPGPU 核心 LG200，支持 OpenGL 3.3、OpenCL 1.1，提供超 6 TOPS 的 AI 算力。售价 1815 元起：0GB+64GB（eMMC）1815 元，8GB DDR4+64GB（eMMC）2380 元，16GB DDR4+64GB（eMMC）2735 元。该 NAS 内置 64GB eMMC 系统存储，最高可扩展至 68TB 总容量，含 2 个 M.2 插槽（SSD1 为 M.2 2280 PCIe 3.0 x1 最高支持 4TB，SSD2 为 M.2 2280 SATA SSD 最高支持 4TB）和 2 个 3.5/2.5 英寸 SATA 机械硬盘插槽（单盘最高支持 30TB），接口包括 USB-A（5Gbps）×2、LAN 2.5GbE ×2、USB-C（5Gbps 数据 & 视频）×1、HDMI（4K 60Hz）×1 等。
据路透社报道，SK海力士据称正要求美国政府授权向其中国大连工厂额外出口半导体制造设备，以换取在美国新建NAND晶圆厂的承诺。大连厂是全球唯一生产192层浮栅3D NAND的设施，该产品用于Solidigm面向AI、企业和超大规模数据中心的数据中心级SSD；其生产依赖应用材料、KLA和泛林研究等美国供应商的设备，这些设备出口中国需美国政府许可。Solidigm已申请额外设备出口许可，但美国政府尚未批准该等出货；去年12月，美国商务部曾授予SK海力士2026年大连设备交付的有限授权，但尚未发放2027年的类似设备出口授权。Solidigm希望在大连Mod B厂房（2023年完工）的未使用部分安装更多制造设备，并考虑最早于2027年进行IPO以筹集额外资金。此美国建厂计划与设备出口安排均为据报道的提议，尚未获得批准或落实。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
埃隆·马斯克在X平台发文，批评存储厂商在常规DRAM与高带宽内存（HBM）均处于前所未有的短缺之际进行他所称的'敲诈性'定价，同时称赞美光在内存未来价格方面'合理'、是在为长期客户忠诚度做出'聪明的举动'。原文指出，马斯克未点名所批评的公司，也未提供具体定价细节或不同供应商的条款（这些条款通常保密），因此无法确定三星电子和SK海力士对可比产品的要价是否实质高于美光；其言论被认为指向这两家韩国存储厂商。文章补充称，美光自身盈利能力极高：2026财年第四季度营收542.3亿美元，GAAP毛利率81%，高于一年前的40%；云内存业务营收162.83亿美元，非GAAP毛利率83%；核心数据中心存储业务销售180.02亿美元，毛利率90%；汽车与嵌入式业务营收合计68.24亿美元，毛利率达84%；移动与客户端业务营收131.14亿美元，非GAAP毛利率90%。美光已签署26份战略客户协议，覆盖其到2030年预期营收的35%以上，合同包含320亿美元的客户财务承诺（大部分为现金预付款），且公司承认新协议反映了当前更高的内存价格、并非以折扣出售内存。另据报道，三星已锁定覆盖其2027年计划内存产出75%–80%的长期合同，SK海力士也在争取类似安排。市场内部人士与分析师预计内存供应短缺将持续到至少2028年。文章还称，存储厂商此次在没有相应扩大产能的情况下将内存价格提高了数倍，供给仍落后于需求。
俄罗斯芯片制造商在2026年10月11日的Microelectronics 26（ME26）论坛上展示了国产RISC-V和Arm芯片，以复古游戏作为演示点，包括基于Baikal Electronics BE-U1000微控制器的NES克隆、Elvis Hypercom-U SoC以及MCST的Elbrus-based PC。文章于2026年10月15日发布。来源未说明原因。事件状态为观察到的演示。
据报道，SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排，希望获得美国批准，向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备，并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提；此安排尚需美国批准，尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可，希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地，该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品，现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成，但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装，仍有扩产空余空间；SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能，而是在既有设施范围内完善设备配置，设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称，增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应；新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资，路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂，纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性，募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示，随着AI数据中心需求激增、供应趋紧，NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍，未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因；公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
三星电子于10月12日在加利福尼亚举行的开放计算项目（OCP）全球峰会上公布其下一代内存战略，三星DS部门内存业务AE团队副总裁Shim Ho-joon提出速度、可扩展性和持久性三大战略重点。原文给出的原因是：随着AI模型增长，其需处理的数据量不断增加，Shim表示内存容量扩展和数据存储技术正变得与内存带宽同等重要。三星计划通过第八代高带宽内存（HBM5）、定制HBM、zHBM和处理内存（PIM）技术提升数据处理速度与计算效率；利用CMM-D和基于CXL的技术扩展AI系统内存容量并提升数据管理效率；下一代SSD、QLC技术和FDP将增加AI数据存储容量并改善管理效率。上述均为计划内容，属于战略公布而非已实现的结果。此外，三星展示了与Nvidia合作的成果，展出Groq晶圆（Nvidia的语言处理单元LPU）和Groq 3 LPX系统，其代工业务使用4纳米工艺制造Groq芯片；三星还与AMD联合演示了基于CXL的内存扩展解决方案，双方正与全球客户在产品开发早期阶段合作设计并扩大技术验证。
据Blocks & Files于2026年10月13日（周二）报道，铠侠已为其PCIe gen 5 CM9数据中心SSD推出直接液冷版本CM9-DLC，使客户可在热机架机箱内使用该盘而不发生热节流。CM9-DLC产品支持冷板直接液冷，同时也支持风冷，通过液冷金属外壳接触设备顶面或两侧进行冷却，采用E3.S形态。铠侠美国SSB业务单元产品管理高级总监Maulik Sompura表示，AI基础设施的兴起正推动数据中心设计向更高功率密度和先进冷却技术转变。部署液冷CM9-DLC需要系统制造商匹配主机服务器的冷板/分液系统与冷却液回路并完成验证；铠侠未提供安装、热接触面或具体冷板兼容性等信息，仅表示该盘“支持冷板服务器设计”，并建议系统制造商确保服务器机箱符合SFF-TA-1008 rev. 3.0a等规范。液冷CM9的性能数字与风冷CM9相同。CM9系列目前正向选定客户送样，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的2026 OCP全球峰会上展示。此前铠侠已于今年早些时候为CM10系列SSD提供液冷支持。
据2026年10月13日报道，随着英特尔下一代Nova Lake-S桌面平台接近发布，首批基于900系列芯片组的主板曝光：一款面向Nova Lake-S处理器的ATX主板公开展示，搭载LGA1954插槽，并提供B960和Q970芯片组版本。主板型号为M26-NVLS-ATX09，由工业与嵌入式硬件厂商Decenta推出，面向工业控制、通信设备、嵌入式计算及企业级应用。实物采用传统单压杆设计，而非传闻中的双压杆（2L-ILM），意味着双压杆方案可能仅用于更高功耗、更高端产品。主板配备4条DDR5-6400 UDIMM插槽、双通道、最大256GB；两条PCIe 5.0 x16插槽（可单路x16或双路x8）、PCIe 5.0 x4与PCIe x2接口，并保留一条传统PCI插槽；两个M.2插槽（至少一个支持PCIe 5.0 x4 SSD）、M.2 Key-E无线接口（可装Wi‑Fi 7和蓝牙模块）、HDMI/DisplayPort/VGA输出最多三屏、两个1GbE网口及TPM 2.0支持。B960与Q970的具体差异尚未完全说明；据此前泄露信息，Q970定位高于B960，B960面向成本敏感型平台、OEM整机及嵌入式设备市场。业内预计Z970和Z990主板将承担高端定位。英特尔尚未正式发布Nova Lake-S处理器及900系列主板平台，规格仍存在调整可能。
SK Hynix 发布了一种低功耗处理器架构，用于固态硬盘（SSD）控制器，旨在降低功耗和芯片面积，以应对 AI 数据中心对更快、更高效数据访问的需求。
据ZDNet报道，三星电子与AMD在OCP Global Summit 2026上演示了基于Compute Express Link（CXL）的内存扩展解决方案，该方案采用三星基于CMM-D的内存池化技术，可使多个系统更高效地共享内存资源并灵活扩展容量。据NewsPim，三星将基于CXL的内存扩展视为克服传统系统容量限制的途径，尤其是随着AI代理推高推理所需内存。此次演示之前，三星与AMD于3月签署谅解备忘录，以扩大在下一代AI内存与计算技术上的合作；据The Korea Times，AMD CEO苏姿丰在10月7日访问韩国期间也与三星讨论了内存和代工技术方面的潜在合作（属讨论，非已确定合作）。在活动上，三星概述了扩展其AI内存与存储产品组合的计划，包括HBM5、定制HBM、zHBM、处理内存（PIM），以及CMM-D和基于CXL的方案，并推进包括四层单元（QLC）NAND与灵活数据放置（FDP）在内的下一代SSD技术，还展示了KV缓存优化与Direct Storage技术；此外通过Samsung MAX Lab让客户在商业化前在真实AI工作负载下评估PIM、CMM-D和下一代SSD等新兴技术。三星还展示了采用三星代工4nm工艺量产的Groq LPU晶圆和NVIDIA的Groq 3 LPX系统，以及一枚采用其2nm环绕栅极（GAA）工艺制造的晶圆。
SK Hynix在2026年10月12日于仁川松岛Convensia举行的ISOCC 2026上，由副总裁Koo In-je披露了自研用于固态硬盘(SSD)的小型处理器Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的架构与性能。该技术将传统上由通用CPU处理的重复性任务分配到超过100个H-TPU上并行处理，据SK Hynix称，单个H-TPU的功耗约为标准通用CPU核心的2.5%（四十分之一），芯片面积约为其4%（二十五分之一）；主通用CPU保留用于错误恢复、异常处理和存储策略管理等复杂任务。公司还开发了包括专用编译器在内的软件工具。SK Hynix计划将该技术应用于多条NAND闪存产品线，首先用于下一代企业级SSD(eSSD)控制器，随后集成到面向AI的下一代存储架构Storage Next（处理低至512字节的数据单元，为传统4KB单元的八分之一）以及计划于明年发布的高带宽闪存(HBF)中；这些应用仍属计划，尚未表明已实施。
微软于10月7日发布搭载NVIDIA RTX Spark超级芯片的Surface Laptop Ultra，起售价2,599美元，主要面向创作者、开发者和AI工程师；该N1X芯片集成18核或20核Grace CPU与5,120或6,144个Blackwell GPU核心，统一内存采用LPDDR5X、为24GB至128GB，最大AI算力达1 petaflop，可在本地运行超过1200亿参数的AI模型。RTX Spark平台由NVIDIA与联发科联合开发，集成20核Arm架构Grace CPU、基于Blackwell架构的RTX GPU及最高128GB统一内存。戴尔也发布基于RTX Spark的Dell XPS 16 Creator Edition，支持最高128GB统一内存和4TB SSD存储。戴尔与微软新品将于10月16日起在全球上市；华硕ProArt P16和P14已确认10月16日上市，HP OmniBook Ultra 16、OmniBook X14、联想Yoga Pro 9n及9n 2-in-1、MSI Prestige N16 Flip AI+ 也定于10月16日起推出。此外，华硕、宏碁和MSI定于10月23日起推出配备NVIDIA DGX Spark和64GB统一内存的台式机，起售价4,999美元。原文未说明原因（本事件为产品发布，无因果背景）。