Fraunhofer展示500kW/l SiC逆变器
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
利多
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
- 相关厂商
- Fraunhofer IZM、Mitsubishi Electric、AT&S、Infineon Technologies
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感，提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术，但当前对现货价格影响中性，属于研发里程碑。
建滔积层板宣布上调FR-4覆铜板及PP半固化片价格10%。存储芯片因AI内存需求激增进入超级周期，价格持续大涨。
建滔涨价及存储价格大涨将直接推高相关供应链成本。
建滔积层板宣布即日起上调FR-4覆铜板及PP半固化片价格10%。电池级碳酸锂现货价周涨2.03%，月涨12.82%，头部储能锂电池企业订单已排产至2027年Q2。
上游核心原材料价格明确上涨，叠加下游需求强劲，对相关电子元件及锂电材料成本构成直接上行压力。
Ventec International Group正在评估在美国建立制造设施的可能性，以支持其不断增长的北美客户群。该举措是公司全球产能布局规划的一部分，旨在通过“中国+1”策略提升供应链韧性，泰国工厂将于2026年投产。
产能扩张计划尚未最终确定，短期内对供需格局影响有限，但长期可能增加高性能覆铜板供应。
德州仪器、恩智浦、英飞凌、村田及国巨等多家核心厂商自4月1日起正式上调产品价格，其中TI部分型号涨幅最高达85%，村田MLCC涨幅15%-35%。涨价潮由成本传导及汽车、AI服务器等需求驱动。
多品类元器件价格明确上涨，对采购成本及现货交易构成直接上行压力。
Ventec计划于2026年Q2在泰国投产新工厂，预计到2028年将实现每月300万平方米预浸料和8万平方米粘结片产能。此举旨在响应“中国+1”供应链策略，并在同行聚焦AI/IC基板市场时，巩固其在高端可靠性PCB材料领域的供应地位。
此为针对特定细分市场的长期产能扩张计划，增加供给，但对短期价格无直接影响。
建滔集团3月10日发布涨价通知，对所有厚度规格的板料、半固化片及铜箔加工费提价10%。此举引发A股铜箔概念股逆势拉升，金安国纪、胜利精密双双涨停。
上游原材料供应商明确提价，直接传导至PCB及电子元件制造成本。
三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，对CCL、预浸料及CRS产品提价30%，主因原材料、人力及物流成本飙升。此前，日本材料巨头Resonac已于3月1日对同类产品提价30%。
高端封装基板核心材料价格明确大幅上调，将直接推升下游采购成本。
三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，其CCL、预浸料及CRS产品价格上调30%。涨价主因是原材料价格飙升及劳动力、运输成本持续上涨，公司电子材料部门盈利能力显著恶化。
全球高端封装基板材料龙头直接提价30%，叠加力森诺科同类涨价，将显著推高下游采购成本。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |