NOR Flash 资讯与行情

10月21日周三

8 条

19:14影响评分 30
德文特报告：2026年全球汽车存储芯片市场规模达74.03亿美元，预计2033年增至176.77亿美元，CAGR为13.24%
德文特的综合调查研究称，全球汽车存储芯片市场整体保持稳健增长态势，2026年市场规模达到74.03亿美元（此为该报告数据，非实际成交统计），并预计到2033年将增长至176.77亿美元，2026—2033年年均复合增长率（CAGR）为13.24%，均为预测性质。报告称中国在全球市场中的重要性持续提升，但2026年中国市场规模及占比的具体数字在原文中为空白。报告将汽车存储芯片细分为DRAM、NOR、NAND、SRAM、EEPROM，下游应用涵盖车载信息娱乐系统、ADAS、T-box、数位仪表盘，并列出美光科技、三星电子、SK海力士等主要领先厂商，各梯队市场份额数据在原文中亦为空白。报告同时分析12个关键国家和区域市场，内容为市场研究报告性质，原文未涉及具体价格变动。
汽车存储芯片 DRAM NOR美光科技、三星电子等 15 家
18:51影响评分 90
10月21日A股回调中存储午后回暖：机构预估四季度DRAM合约价格环比上涨约20%，三星电子、SK海力士分别收涨5.67%、5.8%，半导体设备ETF收跌0.93%
10月21日A股主要指数集体回调（上证指数跌0.60%、深证成指跌0.82%、创业板指跌1.62%），但存储方向午后回暖：机构预估四季度DRAM合约价格环比上涨约20%，三星电子、SK海力士当日分别收涨5.67%、5.8%；半导体设备ETF（561980）则收跌0.93%，算力硬件内部分化。同日科创芯片设计ETF（589390）涨1.10%。工信部披露，截至9月底全国智能算力规模达2592 EFLOPS、同比增长146%，并将加快算力设施扩容提质。上述DRAM四季度价格上涨为机构预估，非已实现数据。
DRAM 存储芯片芯片设计三星电子、SK海力士价格波动
16:08影响评分 60
媒体爆料：三星和SK海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的芯片
据路透社援引知情人士的媒体爆料，三星电子和SK海力士正推进在华工厂的技术升级，目标是生产更先进制程的芯片，该消息为知情人士披露的升级计划。其中，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产，这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若落地将标志三星在华产能的显著技术跃升；SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级，升级方向与三星相近，旨在提升中国工厂的芯片技术规格。SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。同时，中国本土制造商长江存储也在技术层面取得新进展，路透社报道称其追赶步伐未因外部压力明显放缓，进展将进一步加剧全球NAND市场竞争。原文未说明两家公司升级计划的具体时间表。
NAND闪存 DRAM三星电子、SK海力士等 3 家产能变化
15:57影响评分 60
据报道，三星电子与SK海力士正升级中国NAND闪存工厂以生产超过200层的芯片，以夺回被YMTC夺回的市场份额，同时美国对其中国业务升级的限制在形式上仍然生效（路透社10月21日报道）
据路透社10月21日援引四位知情人士报道，三星电子和SK海力士正在升级其在中国境内的NAND闪存工厂，以生产超过200层的芯片。报道给出的原因是，此举将使这两家韩国存储厂商夺回被长江存储科技（YMTC）夺走的市场空间，尽管针对其中国业务升级的美国出口管制在形式上仍然生效。该报道属于计划性质的升级，未说明完成时间，且美国限制措施尚未解除。
NAND flashSamsung Electronics、SK Hynix 等 3 家产能变化
15:56影响评分 20
AMD与英特尔计划将PyTorch对x86处理器的优化整合到oneDNN中
AMD与英特尔计划将双方针对x86处理器的PyTorch优化整合到oneDNN中，目标是让AI开发者获得一条可同时应用于两家公司CPU的统一性能提升路径，并减少维护各自独立软件路径的工作量。该事项为计划状态，原文未提及任何价格、产量或需求变化，亦未说明具体时间表或原因以外的实施条件。
oneDNN PyTorch x86 CPU optimizationsAMD、Intel
11:15影响评分 62
谷歌CEO皮查伊：云业务正为前沿AI让渡算力属当下现状，客户锁定2027年算力“极其困难”，各公司算力需求为两年前规划产能的2倍
谷歌CEO皮查伊在《Big Technology Podcast》访谈中确认，谷歌云业务"在任何给定时刻"都在为支持前沿AI开发而放弃短期收入，并称这已是当下现实而非未来战略承诺；前沿模型是"不可谈判的第一优先级"。旗舰模型Gemini 4 Argon上线72小时消耗25万亿Token，为上一代Gemini 3.0同期的三倍并创谷歌历史纪录。他证实全行业算力短缺：每家公司的实际需求都是两年前规划产能的2倍，数据中心从决策到投产存在2至3年的刚性滞后，而智能体任务的爆发完全超出了两年前的需求预测，因此客户今天想锁定2027年的算力"极其困难"；他还认为亚马逊CEO贾西"云算力已卖空到2028年"的说法合理。在RSI问题上，皮查伊称距离"自主失控的终局"仍相当遥远，当前处于AI智能体与人类研究员协同工作的过渡期。谷歌已将TPU试验芯片送入太阳同步轨道探索太空数据中心，该项目处于"两到三年"的早期阶段，团队正在等待太空TPU首次成功运行的"Hello World"信号。
TPU算力云算力出租谷歌产能变化
08:01影响评分 0
中国十大半导体企业：中芯国际、长鑫存储、华为海思、长电科技、北方华创等上榜
文章列出十大中国半导体公司：SMIC为中国最大代工厂，2025年营收约93亿美元；CXMT为国内领先DRAM厂商，营收突破80亿美元；华为海思为顶尖芯片设计公司（麒麟、昇腾AI等）；长电科技为中国最大封测厂；北方华创为领先设备商；华虹集团为专注特色/成熟制程的代工厂；长江存储为主要国产3D NAND厂商；韦尔股份为主要图像传感器及模拟/设计企业；通富微电为第二梯队大型封测企业；寒武纪或海光信息分别为领先AI加速器或x86兼容服务器CPU厂商。原文未说明原因，亦无价格变动、产能变化或政策事件。
SMIC、CXMT 等 11 家
05:16影响评分 95
TrendForce现货报价：DDR4主流芯片本周涨0.84%至46.357美元，DDR5供应紧张买家加价难获配给，512Gb TLC晶圆跌1.28%至18.592美元
据TrendForce最新内存现货价格趋势报告（2026年10月21日发布），本周DRAM市场表现分化：DDR5供应持续紧张，供应商明显不愿出货，即便部分买家愿意提高目标价仍无法获得配给，询价断断续续，未能引发追价动能；品牌DDR4芯片方面，下游模组厂严格控制资金与库存，限制实际订单释放，交易情绪低迷。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）平均现货价本周（10月20日）上涨0.84%至46.357美元。NAND闪存方面，因最大买家模组厂需求疲弱且库存持续高企，现货交易量低迷；卖家认为降价未必能有效刺激需求，降价意愿有限，现货价格窄幅波动。512Gb TLC晶圆现货价本周（10月19日）下跌1.28%，平均报价为18.592美元。
DDR5 DDR4 NAND flash价格波动

10月20日周二

12 条

22:11影响评分 55
内存短缺加剧中国部分手机厂商据称考虑回收旧DRAM装入新机相关计划尚未获厂商公开确认
据韩国《朝鲜商业》援引Counterpoint Research的分析，由于AI数据中心对内存的旺盛需求持续挤压手机用DRAM供应、价格上涨加大入门级手机成本压力，中国部分手机厂商正考虑把从旧手机和电脑中拆下的DRAM重新用于新机，甚至评估在部分基础款机型中全部采用回收内存；相关厂商尚未公开确认这些计划，报道也没有点名具体品牌。TechNews援引匿名业内人士称，部分中国品牌可能向深圳华强北商家采购拆机内存，来源或包括旧iPhone；TrendForce指出这些说法尚未得到中国监管部门或手机企业证实，回收芯片目前更可能用于极低价、无品牌手机，不太可能进入旗舰机供应链。回收DRAM需拆下、清洁、除锡、检测和重新封装；Counterpoint称市场上已有使用5至6年的DRAM被回收，部分芯片可能再被使用5至6年，但存在数据保持能力下降、错误风险增加及良率与兼容性挑战。《财经》今年4月报道，一名山东回收商3月收购约1000部报废手机，其中超过600部被拆解准备转售内存芯片，部分无法开机的报废手机售价超过100元人民币。TrendForce以8GB DRAM搭配256GB闪存的常见手机配置为例，估算2026年第一季度内存合约价格同比上涨近200%；内存过去约占手机物料成本的10%至15%，目前已升至30%至40%；TrendForce还指出AI服务器需求正持续挤压DRAM产能，供应紧张和涨价压力可能延续至2027年。Counterpoint初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，创2012年以来同期最低水平。目前没有公开证据显示主流品牌已将回收内存用于大规模量产机型。
DRAM
21:00影响评分 40
ASML与Xanadu合作研究先进光刻工艺以抑制光子量子计算中的光子损耗，为研究性质，未指定生产节点或数值损耗目标
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
photonic quantum hardware photonic waveguides nanophotonic structuresASML、Xanadu并购合作
20:00影响评分 55
据报道与华为有关联的SiCarrier称其设备已量产并被中国晶圆厂采用,并发布新光掩模与AI晶圆检测工具
据TrendForce于2026年10月20日发布的消息，据报道与华为有关联的SiCarrier(此前曾因光刻相关表态登上头条)现称其设备已进入量产并被中国晶圆厂采用(此为该公司自己的说法)，同时发布了新的光掩模设备和AI驱动的晶圆检测工具。原文未说明原因，亦未给出具体的产能数字或客户名单。
photomask tools AI-powered wafer inspection toolsSiCarrier
17:53影响评分 10
DeepSeek开源推理框架DeepInfer：单一集群服务吞吐155万亿Tokens/天，每卡每小时收入38美元（按谷价）
快科技10月20日消息，DeepSeek发布DeepSeek V4.1 Flash大规模推理部署实践文章，开源大规模云服务推理框架DeepInfer，目的是让大模型能力以合理成本服务海量用户。V4.1 Flash设计目标包括：兼容多种厂商的计算芯片并在不同硬件平台部署；用常见8卡机器做Prefill、用常见64～128卡超节点做Decode；支持将KVCache保留72小时以上以减少缓存命中时的重复Prefill计算。DeepSeek称基于DeepInfer已实现DeepSeek V4.1 Flash的高吞吐、低延迟大规模推理服务，目前单一集群服务吞吐为155万亿Tokens/天，整体收入为每卡每小时38美元（按谷价）。原文未说明原因之外，DeepSeek未公布具体集群数量和显卡数量，因此无法估算其每天真实收入和Token吞吐量。文中还提到OpenAI与Anthropic两家合计Token吞吐量约100万亿Token/天、上限估计约160万亿，因其模型多、旗舰级产品参数量公认在5万亿以上而单价高，每天收入比DeepSeek高出1-2个量级，但数据不便于直接对比。
DeepSeek
15:48影响评分 55
增幅3980%：英特尔半导体（大连）有限公司注册资本增至8.16亿美元，与已出售给SK海力士的NAND闪存业务并非同一实体
10月20日消息，英特尔半导体（大连）有限公司于10月14日完成工商变更，注册资本从2000万美元增至8.16亿美元，增幅达3980%，原文未说明增资原因。该公司成立于2006年6月，经营范围覆盖半导体集成电路产品的制造、封装测试、加工、仓储及销售，由英特尔（中国）有限公司全资持股。此次增资主体需与英特尔已出售的NAND闪存业务作区分：2020年10月，SK海力士宣布以90亿美元（约合602.43亿元人民币）收购英特尔的NAND闪存及SSD业务，交易涵盖大连NAND闪存制造工厂；承接该资产的法律实体原名为“英特尔半导体存储技术（大连）有限公司”，于2025年3月完成股权交割，随后更名为“爱思开海力士半导体存储技术（大连）有限公司”，由SK海力士方面全资持有。本次注册资本变动发生在另一家由英特尔中国全资持有的原有公司主体上，两者并非同一法律实体。
半导体集成电路产品英特尔、SK海力士
15:42影响评分 55
Lexar雷克沙推出PCIe 3.0 x4接口M6系列SSD新品，读取最高3500MB/s，快科技查询时相关页面已下架
据快科技10月20日消息，德国硬件媒体ComputerBase近日发现，Lexar雷克沙在MediaMarkt和Saturn两家商城推出了采用PCIe 3.0 x4接口的M6系列SSD，但在快科技查询时，相关页面已经下架。M6系列包含256GB、512GB和1TB三款，M.2 2280规格，读取速度最高3500MB/s（已达PCIe 3.0 x4接口实际上限）；写入速度按容量分档：256GB最高1300MB/s、512GB最高2400MB/s、1TB最高3000MB/s；闪存标注3D TLC NAND，协议为NVMe 1.2，无DRAM缓存。虽然M6是新品，但其规格参数与Lexar于2021年4月发布的NM620基本完全一致（M.2 2280、PCIe 3.0 x4、3500/1300MB/s读写、3D TLC NAND、NVMe 1.2、125/250/500TB TBW）。定价方面，256GB约70欧元、512GB约150欧元、1TB约250欧元，折合人民币约525元、1125元、1875元。原文未说明新品回归旧接口及随后下架的原因。另据报道背景：TrendForce数据显示DRAM和NAND闪存价格持续上涨；Gartner预测2026年底DRAM价格较年初上涨130%，HBM大量挤占产能导致通用DRAM短缺；StorageSwiss认为这轮涨价不是短期短缺而是结构性产能再分配，价格高位将持续到2027年。
SSD PCIe 3.0 x4 SSD 3D TLC NANDLexar雷克沙
15:33影响评分 55
爆料称PS6内存加闪存成本合计将超680美元，零售价很可能突破1000美元
据快科技10月20日消息，论坛爆料者Kepler_L2在NeoGAF上提供的信息称，PlayStation 6的内存加闪存成本合计将超过680美元（约4552元人民币），这意味着即将推出的次世代主机零售价很可能突破1000美元（约6679元人民币）。原文说明，主机成本里最贵的两块是运行内存（分DDR和LPDDR两类）和闪存，不管PS6内存容量的各种传闻具体多少，按当前内存市场的价格水平，这两项成本就奔着680美元去了。爆料同时留有余地：Kepler_L2认为索尼和微软更可能的选择是在内存容量上退让，而不是硬扛高零售价引发消费者反弹。文中还提到历史参照PS3当年599美元定价换算到今天约一千美元、通胀贡献近七成，以及传闻称PS6可能有代号"Canis"的便携版本（如果成真则提供更亲民的价格选择）。以上均为爆料和传闻，尚非官方确认。
内存闪存索尼、微软
12:14影响评分 55
铠侠以专有NAND闪存技术与客户定制开发为优先、不激进扩产，瞄准AI存储需求并降低存储市场波动敞口；标题另提及借英伟达合作与先进NAND技术瞄准更高价值AI存储
据来源，铠侠（Kioxia）将专有NAND闪存技术和客户定制开发置于激进扩产之上，力图借AI存储需求上升获利，同时降低对存储市场波动的敞口。标题另提及铠侠通过与英伟达（Nvidia）的合作及先进NAND技术瞄准更高价值的AI存储。该内容描述的是公司战略取向/计划，未给出产能数字、时间表或已实现的扩产或减产结果。
NAND flashKioxia
10:43影响评分 45
Sandisk 宣布将成为 Meta VR Glasses 独家闪存存储供应商，2027年春季产品上市时供应 Meta 认证 microSD Express 存储卡及 USB-C 闪存盘
Sandisk 于2026年10月14日从加利福尼亚州米尔皮塔斯发布的新闻稿中宣布，将成为 Meta VR Glasses 的独家闪存存储供应商，在该产品于2027年春季上市时供应经 Meta 认证的 microSD Express 存储卡和 USB-C 闪存盘。该合作尚属公告阶段，产品尚未上市。原文未说明原因。
flash storage microSD Express memory cards USB-C flash drivesSandisk、Meta并购合作
07:28影响评分 60
算力需求加快转化为A股产业链上市公司经营增量：服务器、计算与存储芯片销售增长，高端覆铜板与印制电路板盈利改善
近日披露的A股相关产业链上市公司三季报、业绩预告及快报显示，算力需求正加快转化为上市公司的经营增量和盈利弹性：服务器、计算与存储芯片销售增长，高端覆铜板、印制电路板等环节盈利改善，需求进一步向光通信及生产测试设备等多环节传导。中国人民大学重阳金融研究院研究员刘英表示，算力需求通过扩大服务器、芯片、光通信等产品采购，带动相关制造业生产增长，并进一步拉动研发、扩产及设备投入；工业投资向算力、半导体和高端装备等领域集聚。
服务器计算与存储芯片高端覆铜板库存变动
07:21影响评分 25
分析：美国支持力度增长，但英特尔坚称扭亏进程仍独立运营
一篇分析文章指出，美国对英特尔的支持力度正在增长，但英特尔坚称其扭亏转正进程仍由公司独立运营。文章同时评述代工业务固有的经济矛盾：半导体制造需要巨额前期资本和多年持续投资，而进行这些投资的公司又被要求保持足够的战略独立性，以便快速响应技术周期和客户。原文未说明具体支持形式、金额或时间，亦未说明原因。
foundry businessIntel
02:53影响评分 55
CXMT三季度净利润环比增速预计放缓至1–4%，10月31日公布业绩
在10月31日业绩发布前，CXMT预测2026年前九个月营收为2650亿–2700亿元人民币，同比增长逾七倍；并在10月19日临时股东大会上预计2026年前九个月归属于股东的净利润为1310亿–1325亿元人民币，而去年同期净亏损53亿元人民币。据Eastmoney，其第三季度净利润预计仅环比增长1–4%，达534亿–549亿元人民币，第三季度营收预计为1146.9亿–1196.9亿元，环比增长15.25–20.28%，增速较上半年明显放缓——2Q26净利润翻倍以上达528.4亿元。Eastmoney将放缓归因于DRAM价格涨幅趋缓，可能压缩利润扩张空间。据36Kr，2025年DDR与LPDDR ASP分别同比上涨61%和24.46%，带动营收分别增长515.36%和105.59%；1H26 DDR与LPDDR营收分别达694.7亿元和781.9亿元。同业模块厂Longsys净利润从1Q26的38.6亿元升至2Q26的67.2亿元后，第三季度预计为34.2亿–43.2亿元，环比最多下滑49%。TrendForce预测3Q26常规DRAM合约价环比上涨13–18%、NAND Flash上涨10–15%，并指出创纪录的内存价格正使PC与智能手机客户逼近承受力上限。CXMT称其合肥与北京 fab 产能利用率维持高位、订单满载；目前运营两座合肥12英寸DRAM fab和一座北京fab，每座月产能最高10万片晶圆，并在合肥扩建测试设施、在上海开发新DRAM与HBM产线；1H26折旧费用同比增长27.85%至145.1亿元。业绩前景仍取决于10月31日财报及第四季度DRAM价格走势。
DRAM DDR LPDDRCXMT、Longsys

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

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10月21日周三

德文特报告：2026年全球汽车存储芯片市场规模达74.03亿美元，预计2033年增至176.77亿美元，CAGR为13.24%

10月21日A股回调中存储午后回暖：机构预估四季度DRAM合约价格环比上涨约20%，三星电子、SK海力士分别收涨5.67%、5.8%，半导体设备ETF收跌0.93%

媒体爆料：三星和SK海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的芯片

据报道，三星电子与SK海力士正升级中国NAND闪存工厂以生产超过200层的芯片，以夺回被YMTC夺回的市场份额，同时美国对其中国业务升级的限制在形式上仍然生效（路透社10月21日报道）

AMD与英特尔计划将PyTorch对x86处理器的优化整合到oneDNN中

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中国十大半导体企业：中芯国际、长鑫存储、华为海思、长电科技、北方华创等上榜

TrendForce现货报价：DDR4主流芯片本周涨0.84%至46.357美元，DDR5供应紧张买家加价难获配给，512Gb TLC晶圆跌1.28%至18.592美元

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内存短缺加剧中国部分手机厂商据称考虑回收旧DRAM装入新机相关计划尚未获厂商公开确认

ASML与Xanadu合作研究先进光刻工艺以抑制光子量子计算中的光子损耗，为研究性质，未指定生产节点或数值损耗目标

据报道与华为有关联的SiCarrier称其设备已量产并被中国晶圆厂采用,并发布新光掩模与AI晶圆检测工具

DeepSeek开源推理框架DeepInfer：单一集群服务吞吐155万亿Tokens/天，每卡每小时收入38美元（按谷价）

增幅3980%：英特尔半导体（大连）有限公司注册资本增至8.16亿美元，与已出售给SK海力士的NAND闪存业务并非同一实体

Lexar雷克沙推出PCIe 3.0 x4接口M6系列SSD新品，读取最高3500MB/s，快科技查询时相关页面已下架

爆料称PS6内存加闪存成本合计将超680美元，零售价很可能突破1000美元

铠侠以专有NAND闪存技术与客户定制开发为优先、不激进扩产，瞄准AI存储需求并降低存储市场波动敞口；标题另提及借英伟达合作与先进NAND技术瞄准更高价值AI存储

Sandisk 宣布将成为 Meta VR Glasses 独家闪存存储供应商，2027年春季产品上市时供应 Meta 认证 microSD Express 存储卡及 USB-C 闪存盘

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分析：美国支持力度增长，但英特尔坚称扭亏进程仍独立运营

CXMT三季度净利润环比增速预计放缓至1–4%，10月31日公布业绩

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