GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据泄露消息（来源为知名爆料者Jaykihn），英特尔正准备推出基于Nova Lake硅片的Xeon E系列处理器，将仅有两种版本：仅大核P-Core或仅能效核E-Core的SKU，不会提供同时包含P-Core与E-Core的混合SKU，混合设计将保留给常规的Nova Lake-S桌面处理器。P-Core only产品线据报将包含5种配置，分别为4、6、8、12和16个P-Core；E-Core产品线稍小，包含4种SKU，分别为4、8、16和32个E-Core；在产品线顶端，买家可在16 P-Core设计与32 E-Core配置之间选择。新Xeon E设计将采用W980芯片组平台，支持原生DDR5 ECC内存、最多48条PCIe通道（其中12条PCIe 5.0与12条PCIe 4.0来自芯片组）、Intel vPro技术；DMI 5.0 x4使DMI芯片组总线带宽达每方向128 Gbps；CPU提供两个40 Gbps的USB4或Thunderbolt 4端口；来自处理器的PCIe 5.0 x16 PEG插槽可借助lane switch分割为x8/x8等组合；两个CPU直连M.2 NVMe插槽均可配置为Gen 5。该消息为泄露信息，属计划中的产品路线图，原文未说明原因，无价格或供应数据。
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
据IT之家10月19日消息，韩媒MTN当地时间16日报道称，三星电子计划2027年全面进军硅光子学(SiPh)领域：首先利用12英寸技术为客户代工光子集成电路(PIC)，后续再扩展到PIC-EIC整合与光封装领域。报道称台积电目前在硅光子学晶圆代工领域处于优势位置，已获得一系列开发成果；三星电子内部人士认为双方差距在于市场份额而不是技术本身，三星将以从存储到逻辑到封装的全栈解决方案与台积电竞争。三星电子还在考虑对硅光子学相关公司进行合并和收购以推进自身技术发展。上述计划与并购考虑均处于筹划阶段，尚未证实落地。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
高盛策略师Louis Miller在周报中称，高盛AI超大规模云计算商信贷利差指数（GSUCHS30）已扩张至年内最宽水平；上一次利差接近当前水平（7月）时，相关股票价格较现在约低15%，因此要么债市悲观过度，要么股市还有约15%的下行空间未被消化（此为高盛的测算/警告，非已实现跌幅）。高盛更广泛的AI受益股篮子相对于剔除AI成分的标普500指数，已较6月高点累计下跌约25%；AI超大规模云计算商信用违约互换（CDS）触及历史新高；20只垃圾评级AI数据中心债券中有7只依赖单一租户CoreWeave作为还款来源，而CoreWeave自身债券已跌至困境级别。本周高盛AI主题仪表盘显示：NeoClouds五日跌幅24.8%，光学网络下跌21.4%，存储芯片下跌16.6%，唯一明显上涨的主题为"AI-at-Risk"上涨3.5%。高盛对此的核心解释是AI资本支出增长可能已触顶、融资可持续性和资本回报率取代盈利预期修正成为市场辩论核心：据高盛投资研究数据，超大规模云计算商资本支出同比增速在2026年第三季度达到峰值116%，市场普遍预期此后逐季放缓、至2027年底降至约20%；其资本支出（扣除折旧后净值）对标普500每股盈利增长的贡献预计2026年约11个百分点、2027年7个百分点、2028年转为-1个百分点。其他信号：周五看跌期权成交量达今年第二高（仅次于6月）；GSP1BETA较近期高点下跌15%；周期股对防御股比率（GSP1CYDE，剔除大宗商品）隐含增长预期约2%；贝塔调整后净敞口处于五年第67百分位而净杠杆率仅第17百分位；金融条件已从正向驱动力转为负向拖累。Miller未预判市场全面崩溃，认为市场正通过轮动消化压力，并提出五项策略：做多SPXXAI（自10月6日以来跑赢标普500达586个基点）；做多质量因子（GSP1QUAL三个月涨20%、RSI超80，警告存在大幅逆转风险；GSPEQUAL近一个月涨7.5%）；中期看好ACA受益股（GSHLCACA）；看好10月25日巴西决选前后机会（GSBZRATE）；对冲中国台湾半导体敞口——台积电在上调全年业绩指引并加速产能扩张后股价仍下跌2.3%，对冲基金在中国台湾持仓达历史最高，高盛亚洲团队推荐做空GSXATWSM及GSXATTXT。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
据IT之家10月18日消息，山灵流媒体解码前级耳放一体机 SM50 今日正式开售，零售价2698元，首发价2598元。该机集网络串流、本地播放、蓝牙接收、USB DAC、数字解码、耳机放大及前级/线路输出于一体，搭载 ES9039Q2M DAC 芯片，配备3.5mm与4.4mm双耳机输出，3.5mm输出功率达182mW @32Ω，4.4mm平衡输出功率达700mW @32Ω，提供高低两档增益。接口方面支持串流、蓝牙、本地及NAS、USB DAC输入，USB/同轴数字输出，RCA/XLR模拟输出及有线LAN、双频WiFi；无线采用双天线方案，支持蓝牙5.2及LDAC、aptX、aptX HD、AAC、SBC编码和2.4GHz/5GHz双频WiFi。机身配4.5英寸1080×1920触控屏，尺寸188×205×53mm，重约1.7kg，有黑、银两色，铝合金外壳搭配玻璃面板。原文未说明原因（属新品发布事项，无价格涨跌或供需原因）。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。