英特尔CEO陈立武称中国芯片制造“差距并没有那么大”,未给出量化指标
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时,被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力,他回应称“现在我认为,差距并没有那么大”;他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本,也未给出量化指标,原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板,并提到地缘政治限制带来的敏感问题,但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括:ASML此前确认其EUV系统销售已受限制,荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度;上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型,公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%,但这些为企业公布指标,未经独立验证,朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成,重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年,并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
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